，并在150°C的温度下退火15min，此时ITO基片表面形成了油性-水性双注入层的薄膜，即为用于半导体器件的双电荷注入层。
[0017]实施例3
一种用于半导体器件的双电荷注入层的制备方法，该方法的步骤如下:
(1)将ITO玻璃基板进行标准化清洗；
(2)将HAT-CN和F4-TCNQ以质量比为1:6的比例混合溶于丙酮中，待完全溶解后静置1.5h，得到溶液A，其中溶液A中HAT-CN和F4-TCNQ的总浓度为2mg/mL;
(3)将CuPc和MoO3分别溶于水中制成水溶液，在大气环境下分别搅拌1h后，以体积比1:1的比例混合，静置1.5h，得到溶液B，其中CuPc和MoO3水溶液的浓度分别为4mg/mL和Img/mL；
(4)将待涂布的基板放置于紫外臭氧机中臭氧处理20min，然后用步骤(2)中得到的溶液A通过旋转涂布的方法均匀的涂布在基板表面，并在60°C的温度下退火15min，此时基板表面形成一层油性薄膜；
(5 )将步骤(3 )中得到的溶液B通过旋转涂布的方法均匀的涂布在第三步得到的油性薄膜表面，并在150°C的温度下退火15min，此时ITO基片表面形成了油性-水性双注入层的薄膜，即为用于半导体器件的双电荷注入层。
[0018]对比例I
一种用于半导体器件的油性单电荷注入层的制备方法，该方法的步骤如下:
(1)将ITO玻璃基板进行标准化清洗；
(2)将HAT-CN和F4-TCNQ以质量比为1:4的比例混合溶于丙酮中，待完全溶解后静置
1.5h，得到溶液A，其中溶液A中HAT-CN和F4-TCNQ的总浓度为2mg/mL;
(3)将待涂布的基板放置于紫外臭氧机中臭氧处理20min，然后用步骤(2)中得到的溶液A通过旋转涂布的方法均匀的涂布在基板表面，并在60°C的温度下退火15min，此时基板表面形成一层油性薄膜，即得油性单电荷注入层。
[0019]对比例2
一种用于半导体器件的水性单电荷注入层的制备方法，该方法的步骤如下:
(1)将ITO玻璃基板进行标准化清洗；
(2)将CuPc和MoO3分别溶于水中制成水溶液，在大气环境下分别搅拌1h后，以体积比1:1的比例混合，静置1.5h，得到溶液A，其中CuPc和MoO3水溶液的浓度分别为4mg/mL和Img/mL；
(3)将待涂布的基板放置于紫外臭氧机中臭氧处理20min，然后用步骤(2)中得到的溶液A通过旋转涂布的方法均匀的涂布在基板表面，并在60°C的温度下退火15min，此时基板表面形成一层水性薄膜，即得水性单电荷注入层。
[0020]在实施例1、对比例I和对比例2制备得到的电荷注入层上面再依次沉积发光层(TCTA: Firpic)、电子传输层(TmPyPB)和阴极(Liq/Al)制备得到的OLED器件。从图1-4中可知，实施例1中电流效率最大值为16.7 cd/A，功率效率最大值为7.16 lm/W;对比例I中电流效率最大值为7.13 cd/A，功率效率最大值为3.16 lm/W;对比例2中电流效率最大值为5.01cd/A，功率效率最大值为1.72 lm/ff;结合图3、图4可知当油性注入层和水性注入层结合使用时，器件性能会达到最佳效果，而当只使用油性注入层或水性注入层时，器件效率都会有大幅降低。
[0021]由此可得，通过油性-水性双注入层的能级匹配，有利于空穴的传输以及电子的阻挡，能够有效提高器件的效率。
【主权项】
1.一种用于半导体器件的双电荷注入层的制备方法，其特征在于该方法的步骤如下: (1)将HAT-CN和F4-TCNQ以质量比为1:(2-6)的比例混合溶于丙酮中，待完全溶解后静置l-2h，得到溶液A，其中溶液A中HAT-CN和F4-TCNQ的总浓度为2mg/mL; (2)将CuPc和MoO3分别溶于水中制成水溶液，在大气环境下分别搅拌1h后，以体积比1:1的比例混合，静置l_2h，得到溶液B，其中CuPc和MoO3水溶液的浓度分别为4mg/mL和Img/mL； (3)将待涂布的基板放置于紫外臭氧机中臭氧处理20min，然后用步骤(I)中得到的溶液A通过旋转涂布的方法均匀的涂布在基板表面，并在60°C的温度下退火15min，此时基板表面形成一层油性薄膜； (4 )将步骤(2 )中得到的溶液B通过旋转涂布的方法均匀的涂布在第三步得到的油性薄膜表面，并在150°C的温度下退火15min，此时ITO基片表面形成了油性-水性双注入层的薄膜，即为用于半导体器件的双电荷注入层。2.根据权利要求1所述的一种用于半导体器件的双电荷注入层的制备方法，其特征在于:所述步骤(I)中将HAT-CN和F4-TCNQ以质量比为1:4的比例混合溶于丙酮中。3.根据权利要求1所述的一种用于半导体器件的双电荷注入层的制备方法，其特征在于:所述步骤(I)中完全溶解后静置时间为1.5h。4.根据权利要求1所述的一种用于半导体器件的双电荷注入层的制备方法，其特征在于:所述步骤(2)中静置时间为1.5h。5.根据权利要求1所述的一种用于半导体器件的双电荷注入层的制备方法，其特征在于:所述步骤(3)中的基板为单晶硅基板或ITO玻璃基板。
【专利摘要】本发明提供一种用于半导体器件的双电荷注入层的制备方法，该方法的步骤如下：将HAT-CN和F4-TCNQ以质量比为1:(2-6)的比例混合溶于丙酮中，待完全溶解后得到溶液A；将CuPc和MoO3分别溶于水中制成水溶液，在大气环境下分别搅拌，以体积比1:1的比例混合，得到溶液B；将待涂布的基板臭氧处理，然后用溶液A涂布在基板表面，并在60℃的温度下退火15min，此时基板表面形成一层油性薄膜；将溶液B涂布在油性薄膜表面，并在150℃的温度下退火15min，此时ITO基片表面即形成了用于半导体器件的双电荷注入层。本发明的制作工艺简单便捷，设备要求低，在大气条件中即可进行制备操作，成本低廉。
【IPC分类】H01L51/50, H01L51/56, H01L51/52, B05D1/40
【公开号】CN105552242
【申请号】CN201610062055
【发明人】廖良生, 王照奎, 王波
【申请人】苏州大学
【公开日】2016年5月4日
【申请日】2016年1月29日