可交联量子点及其制备方法、阵列基板及其制备方法
【技术领域】
[0001] 本申请设及一种可交联的量子点(QD)及其制备方法、一种利用该可交联的量子点 (QD)制备的阵列基板及该阵列基板的制备方法。
【背景技术】
[0002] 有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)曾被公认为有希望成为取代液晶显示器化CD) 的下一代显示，但是随着消费者的消费水平的提升，高分辨率产品成为显示产品的重点发 展方向，而高分辨率的AMOL邸产品很难同LCD竞争，运是因为通常采用掩模蒸发的方法制备 有机发光显示的有机层结构，但是掩模蒸发方法存在着对位困难，良品率低，无法实现更小 面积发光，无法精确控制蒸发区域的缺陷，从而无法满足目前迅速发展的对高分辨率显示 的需求;而采用印刷和打印的方法取代掩模蒸发法制备的有机发光层的分辨率极其有限。 因而高分辨率的AMOLED产品面临着技术难度高，产品良率低，商品价格高的严重问题。
[0003] 量子点（Quantum Dots,QDs),又称为纳米晶，是一种由II -VI族或III-V族元素 构成的纳米颗粒。量子点的粒径一般介于1~20皿之间，由于电子和空穴被量子限域，连续 的能带结构变成分立的能级结构，受激后可W发射巧光。
[0004] 随着量子点技术的深入发展，电致量子点发光二极管的研究日益深入，量子效率 不断提升，已基本达到产业化的水平，进一步采用新的工艺和技术来实现其产业化已成为 未来的趋势。现有技术中，为了提升OL抓分辨率，需要使OL抓蒸锻掩模板进一步减小Mask工 艺线宽的要求，需要更高精度的打印喷头等，运在规模化生产工艺中往往较难满足。因此， 一直需要一种大规模制备量子点发光二极管的方法，其能够实现高分辨率，提升工艺良率， 提升量子点材料的使用率。
【发明内容】
[0005] 本申请设及一种可交联量子点及其制备方法，进而本申请设及使用该可交联量子 点制备的阵列基板W及通过图案化工艺如光刻工艺制备阵列基板的方法。
[0006] 本发明的实施例提供一种可交联量子点，其中所述可交联量子点的表面具有可发 生反应(例如交联反应，具体地为click反应)从而形成交联网络的基团对Rl和R2,或者所述 可交联量子点的表面具有可由交联剂交联从而形成交联网络的基团R3。
[0007] 在一些实施方式中，所述Rl为选自琉基、締基、二締基中的至少一种；与Rl对应的 R2为选自締基、二締基、烘基、二烘基中的至少一种。
[000引在一些实施方式中，所述R3为选自琉基、締基、二締基中的至少一种，所述交联剂 为选自C4-C2Q二締控(例如1，7-辛二締、异戊二締、1，3-下二締)或C4-C2Q二烘控(例如1，9-辛 二烘)中的至少一种。
[0009] 在一些实施方式中，所述可交联量子点包括红色光量子点，绿色光量子点和蓝色 光量子点中的至少一种。
[0010] 在一些实施方式中，其中所述可交联量子点是对紫外光敏感的。
[0011] 在另外一类实施方式中，其中所述可交联量子点是对单色光敏感的。运里的术语 "对单色光敏感的"是指所述可交联量子点在受到该单色光照射时会发生交联反应，而当收 到其他波长的光线照射时不会发生交联反应。
[0012] 例如，所述可交联量子点是绿色光量子点，其对I线敏感。运种绿色光量子点可W 通过使绿色量子点原料的表面带有W下配体来实现:带簇基的特-下氧基幾基保护的-C-甲 基杯芳控[4 ]和二苯基舰翁9，10-二甲氧基蔥-2-横酸醋。
[0013] 例如，所述可交联量子点是蓝色光量子点，其对G线敏感。运种蓝色光量子点可W 通过使蓝色量子点原料的表面带有W下配体来实现:带簇基的G线型线性酪醒树脂和重氮 糞酿。
[0014] 例如，所述可交联量子点是红色光量子点，其对H线敏感。运种红色光量子点可W 通过使红色量子点原料的表面带有W下配体来实现:带簇基的H线型线性酪醒树脂和重氮 糞酿。
[0015] 本申请的实施例还提供一种制备可交联量子点的方法，包括如下步骤：
[0016] 步骤1:使量子点原料与化晚（作为溶剂)接触从而得到表面上带有化晚（作为配 体)的量子点；
[0017] 步骤2:使所述表面上带有化晚的量子点与交联配体原料接触，从而获得所述可交 联量子点，其中所述交联配体原料包括选自W下的至少一种:带有Rl和R2的配体，带有R3的 配体。
[0018] 本申请的实施例还提供一种阵列基板，包括衬底基板和设于所述衬底基板上的多 个发光亚像素，所述发光亚像素每个包括依次形成于所述基板上的第一电极、量子点发光 层和第二电极，其中所述量子点发光层包括通过使前述可交联量子点交联形成的交联网 络。
[0019] 在一些实施方式中，所述第一电极为阳极，第二电极为阴极，所述发光亚像素每个 还包括设置于所述第一电极和所述量子点发光层之间的空穴注入层和空穴传输层，其中所 述发光亚像素还包括设置于所述第二电极和所述量子点发光层之间的电子注入层和电子 传输层。
[0020] 在一些实施方式中，所述第一电极为阴极，第二电极为阳极，所述发光亚像素每个 还包括设置于所述第二电极和所述量子点发光层之间的空穴注入层和空穴传输层，其中所 述发光亚像素还包括设置于所述第一电极和所述量子点发光层之间的电子注入层和电子 传输层。
[0021] 在一些实施方式中，每个所述发光亚像素的宽度为10至30微米，长度为50-100微 米。所述阵列基板的分辨率可W达到300-8(K)ppi。
[0022] 在一些实施方式中，每个所述发光亚像素的面积为500-3000平方微米。
[0023] 本发明的实施例还提供一种显示面板或显示装置，其包含前述的任一种阵列基 板。
[0024] 本发明的实施例还提供一种制备所述阵列基板的方法，包括：
[0025] 步骤A:在衬底基板上形成含有上述可交联量子点的层，并将其图案化(例如使用 光刻工艺)得到对应于多个发光亚像素的量子点发光层，
[0026] 其中所述量子点发光层包含通过使所述可交联量子点交联形成的交联网络。
[0027] 其中所述可交联量子点是对单色光敏感的或者是对紫外线敏感的。
[0028] 在所述方法的一些实施方式中，所述光刻工艺如下进行:对所述含有所述可交联 量子点的层，采用掩模板(例如与发光亚像素具有相反图案的掩模板)进行曝光(所述曝光 采用的是所述可交联量子点所敏感的光进行的，从而使得所述可交联量子点发生交联反应 从而形成交联网络），然后进行显影，W进行图案化，从而形成所述发光亚像素的图案。
[0029] 在一些实施方式中，每种发光亚像素的图案通过单独涂覆量子点和单独曝光显影 的工艺形成。
[0030] 在一些实施方式中，多种发光亚像素的图案通过一次涂覆多种颜色光量子点，多 次曝光，和一次显影而形成。
[0031] 本发明的技术方案不仅实现了通过光刻法制备孤-LED阵列基板和显示面板或显 示装置，而且获得能够达到300-80化Pi的分辨率的阵列基板。该阵列基板的制备方法，提升 了工艺良率，能够大幅提升量子点材料的使用率，从而为大规模的AM-QD-L邸的产业化铺平 了道路。
【附图说明】
[0032] 为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介 绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅设及本发明的一些实施例，而非对本发明的限制。
[0033] 图1是一种可交联量子点发生交联反应的示意图。
[0034] 图2是一种可交联量子点发生交联反应的示意图。
[0035] 图3-1至3-11是红、绿、蓝=层量子点分别独立光刻制备成亚像素图案的工艺流程 图；
[0036] 图4-1至4-7是红、绿、蓝S层量子点一起涂布分别光刻制备成亚像素图案的工艺 流程图。
[0037] 图5为根据本发明的实施例的阵列基板的平面结构示意图。
[003引附图标记：
[0039] 101-衬底基板;102-第一电极;103-第一量子点层；1031-绿色发光亚像素的图案； 104-第一掩模板;105-第一单色光；107-第二量子点层；1071-蓝色发光亚像素的图案；108-第二单色光；109-第=量子点层；1091-红色发光亚像素的图案；110-第=单色光；112-第二 电极；113-绝缘材料;114-第二掩模板;115-第立掩模板;125-紫外光;203-第四量子点层。
【具体实施方式】
[0040] 为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例 的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发 明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术 人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0041] 需要说明的是，在本申请中，当描述可交联量子点时，所用的术语"对第一单色光 敏感"是指第一单色光能够使该可交联量子点交联。类似地，术语"对第二单色光敏感"是指 第二单色光能够使该可交联量子点交联。类似地，术语"对第=单色光敏感"是指第=单色 光能够使该可交联量子点交联。术语"单色光"在本申请中是指具有极窄波长范围（例如波 长跨度不超过20nm或者不超过IOnm的波长范围）内的波长的光，例如具有单一波长的光。一 般而言，单色光可W在紫外光和可见光的范围内选择。
[0042] 术语"对紫外线敏感"是指该交联量子点的表面基团能够在紫外线的激发下发生 交联反应如C Ii Ck反应。
[0043] 本发明的实施例一方面提供一种可交联量子点，其中所述可交联量子点的表面具 有可发生反应从而形成交联网络的基团对Rl和R2,或者所述可交联量子点的表面具有可由 交联剂交联从而形成交联网络的基团R3。
[0044] 对于具有可发生反应从而形成交联网络的基团对Rl和R2的可交联量子点，图1示 出了运种量子点的交联反应原理示意图。在图1中，式I表示具有可发生反应从而形成交联 网络的基团对Rl和R2的可交联量子点，通过使用光照射化V)，该可交联的量子点之间形成 交联网络IA。
[0045] 对于具有可由交联剂交联从而形成交联网络的基团R3的可交联量子点，图2示出 了运种量子点的交联反应原理示意图。在图2中，式II表示具有可由交联剂交联从而形成交 联网络的基团R3的可交联量子点，R4-R4是交联剂，通过使用光照射化V)，该可交联的量子 点通过与该交联剂反应形成交联网络IIA。
[0046] 在一些实施方式中，所述可交联量子点的量子点材料为选自CdS、CdSe、ZnSe、