柔性塑料薄膜的聚合物材料形成。
[0047]第一基底10的显示区域DA可以包括作为驱动薄膜晶体管(TFT)的多个晶体管(Ta和Tb)、电容器(Cst)以及形成在第一基底10上的有机发光装置(OLED)。以下将更详细地描述显示区域DA。
[0048]第二基底20可以对应于第一基底10并且可以由多种材料，例如玻璃材料、金属材料或塑性材料形成。在实现方式中，执行各种功能的功能层可以形成在第二基底20上。例如，功能层可以包括偏光器、触摸屏以及盖窗中的至少一个。
[0049]触摸屏可以具有触摸屏图案直接形成在第二基底20上的结构，例如可以是on-cell 触摸屏面板。偏光器可以帮助减少和 / 或防止外界光从显示区域 DA 反射。盖窗可以保护有机发光显示设备100。
[0050]第一基底10可通过密封构件30结合至第二基底20。密封构件30可以设置在外围区域PA中或设置在外围区域PA上以围绕第一基底10的显示区域DA。密封构件30可以密封显示区域DA，从而保护显示区域DA免受外部影响。在实现方式中，在通过第一基底10、第二基底20以及密封构件30密封的内部空间S中，可以设置吸湿剂和/或填充物。
[0051 ]集成电路(IC)50可以安装在第一基底10的一个边缘，例如没有被第二基底20覆盖或不与第二基底20对齐的边缘上。将IC 50连接至显示区域DA的金属线可以设置在第一基底1和密封构件30之间。
[0052]密封构件30可以由例如通过施加至其上的热能而熔化的材料形成或包括通过施加至其上的热能而熔化的材料。密封构件30可以是或包括例如由光硬化的材料，例如，密封构件30可以包括玻璃熔料。
[0053]为了通过密封构件30将第一基底10结合至第二基底20，通过例如照射紫外(UV)光或激光可以使密封构件30硬化。例如，UV光或激光可以穿透第二基底20并且可以照射至密封构件30上。当金属材料设置在密封构件30之下时，穿透密封构件30的UV光或激光可以从金属材料反射并且可以再次传输至密封构件30，从而提高UV光或激光的照射效率。
[0054]然而，除了密封构件30的材料之外，位于密封构件30和第一基底10之间的材料(金属)可以被光熔化。因此，熔化的材料能沿光的传播方向移动并且可以积聚在光的照射终止的点。所积聚的材料可以弓I起密封构件30部分地分离。
[0055]根据示例性实施方式的有机发光显示设备100可以包括不与密封构件30的宽度(W)重叠的孔(h)，并因此，熔化的材料可以远离密封构件30地分散和/或积聚。因此，可以减少和/或防止部分分离。例如，由于孔的位置，使得熔化的材料通常可以远离密封构件地分散，而不是积聚在光的照射终止的点，并因此，材料可以不以变得不利于密封构件的附接的量积聚或可以不积聚在变得不利于密封构件的附接的位置。例如，孔可以引导熔化的材料远离密封构件(例如，在密封构件的旁边)。
[0056]图3说明了图1的密封构件30和显示区域DA的一部分的剖视图。图4说明了图3的密封构件30和孔的示意性平面图。
[0057]参照图3，缓冲层101可以进一步形成在第一基底10上。缓冲层101可以由例如Si0x、SiNx、Si0N、A10或AlON的无机材料或例如丙烯或聚酰亚胺的有机材料形成，或者无机材料和有机材料可以交替地堆叠。缓冲层101可以帮助防止氧气和湿气的渗入并且防止来自或穿透基底10的杂质或湿气的分散。在实现方式中，缓冲层101可以帮助调节结晶时的传热速度，并因此，半导体可以充分地结晶。
[0058]第一基底10的显示区域DA可以包括像素，而像素包括电路和有机发光装置。为了描述的方便，在图3中仅示出了一个像素。显示区域DA可以包括多个像素。此外，图3示出了包括在像素中的两个TFT和有机发光装置。在实现方式中，除了所示出的元件之外，像素可以进一步包括另外的TFT和电容器。
[0059]像素电路和连接至像素电路的有机发光装置OLED可以形成在缓冲层101上，其中像素电路包括例如第一TFT Ta和第二TFT Tb的多个TFT和电容器(未显示)。第一TFT Ta可以包括有源层102a、第一栅电极104a、源电极106sa以及漏电极106da，并且第二TFT Tb包括有源层102b、第二栅电极104b、源电极106sb以及漏电极106db。在这两个TFT，即第一TFT Ta和第二TFT Tb中，栅电极104a和104b可以形成在不同的层上。
[0060]例如，在第一TFTTa中，可以以特定图案形成的有源层102a可以设置在缓冲层101的上表面上。有源层102a可以包括例如硅的无机半导体材料、有机半导体材料或氧化物半导体材料，并且可以通过向这些材料注入P型或N型掺杂而形成。第一栅绝缘层113可以形成在有源层102a上。第一栅电极104a可以形成在第一栅绝缘层113上，与有源层102a对应。可以形成第二栅绝缘层123和层间绝缘层105以覆盖第一栅电极104a，并且源电极106sa和漏电极106da可以形成在层间绝缘层105上以接触有源层102a的特定区域。
[0061 ]在第二TFT Tb中，可以以特定图案形成的有源层102b可以设置在缓冲层101的上表面上，并且第一栅绝缘层113和第二栅绝缘层123可以形成在有源层102b上。第二栅电极104b可以形成在第二栅绝缘层123上，与有源层102b对应。层间绝缘层105可以形成为覆盖第二栅电极104b，并且源电极106sb和漏电极106db可以形成在层间绝缘层105上以接触有源层102b ο
[0062]这里，层间绝缘层105可以形成为单层或多层，而该单层或多层由例如二氧化硅或氮化硅的无机材料形成。层间绝缘层105的厚度可以大于第一栅绝缘层113的厚度或第二栅绝缘层123的厚度，并且层间绝缘层105的表面可以平面化，从而帮助降低在源电极106sa、106sb和/或漏电极106da、106db与下导电层之间产生寄生电容的可能性，或防止在源电极106sa、106sb和/或漏电极106da、106db与下导电层之间产生寄生电容。
[0063]如上所述，在TFT，例如第一TFT Ta和第二TFT Tb中，在第一栅电极104a和有源层102a之间的栅绝缘层的厚度可以不同于在第二栅电极104b和有源层102b之间的栅绝缘层的厚度。因此，可以获得以下效果。首先，当用作驱动TFT的TFT形成为具有厚的栅绝缘层时，可以拓宽栅电压的驱动范围，以及通过改变施加至驱动TFT的栅电极的栅电压的电平，从有机发光装置发出的光可以被控制为具有足够的灰度。其次，用作开关TFT的TFT可以形成以具有薄的栅绝缘层，并因此，可以以高的速度导通或截止，从而减少可以在栅电极和有源层之间产生的寄生电容。因此，可以实现对于有机发光显示设备来说最优的像素电路结构。
[0064]可以形成钝化层107以覆盖第一TFT Ta的源电极106sa和漏电极106da以及第二TFT Tb的源电极106sb和漏电极106db。为了平面化，可以在钝化层107上进一步形成单独的绝缘层。
[0065]有机发光装置OLED可以形成在钝化层107上。有机发光装置OLED可以包括第一电极111、第二电极112以及中间层114。
[0066]第一电极111可以形成在钝化层107上。第一电极111可以电连接至源电极106sa、漏电极106da、源电极106sb以及漏电极106db中的一个。此外，可以形成像素限定层109以覆盖第一电极111的一部分。可以在像素限定层109中形成开口，然后