围封规贝1J，而分离距离511可满足禁入规则和阻挡遮蔽的最小特征尺寸。因此，辅助金属部份501允许辅助配置500通过SADP制造方法规则。
[0073]图6根据本发明的一示范具体实施例图示利用辅助金属部份601的配置600。图6可图示比图5宽的透视图，其中图示可为Ml层的一部份的附加金属布线603，以及可为M2层的一部份的金属布线605。可增加图示于图5的辅助金属部份501的长度以形成辅助金属部份601，使得辅助金属部份601可连接至金属布线605以及使用于M2层内的绕线及/或减少形成M2层所需的阻挡掩模几何的复杂度，这取决于M2层的布局及连接要求。例如，除了被用来使与VIA 411及413关连的违规合乎规则之外，辅助金属部份601还可用来对VIA 607 绕线。
[0074]图7A根据本发明的一示范具体实施例图示辅助金属绕线的方法流程700。例如，方法700可实作于含有处理器及存储器的晶片组中，如图8所示。在步骤701，判定具有第一内顶点的初始阻挡掩模用以形成IC的金属绕线层。步骤701可包括判定与初始阻挡掩模的第一内顶点关连的绕线违规。如上述，该绕线违规可基于一个或多个以下项目:禁入规贝1J、VIA围封规则、以及阻挡遮蔽的最小特征尺寸。此外，第一内顶点可与形成金属绕线层的第一线端的步骤一致。此外，VIA连接可位在第一线端。另外，步骤701可包括判定金属绕线层的第二线端与第一线端在同一个轨迹内，以及判定第二 VIA连接在第二线端处接至金属绕线层。
[0075]在步骤703，于金属绕线层内添加辅助金属部份。该辅助金属部份的添加基于绕线违规。可添加该辅助金属部份至邻近上述第一线端的金属轨迹。
[0076]在步骤705，判定基于辅助金属部份的修正阻挡掩模用以形成该金属绕线层。该修正阻挡掩模满足基于金属绕线部份的添加的绕线违规。在这种情形下，该修正阻挡掩模可满足该金属绕线层对于第一 VIA连接的绕线违规。该修正阻挡掩模也可满足金属绕线层在第一 VIA连接、第二 VIA连接之间的绕线违规。
[0077]方法流程700也可包括步骤707，其修正金属绕线层以使辅助金属部份连接至金属绕线层的数条走线。如在说明图6时所述，辅助金属部份可整合于金属绕线层的绕线内，例如用以提供绕线资源给其他的VIA连接。
[0078]描述于本文的方法可经由软体、硬体、韧体或彼等的组合而据以实施。示范硬体(例如，计算硬体)示意图示于图8。如图示，电脑系统800包含至少一个处理器801、至少一个存储器803、以及至少一个储存器805。电脑系统800可耦合至显示器807和一或多个输入装置809，例如键盘与指向设备。显示器807可用来提供一或多个⑶I介面。例如，电脑系统800的使用者可用输入装置809与⑶I介面互动。储存器805可储存应用程式811、布局资料(或资讯)813、设计规则815、以及至少一个形状及/或单元资料库(或储存库)817。应用程式811可包括指令(或电脑程式码)，它们在被处理器801执行时造成电脑系统800完成一或多个方法，例如描述于本文的一或多个方法。在示范具体实施例中，应用程式811可包括一或多个可制造性分析及/或良率提升工具。
[0079]本发明的具体实施例可达成数种技术效果，包括合乎规则有效的绕线配置。本发明可应用于与使用于下列产品的各种高度整合半导体设备(特别是，超越10纳米(nm)技术节点)有关的设计及制造:微处理器、智慧型手机、行动电话、手机、机上盒、DVD烧录机及播放机、汽车导航、印表机及周边设备、网络及电信设备、游戏系统及数位照相机。
[0080]在以上说明中，本发明用数个示范具体实施例来描述。不过，显然仍可做出各种修改及改变而不脱离本发明更宽广的精神及范畴，如权利要求书所述。因此，本专利说明书及附图应被视为图解说明用而非限定。应了解，本发明能够使用各种其他组合及具体实施例以及在如本文所述的本发明概念范畴内能够做出任何改变或修改。
【主权项】
1.一种方法，其包含: 判定具有第一内顶点的初始阻挡掩模用以形成集成电路(IC)的金属绕线层； 于该金属绕线层内添加辅助金属部份；以及 判定基于该辅助金属部份的修正阻挡掩模用以形成该金属绕线层。2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括: 判定与该初始阻挡掩模的该第一内顶点关连的绕线违规， 其中，该辅助金属部份的该添加基于该绕线违规。3.根据权利要求2所述的方法，其中，该绕线违规基于一或多个以下项目:禁入规则、垂直互连存取(VIA)围封规则、以及阻挡遮蔽的最小特征尺寸。4.根据权利要求1所述的方法，进一步包括: 判定该金属绕线层的第一线端， 其中，该初始阻挡掩模的该第一内顶点对应至形成该第一线端的步骤。5.根据权利要求4所述的方法，进一步包括: 判定第一垂直互连存取(VIA)连接在该第一线端处接至该金属绕线层， 其中，该修正阻挡掩模满足该金属绕线层对于该第一垂直互连存取(VIA)连接的绕线违规。6.根据权利要求5所述的方法，进一步包括: 判定该金属绕线层的第二线端与该第一线端在同一个轨迹内；以及 判定第二垂直互连存取(VIA)连接在该第二线端处接至该金属绕线层， 其中，该修正阻挡掩模满足该金属绕线层在该第一垂直互连存取(VIA)连接与该第二垂直互连存取(VIA)连接之间的绕线违规。7.根据权利要求4所述的方法，其中，该辅助金属部份添加至邻近该第一线端的金属轨迹。8.根据权利要求1所述的方法，进一步包括: 修正该金属绕线层以使该辅助金属部份连接至该金属绕线层的数条走线。9.一种设备，其包含: 至少一个处理器；以及 至少一个存储器，包含用于一或多个程式的电脑程式码， 该至少一个存储器及该电脑程式码配置成用该至少一个处理器造成该设备至少完成以下项目: 判定具有第一内顶点的初始阻挡掩模以形成集成电路(IC)的金属绕线层； 于该金属绕线层内添加辅助金属部份；以及 判定基于该辅助金属部份的修正阻挡掩模用以形成该金属绕线层。10.根据权利要求9所述的设备，其中，进一步造成该设备: 判定与该初始阻挡掩模的该第一内顶点关连的绕线违规， 其中，该辅助金属部份的该添加基于该绕线违规。11.根据权利要求10所述的方法，其中，该绕线违规基于一个或多个以下项目:禁入规贝1J、垂直互连存取(VIA)围封规则、以及阻挡遮蔽的最小特征尺寸。12.根据权利要求9所述的设备，其中，进一步造成该设备: 判定该金属绕线层的第一线端， 其中，该初始阻挡掩模的该第一内顶点对应至形成该第一线端的步骤。13.根据权利要求12所述的设备，其中，进一步造成该设备: 判定第一垂直互连存取(VIA)连接在该第一线端处接至该金属绕线层， 其中，该修正阻挡掩模满足该金属绕线层对于该第一垂直互连存取(VIA)连接的绕线违规。14.根据权利要求13所述的设备，其中，进一步造成该设备: 判定该金属绕线层的第二线端与该第一线端在同一个轨迹内；以及 判定第二垂直互连存取(VIA)连接在该第二线端处接至该金属绕线层， 其中，该修正阻挡掩模满足该金属绕线层在该第一垂直互连存取(VIA)连接与该第二垂直互连存取(VIA)连接之间的绕线违规。15.根据权利要求13所述的方法，其中，该辅助金属部份添加至邻近该第一线端的金属轨迹。16.根据权利要求9所述的设备，其中，进一步造成该设备: 修正该金属绕线层以使该辅助金属部份连接至该金属绕线层的数条走线。17.—种方法，其包含: 判定集成电路(IC)的金属绕线层的会造成绕线违规的配置； 添加辅助金属部份至该金属绕线层；以及 判定基于该辅助金属部份的阻挡掩模用以形成满足该绕线违规的该金属绕线层。18.根据权利要求17所述的方法，其中，该绕线违规在包含垂直互连存取(VIA)连接的该金属绕线层的线端处与阻挡掩模内顶点关连。19.根据权利要求17所述的方法，其中，该绕线违规基于一个或多个以下项目:禁入规贝1J、垂直互连存取(VIA)环路围封规则、以及阻挡遮蔽的最小特征尺寸。20.根据权利要求17所述的方法，进一步包括:修正该金属绕线层以使该辅助金属部份连接至该金属绕线层的数条走线。
【专利摘要】本发明揭示一种用于辅助金属绕线的方法及设备。具体实施例可包括：判定具有第一内顶点的初始阻挡掩模用以形成集成电路(IC)的金属绕线层；于该金属绕线层内添加辅助金属部份；以及判定基于该辅助金属部份的修正阻挡掩模用以形成该金属绕线层。
【IPC分类】H01L21/768
【公开号】CN105552020
【申请号】CN201510689740
【发明人】袁磊, I·林, 桂宗郁, M·拉希德
【申请人】格罗方德半导体公司
【公开日】2016年5月4日
【申请日】2015年10月22日
【公告号】US20160117432