，减薄区251的厚度小于第二钝化层250的厚度。
[0038]其中，缓冲层240 —般是有机材料，例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、聚酰亚胺(PI)、聚氯乙烯(PVC)、聚苯乙烯(PS)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)、聚砜(PSO)、聚对苯二乙基砜(PES)、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚硅氧烷(Silicone)、聚酰胺(PA)、聚偏二氟乙烯(PVDF)、乙烯?醋酸乙烯共聚物(EVA)、乙烯?乙烯醇共聚物(EVAL)、聚丙烯腈(PAN)、聚乙酸乙烯酯(PVAC)、聚对二甲苯基(Parylene)、聚脲(Polyurea)或聚四氟乙稀(PTFE)、环氧树脂(epoxyresin)等。
[0039]同时参阅图3及图4，第一钝化层230的减薄区231为多条纵横交错的带状区域，其他部分称之为正常区232 ;同样，第二钝化层250的减薄区251为多条纵横交错的带状区域，其他部分称之为正常区252。
[0040]在第一钝化层230的制作过程中，可以采用如图5所示的掩膜板500，该掩膜板500包括框架510、非镂空区520、半镂空区530及镂空区540。在采用该掩膜板500镀膜时，框架510和非镂空区520对应的区域不成膜，半镂空区530对应的区域形成减薄区231，镂空区540对应的区域形成正常区232。
[0041]如图6所示，由于半镂空区530包括通孔区531及非通孔区532，即只有通孔区531能通过镀膜材料，而镂空区540能够全部通过镀膜材料，因此在半镂空区530形成的减薄区231比在镂空区540形成的正常区232要薄。
[0042]第二钝化层250的制作过程同理，这里不再赘述。
[0043]另外，第一钝化层230和第二钝化层250中的减薄区和正常区的分布也可以是其他形状，如图7所示，第一钝化层700的减薄区701也可以是多个间隔交替设置的矩形区域。当然，掩膜板的形状也可以根据减薄区701的分布而改进。
[0044]同时参阅图2、图3及图4，在一种实施方式中，第一钝化层230的减薄区231与第二钝化层250的减薄区251间隔交错设置。即第一钝化层230的减薄区231与第二钝化层250的正常区252对应，第二钝化层250的减薄区251与第一钝化层230的正常区232对应。
[0045]区别于现有技术，本实施方式通过在OLED器件上依次覆盖第一钝化层、缓冲层及第二钝化层，并且第一钝化层和第二钝化层上的减薄区间隔交错设置，使得封装结构区域上减薄区域增多，考虑到更多的弯折点，能够更好的保证柔性OLED的耐弯折性，使封装结构在弯折时钝化层不会因为本身的应力较大而产生断裂。
[0046]参阅图8，本发明OLED器件封装方法第一实施方式的流程图，该方法包括:
[0047]步骤801:提供一衬底基板；
[0048]步骤802:在衬底基板上制作一 OLED器件；
[0049]步骤803:在OLED器件上覆盖一第一钝化层；
[0050]步骤804:在第一钝化层上形成至少一个减薄区，减薄区的厚度小于第一钝化层的正常厚度。
[0051]参阅图9，本发明OLED器件封装方法第二实施方式的流程图，该方法包括:
[0052]步骤901:提供一衬底基板；
[0053]步骤902:在衬底基板上制作一 OLED器件；
[0054]步骤903:在OLED器件上覆盖一第一钝化层；
[0055]步骤904:在第一钝化层上形成至少一个减薄区，减薄区的厚度小于第一钝化层的正常厚度。
[0056]步骤905:在第一钝化层上形成一缓冲层；
[0057]步骤906:在缓冲层上形成一第二钝化层；
[0058]步骤907:在第二钝化层上形成至少一个减薄区，减薄区的厚度小于第二钝化层的正常厚度。
[0059]其中，第一钝化层的减薄区与第二钝化层的减薄区间隔交错设置。
[0060]以上方法均是基于本发明OLED器件封装结构的实施方式的一种方法，其技术原理相似，这里不再赘述。
[0061]参阅图10，本发明显示装置一实施的结构示意图，该显示装置包括如前所述各实施方式中的OLED封装结构，即衬底基板1010 ;位于衬底基板1010上的OLED器件1020 ;覆盖OLED器件1020的第一钝化层1030 ;其中，第一钝化层1030上远离OLED器件1020的一面包括至少一个减薄区1031，减薄区1031的厚度小于第一钝化层1030的厚度。其中，OLED器件1020包括有机薄膜，其中有机薄膜被包在阴极和阳极金属之间，给两电极加电压，则有机薄膜会发光。
[0062]以上所述仅为本发明的实施方式，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
【主权项】
1.一种OLED器件封装结构，其特征在于，所述封装结构包括: 衬底基板； 位于所述衬底基板上的OLED器件； 覆盖所述OLED器件的第一钝化层； 其中，所述第一钝化层上远离所述OLED器件的一面包括至少一个减薄区，所述减薄区的厚度小于所述第一钝化层的厚度。2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述减薄区包括多条纵横交错的带状区域。3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述减薄区包括多个间隔交替设置的矩形区域。4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括覆盖所述第一钝化层的第二钝化层； 所述第二钝化层上远离所述OLED器件的一面包括至少一个减薄区，所述减薄区的厚度小于所述第二钝化层的厚度。5.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述第一钝化层的减薄区与所述第二钝化层的减薄区间隔交错设置。6.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述第一钝化层和所述第二钝化层之间还包括缓冲层，所述缓冲层靠近所述OLED器件的一面包括至少一个加厚区，用于与所述第一钝化层的减薄区贴合。7.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求1-6任一项所述的OLED器件封装结构。8.—种OLED器件封装方法，其特征在于，所述封装方法包括: 提供一衬底基板； 在所述衬底基板上制作一 OLED器件； 在所述OLED器件上覆盖一第一钝化层； 在所述第一钝化层上形成至少一个减薄区，所述减薄区的厚度小于所述第一钝化层的正常厚度。9.根据权利要求8所述的封装方法，其特征在于，在所述第一钝化层上形成至少一个减薄区，所述减薄区的厚度小于所述第一钝化层的正常厚度的步骤之后，还包括: 在所述第一钝化层上形成一缓冲层； 在所述缓冲层上形成一第二钝化层； 在所述第二钝化层上形成至少一个所述减薄区，所述减薄区的厚度小于所述第二钝化层的正常厚度。10.根据权利要求9所述的封装方法，其特征在于，所述第一钝化层的减薄区与所述第二钝化层的减薄区间隔交错设置。
【专利摘要】本发明公开了一种OLED薄膜封装结构及其封装方法、显示装置，该封装结构包括：衬底基板；位于衬底基板上的OLED器件；覆盖OLED器件的第一钝化层；其中，第一钝化层上远离OLED器件的一面包括至少一个减薄区，减薄区的厚度小于第一钝化层的厚度。通过上述方式，本发明能够增强柔性OLED器件封装部分的弯折性能。
【IPC分类】H01L51/56, H01L51/52, H01L27/32
【公开号】CN105118927
【申请号】CN201510377349
【发明人】余威
【申请人】深圳市华星光电技术有限公司
【公开日】2015年12月2日
【申请日】2015年7月1日