薄膜晶体管阵列基板和有机发光显示装置的制造方法
【专利说明】薄膜晶体管阵列基板和有机发光显示装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]2014年10月27日递交的名称为“薄膜晶体管阵列基板和包括薄膜晶体管阵列基板的有机发光显示装置”的韩国专利申请N0.10-2014-0146421通过引用被整体合并于此。
技术领域
[0003]本文描述的一个或多个实施例涉及薄膜晶体管阵列基板和包括薄膜晶体管阵列基板的有机发光显示装置。
【背景技术】
[0004]有机发光显示装置使用有机发光二极管(OLED)生成图像。每个OLED包括位于空穴注入电极和电子注入电极之间的有机发射层。当来自空穴注入电极的空穴和来自电子注入电极的电子在有机发射层中复合时，激子被形成。当激子从激发态变化到基态时发射光。
[0005]因此，有机发光显示器是自发光型的显示装置，因此不使用诸如背光的单独光源。有机发光显示装置可以以低电压驱动，相对薄，重量轻，并具有高品质的特性，如宽视角、高对比度和快速响应速度。
【发明内容】
[0006]根据一个或多个实施例，薄膜晶体管(TFT)阵列基板包括:在基板上的驱动TFT ;存储电容器，包括被连接到驱动TFT的驱动栅电极的第一电极和在第一电极上并与第一电极绝缘的第二电极；与驱动栅电极在同一层上的第一导线；覆盖第一电极和第一导线的第一层间绝缘膜；在第一层间绝缘膜上并包括暴露第一层间绝缘膜的一部分的开口的第二层间绝缘膜；以及在第二层间绝缘膜上并至少部分重叠第一导线的第二导线，其中第二电极在第二层间绝缘膜的开口中。
[0007]第二层间绝缘膜的厚度可以大于第一层间绝缘膜的厚度。第二层间绝缘膜的厚度可以比第一层间绝缘膜的厚度大大约2倍至5倍。第二层间绝缘膜的介电常数可以小于第一层间绝缘膜的介电常数。
[0008]第一层间绝缘膜可以包括无机材料，并且第二层间绝缘膜可以包括有机材料。驱动栅电极和第一电极可以在同一层上被一体地形成为一个主体。驱动TFT可以包括在驱动栅电极下方并通过第一栅绝缘膜与所述驱动栅电极绝缘的驱动半导体层，其中驱动半导体层是曲线形的。第二导线可以是向驱动TFT供给电压并从第二电极延伸的驱动电压线。
[0009]根据一个或多个其它实施例，薄膜晶体管(TFT)阵列基板包括:基板上的驱动TFT和开关TFT ;存储电容器，包括被连接到驱动TFT的驱动栅电极的第一电极和在第一电极上并与第一电极绝缘的第二电极；覆盖第一电极和开关TFT的开关栅电极的第一层间绝缘膜；以及在第一层间绝缘膜上并包括暴露第一层间绝缘膜的一部分的开口的第二层间绝缘膜，其中第二电极在第二层间绝缘膜的开口中。
[0010]第二层间绝缘膜的厚度可以大于第一层间绝缘膜的厚度。第一层间绝缘膜可以包括无机材料，并且第二层间绝缘膜可以包括有机材料。驱动TFT和存储电容器可以至少部分地彼此重叠。
[0011]TFT阵列基板可以包括:与驱动栅电极在同一层上的第一导线；在第二层间绝缘膜上并至少部分重叠第一导线的第二导线；在第二层间绝缘膜上并被连接到开关TFT的接触金属；包括被连接到用于驱动驱动TFT和开关TFT的驱动集成电路的至少一个焊盘的焊盘区；以及包括在焊盘区和驱动TFT之间的密封材料的密封区，其中密封区中不包含第二层间绝缘膜。
[0012]根据一个或多个其它实施例，一种有机发光显示装置包括:包括多个像素的显示区域；以及围绕显示区域的非显示区域，其中多个像素中的每一个包括:在基板上的驱动薄膜晶体管(TFT);存储电容器，包括被连接到驱动TFT的驱动栅电极的第一电极和在第一电极上并与第一电极绝缘的第二电极；与驱动栅电极在同一层上的第一导线；覆盖第一电极和第一导线的第一层间绝缘膜；在第一层间绝缘膜上并包括暴露第一层间绝缘膜的一部分的开口的第二层间绝缘膜；以及在第二层间绝缘膜上并至少部分重叠第一导线的第二导线，其中第二电极在第二层间绝缘膜的开口中。
[0013]第二层间绝缘膜的厚度可以大于第一层间绝缘膜的厚度。第一层间绝缘膜可以包括无机材料，并且第二层间绝缘膜可以包括有机材料。显示装置可以包括:面对基板的密封基板；以及粘附基板和密封基板的密封材料，密封材料包围显示区域，其中密封材料直接接触第一层间绝缘膜。
[0014]显示装置可以包括:在显示区域中并包括像素电极、包括有机发射层的中间层以及对电极的有机发光二极管；维持基板和密封基板之间的基本均匀的间隔的间隔件；以及在非显示区域中并包括被连接到用于驱动多个像素的驱动器集成电路的至少一个焊盘的焊盘区。多个像素中的每一个可以进一步包括开关薄膜晶体管，并且第一层间绝缘膜和第二层间绝缘膜被堆叠在开关薄膜晶体管的栅电极上。
【附图说明】
[0015]通过参考附图详细描述示例性实施例，特征对于本领域技术人员来说将变得显而易见，附图中:
[0016]图1示出了有机发光显示装置的一个实施例；
[0017]图2示出了像素的一个实施例；
[0018]图3示出了像素电路的一个实施例；
[0019]图4示出了沿图3中的线A-A’和线B-B’的剖视图；
[0020]图5示出了 TFT阵列基板的一个实施例；
[0021]图6A至图6D示出了用于制造TFT阵列基板的方法的一个实施例的各阶段；
[0022]图7示出了有机发光显示装置的另一实施例；和
[0023]图8示出了有机发光显示装置的横截面。
【具体实施方式】
[0024]下面将参考附图更充分地描述示例性实施例；然而，示例性实施例可以以不同的形式体现，不应当被认为限于本文所提出的实施例。相反，提供这些实施例是为了使得本公开全面且完整，并且向本领域技术人员充分地传达示例性实施方式。
[0025]在图中，为了例示清楚，层和区域的尺寸可能被夸大。还将理解的是，当层或元件被称为在另一层或基板“上”时，它可以直接在另一层或基板上，或者也可以存在中间层。此夕卜，将理解的是，当层被称为在另一层“下”时，它可以直接在下方，或者也可以存在一个或多个中间层。此外，还将理解的是，当层被称为在两个层“之间”时，它可以是两个层之间的唯一层，或者也可以存在一个或多个中间层。贯穿全文，相同的附图标记指代相同的元件。
[0026]图1示出了有机发光显示装置1000的一个实施例，有机发光显示装置1000包括包含多个像素I的显示单元10、扫描驱动器20、数据驱动器30、发射控制驱动器40和控制器50。
[0027]显示单元10包括多个像素1，多个像素I被布置成大致矩阵形状，并且位于多条扫描线SLl至SLn+Ι、多条数据线DLl至DLm以及多条发射控制线ELl至ELn的交叉点。扫描线SLl至SLn+Ι和发射控制线ELl至ELn在第二方向(例如，行方向)上延伸，并且数据线DLl至DLm和驱动电压线ELVDDL在第一方向(例如，列方向)上延伸。在一个像素行中，扫描线SLl至SLn+Ι的η的值和发射控制线ELl至ELn的η的值可以彼此不同。
[0028]每个像素I可以被连接到扫描线SLl至SLn+Ι中的三条扫描线。扫描驱动器20生成并通过扫描线SLl至SLn+Ι传输三个扫描信号到每个像素I。例如，扫描驱动器20将扫描信号顺序供给到第一扫描线SL2至SLn、第二扫描线SLl至SLn-1和第三扫描线SL3至SLn+1 ο
[0029]初始化电压线IL可以从外部电力供给源接收显示单元10的初始化电压VINT。此夕卜，每个像素I被连接到被连接到显示单元10的多条数据线DLl至DLm中的一条数据线和被连接到显示单元10的多条发射控制线ELl至ELn中的一条发射控制线。
[0030]数据驱动器30通过数据线DLl至DLm将数据信号传输到每个像素I。每当扫描信号被供给到第一扫描线SL2至SLn时，数据信号被供给到由扫描信号选择的像素I。
[0031]发射控制驱动器40生成并通过发射控制线ELl至ELn传输发射控制信号到每个像素I。发射控制信号控制每个像素I的发射时间。可选地，例如基于像素I的内部结构，发射控制驱动器40可以被省略。
[0032]控制器50将例如从外部源接收的多个图像信号R、G和B改变成多个图像数据信号DR、DG和DB，并将图像数据信号DR、DG和DB传输到数据驱动器30。控制器50基于垂直同步信号Vsync、水平同步信号Hsync和时钟信号MCLK生成用于控制扫描驱动器20、数据驱动器30和发射控制驱动器40的驱动的控制信号。控制器50将控制信号传输到扫描驱动器20、数据驱动器30和发射控制驱动器40中的每一个。例如，控制器50生成并传输用于控制扫描驱动器20的扫描驱动控制信号SCS、用于控制数据驱动器30的数据驱动控制信号DCS和用于控制发射控制驱动器40的发射驱动控制信号ECS。
[0033]每个像素I例如从外部源接收第一电源电压ELVDD和第二电源电压ELVSS。第一电源电压ELVDD可以是第一预定(例如高电平)电压，并且第二电源电压ELVSS可以是第二预定电压，例如比第一电源电压ELVDD低的电压、接地电压或其它基准电压。第一电源电压ELVDD通过驱动电压线ELVDDL被供给到每个像素I。
[0034]每个像素I发出具有基于被供给到发光器件的驱动电流的亮度的光。驱动电流的量是基于通过数据线DLl至DLm中的对应一条传输的数据信号。
[0035]图2示出了有机发光显示装置1000的像素I的一个实施例。有机发光显示装置1000的像素I包括像素电路2，像素电路2包括多个TFT和至少一个存储电容器Cst。并且，像素I包括基于像素电路2中的驱动电压发光的0LED。
[0036]TFT包括驱动TFT Tl、数据传输TFT T2、补偿TFT T3、第一初始化TFT T4、第一发射控制TFT T5、第二发射控制TFT T6和第二初始化TFT T7。
[0037]像素I包括以下信号线:第一扫描线14，第一扫描信号Sn通过第一扫描线14被传输到数据传输TFT T2和补偿TFT T3;第二扫描线24，第二扫描信号Sn-1通过第二扫描线24被传输到第一初始化TFT T4 ;第三扫描线34，第三扫描信号Sn+Ι通过第三扫描线34被传输到第二初始化TFT T7 ;发射控制线15，发射控制信号En通过发射控制线15被传输到第一发射控制TFT T5和第二发射控制TFT T6 ;数据线16，数据信号Dm通过数据线16被传输；驱动电压线26，第一电源电压ELVDD通过驱动电压线26被传输；以及初始化电压线22，初始化驱动TFT Tl的初始化电压VINT通过初始化电压线22被传输。
[0038]驱动TFT Tl的驱动栅电极Gl被连接到存储电容器Cst的第一电极Cl。驱动TFTTl的驱动源电极SI经由第一发射控制TFT T5被连接到驱动电压线26。驱动TFT Tl的驱动漏电极Dl经由第二发射控制TFT T6被电连接到有机发光二极管OLED的像素电极(阳极)。驱动TFT Tl根据数据传输TFT T2的开关操作接收数据信号Dm，以将驱动电流Id供给到有机发光二极管OLED。
[0039]数据传输TFT T2的数据传输栅电极G2被连接到第一扫描线14。数据传输TFT T2的数据传输源电极S2被连接到数据线16。数据传输TFT T2的数据传输漏电极D2被连接到驱动TFT Tl的驱动源电极SI，并经由第一发射控制TFT T5被连接到驱动电压线26。数据传输TFT T2根据通过第一扫描线14接收的第一扫描信号Sn导通，以执行开关操作。从数据线16接收的数据信号Dm被传输到驱动TFT Tl的驱动源电极SI。
[0040]补偿TFT T3的补偿栅电极G3被连接到第一扫描线14。补偿TFT T3的补偿源电极S3被连接到驱动TFT Tl的驱动漏电极Dl，并经由第二发射控制