?116离子数/每平方厘米。
[0073]作为示例，本实施例还提供一种包含(底栅型)薄膜晶体管101的像素结构，如图5所示，该像素结构与图4所示的像素结构除了具有不同类型的薄膜晶体管之外、其它结构相同，同样也能解决图4所示的像素结构要解决的技术问题、并取得相同的技术效果。
[0074]本实施例还提供包含(底栅型)薄膜晶体管101的像素结构的制备方法。
[0075]该制备方法在实施例2中薄膜晶体管的制备方法的基础上，还包括:
[0076]首先，在基板8上按照实施例2中(底栅型)薄膜晶体管的制备方法形成(底栅型)薄膜晶体管，其中，透明层3制成板状结构、且延伸至覆盖整个像素区；
[0077]然后，在(底栅型)薄膜晶体管的上方依次形成钝化层6、导电层7，导电层7未覆盖信号电极I和扫描电极2所在的区域。
[0078]本制备方法的其它步骤与上述包含(顶栅型)薄膜晶体管100的像素结构的制备方法相同，这里不再赘述。
[0079]本实施例中提供的像素结构，由于采用了实施例1或实施例2中的薄膜晶体管，不仅具有上述薄膜晶体管的优点，而且该像素结构中将透明层对应着导电层的区域掺杂，使掺杂区域具有了现有像素结构中的像素电极的功能，从而使整个像素结构中薄膜晶体管对应的遮光区面积减小，存储电容对应的透光区面积增大，进而增大了像素结构的开口率。
[0080]本实施例中提供的像素结构的制备方法是在实施例1或实施例2中薄膜晶体管的制备方法的基础上进行的，不仅具有实施例1或实施例2中薄膜晶体管的制备方法的优点，而且本制备方法在制备过程中减少了像素电极的制备步骤，使制备方法更加简单。该制备方法获得的像素结构同样具有更大的开口率。
[0081 ] 实施例4:
[0082]本实施例提供一种阵列基板，该阵列基板包括实施例3中任一种像素结构。
[0083]该阵列基板中的多个像素结构以矩阵形式排列，因为该阵列基板采用的像素结构具有较大的开口率、且制备工艺简单，所以，该阵列基板能够具有更高的明亮度和更好的显示效果。
[0084]实施例5:
[0085]本实施例提供一种显示装置，其包括实施例4中的阵列基板。
[0086]显示装置可以为:液晶显示面板、电子纸、OLED面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
[0087]因为该显示装置采用的阵列基板能够具有更高的明亮度和更好的显示效果，所以，该显示装置同样具有更高的明亮度和更好的显示效果，能够给观看者更好的视觉体验。
[0088]可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括信号电极、扫描电极、透明层，所述透明层采用兼具电学传导和光学透明性质的材料形成，所述信号电极、所述扫描电极以及所述透明层彼此之间绝缘设置，所述信号电极与所述扫描电极的正投影面积无重叠，所述信号电极和所述扫描电极均落入所述透明层的正投影面积内，所述信号电极与所述透明层至少局部电性连接。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，包括第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层或所述第二绝缘层设置于所述信号电极与所述透明层之间，所述透明层采用掺杂的多晶硅材料形成。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述透明层对应着所述扫描电极的区域的掺杂量范围为11t3?112离子数/每平方厘米，所述透明层对应着所述信号电极的区域的掺杂量范围为114?116离子数/每平方厘米。4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述信号电极设置于所述扫描电极的上方，所述透明层设置于所述扫描电极的下方，所述第一绝缘层设置于所述扫描电极与所述透明层之间，所述第二绝缘层设置于所述信号电极与所述扫描电极之间，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层对应开设有通孔，所述信号电极穿过所述通孔与所述透明层电性连接。5.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述信号电极设置于所述透明层的上方，所述扫描电极设置于所述透明层的下方，所述第一绝缘层设置于所述信号电极与所述透明层之间，所述第二绝缘层设置于所述透明层与所述扫描电极之间，所述第一绝缘层对应开设有通孔，所述信号电极穿过所述通孔与所述透明层电性连接。6.—种像素结构，设置于像素区内，其特征在于，包括权利要求1-5任一所述的薄膜晶体管以及设置在所述薄膜晶体管上方的钝化层和导电层。7.根据权利要求6所述的像素结构，其特征在于，所述透明层为板状结构、且延伸至覆盖整个所述像素区，所述导电层设置在所述钝化层的上方、且未覆盖所述信号电极和所述扫描电极所在的区域。8.根据权利要求6所述的像素结构，其特征在于，所述透明层对应着所述导电层的区域的掺杂量范围为114?116离子数/每平方厘米。9.一种阵列基板，其特征在于，包括权利要求6-8任一所述的像素结构。10.—种显示装置，其特征在于，包括权利要求9所述的阵列基板。11.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括形成信号电极、扫描电极、透明层的步骤，其中:所述透明层采用兼具电学传导和光学透明性质的材料形成，所述信号电极、所述扫描电极以及所述透明层彼此之间绝缘设置，所述信号电极与所述扫描电极的正投影面积无重叠，所述信号电极和所述扫描电极均落入所述透明层的正投影面积内，所述信号电极与所述透明层至少局部电性连接。12.根据权利要求11所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括:依次形成透明层、第一绝缘层、扫描电极、第二绝缘层、信号电极的步骤，其中，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层对应开设有通孔，所述信号电极穿过所述通孔与所述透明层连接，所述透明层采用掺杂的多晶硅材料形成。13.根据权利要求11所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括:依次形成扫描电极、第二绝缘层、透明层、第一绝缘层、信号电极，其中，所述第一绝缘层对应开设有通孔，所述信号电极穿过所述通孔与所述透明层连接，所述透明层采用掺杂的多晶硅材料形成。14.根据权利要求12或13所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述透明层对应着所述扫描电极的区域的掺杂量范围为11t3?112离子数/每平方厘米，所述透明层对应着所述信号电极的区域的掺杂量范围为114?116离子数/每平方厘米。15.—种像素结构的制备方法，其特征在于，在权利要求11-14任一所述的薄膜晶体管的制备方法的基础上，还包括: 步骤1:在像素区内，所述透明层制成板状结构、且延伸至覆盖整个所述像素区； 步骤2:在所述薄膜晶体管的上方依次形成钝化层、导电层，所述导电层未覆盖所述信号电极和所述扫描电极所在的区域。16.根据权利要求15所述的像素结构的制备方法，其特征在于，所述透明层对应着所述导电层的区域的掺杂量范围为114?116离子数/每平方厘米。
【专利摘要】本发明属于显示技术领域，提供薄膜晶体管及其制备方法、像素结构及其制备方法、阵列基板、显示装置。该薄膜晶体管包括信号电极、扫描电极、透明层，透明层采用兼具电学传导和光学透明性质的材料形成，信号电极、扫描电极以及透明层彼此之间绝缘设置，信号电极与扫描电极的正投影面积无重叠，信号电极和扫描电极均落入透明层的正投影面积内，信号电极与透明层至少局部电性连接。该薄膜晶体管不仅制备工艺简单，而且其水平方向的遮光面积较小、运用于像素结构中能够显著提高像素结构的开口率。可解决现有的薄膜晶体管的制备工艺繁多、且其水平方向的遮光面积较大以及现有的像素结构的开口率低的问题。
【IPC分类】H01L21/77, H01L27/12, H01L29/786, H01L21/336
【公开号】CN105576036
【申请号】CN201610006883
【发明人】张洁, 李付强, 陈小川, 薛海林, 樊君
【申请人】京东方科技集团股份有限公司, 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
【公开日】2016年5月11日
【申请日】2016年1月4日