1] 步骤203,参见图7,在所述有源层的上方形成栅绝缘层33;该步骤具体包括：
[0092] 采用化学气相沉积方法，在形成了栅极的基板上形成栅极绝缘层。控制沉积溫度 在50(TC W下，在所述有源层的上方沉积透明绝缘材料W形成栅绝缘层，该栅极绝缘层的厚 度一般为100 ~ 600A，也可根据具体工艺需要选择合适的厚度。栅极绝缘层采用单层的氧 化娃、氮化娃，或者二者的叠层。其中，当采用单层氧化娃时，所述栅绝缘层厚度一般为 400~600 A;当采用单层氮化娃时，所述栅绝缘层厚度一般为100~400 A。
[0093] 步骤204,参见图8,在所述栅绝缘层33的上方沉积一层金属薄膜，然后通过构图工 艺形成栅极34。该步骤具体包括：
[0094] 在所述栅绝缘层上形成（如瓣射或涂覆等)一层用于形成栅极的金属薄膜;接着， 在金属薄膜上涂覆一层光刻胶;然后，用设置有包括栅极的图形的掩模板对光刻胶进行曝 光;最后经显影、刻蚀后形成包括栅极的图形。本实施例阵列基板的制备方法中，设及到通 过构图工艺形成的膜层的制备工艺与此相同，此后不再详细寶述。
[00%]步骤205,参见图9,用离子注入的方式，在所述有源层32中形成源漏渗杂区35。
[0096] 本实施例中，离子注入程序中的离子可为下述的一种或多种:B离子、P离子、As离 子、P化离子。具体的，离子注入可采用具有质量分析仪的离子注入、不具有质量分析仪的离 子云式注入、等离子注入或者固态扩散式注入等方法，可根据实际需要进行注入。
[0097] 步骤206,从所述衬底基板背向有源层的一侧采用准分子激光对所述有源层进行 照射，使所述源漏渗杂区的离子活化。
[0098] 步骤207,参见图10,在所述栅极34的上方形成纯化层36, W及贯穿所述栅绝缘层 和纯化层的第一过孔361和第二过孔362。
[0099] 步骤208，参见图11，在所述纯化层36的上方形成源极37和漏极38;所述第一过孔 361和第二过孔362中填充有形成所述源极37和漏极38的导电材料;其中，所述源极通过得 到第一过孔361与所述有源层电连接，所述漏极与所述第二过孔362与所述有源层电连接。
[0100] 在通过构图工艺形成源极和漏极时，可采用湿法刻蚀或者干法刻蚀，源极37和漏 极38可W由金属、金属合金等导电材料构成。
[0101] 步骤209,参见图12,在所述源极37和漏极38的上方形成平坦层39,并在所述平坦 层中形成第=过孔363。
[0102] 步骤210,参见图13,在所述平坦层39的上方形成像素电极310;该步骤具体包括： 使用磁控瓣射法在平坦层39上沉积一层氧化铜锡ITO透明导电薄膜，然后经涂覆光刻胶并 曝光显影后，再进行湿刻、剥离后，形成包括像素电极310的图形，所述第=过孔363中填充 有用于形成所述像素电极的导电材料，所述像素电极310通过所述第=过孔363与漏极电连 接。
[0103] 步骤211，参见图14,在所述像素电极310的上方形成配向膜层311;所述配向膜层 311可采用配向膜印刷版进行转印的方式形成，还可W采用喷墨式印刷方式形成，具体工艺 可参考现有技术。
[0104] 上述步骤中，是在形成栅绝缘层和栅极W后，W栅极为掩膜板进行离子注入的，具 体工艺中还可W先利用激光照射有源层使所述源漏渗杂区的离子活化，提高薄膜晶体管的 特征;然后再在所述有源层的上方依次形成栅绝缘层和栅极，用于构建完整的薄膜晶体管 结构。此外，还可W在对非晶娃进行晶化之前在预定的源漏渗杂区域进行渗杂，然后通过一 次准分子激光照射，实现有源层的非晶娃晶化W及源漏渗杂区的离子活化，从而减少工艺 流程，降低生产成本。
[0105] 基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示基板，所述显示基板采用上 述方法制作。
[0106] 基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置包括如 上所述的显示基板。
[0107] 显然，本领域的技术人员可W对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精 神和范围。运样，倘若本发明的运些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围 之内，则本发明也意图包含运些改动和变型在内。
【主权项】
1. 一种显示基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括： 采用非晶硅材料在衬底基板上形成包括有源层的图形，所述有源层包括至少一个高厚 膜区域，所述高厚膜区域的膜层厚度大于所述有源层其它区域的膜层厚度； 使所述有源层中的非晶硅材料晶化成多晶硅材料。2. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用非晶硅材料在衬底基板上形成包括有源 层的图形，所述有源层包括至少一个高厚膜区域，包括： 在所述衬底基板上形成非晶硅材料层； 利用退火工艺，去除非晶硅材料中的氢； 利用半色调掩膜板，在衬底基板上形成包括有源层的图形，所述有源层包括多个规则 排列的高厚膜区域。3. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，使所述有源层中的非晶硅材料晶化成多晶硅 材料，包括： 利用激光照射所述有源层，使所述有源层中的非晶硅材料晶化成多晶硅材料。4. 如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述利用激光照射所述有源层，使所述有源 层中的非晶硅材料晶化成多晶硅材料，包括： 利用准分子激光照射所述有源层，使所述有源层中的非晶硅材料晶化成多晶硅材料。5. 如权利要求4所述的方法，其特征在于，利用准分子激光照射所述有源层，使所述有 源层中的非晶硅材料晶化成多晶硅材料，包括： 利用准分子激光照射所述有源层，使所述有源层的高厚膜区域的非晶硅材料呈不完全 熔融状态，除所述高厚膜区域以外的其它区域的非晶硅材料呈完全熔融状态，晶化后形成 以所述高厚膜区域的不完全熔融状态的非晶硅材料为晶核的多晶体材料。6. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，在衬底基板上形成包括有源层的图形之前， 所述方法还包括:在所述衬底基板上形成缓冲层，所述缓冲层位于所述衬底基板与所述有 源层之间。7. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括:采用离子注入的方式，在所 述有源层中形成源漏掺杂区。8. 如权利要求7所述的方法，其特征在于，在对所述有源层进行离子注入之前，所述方 法还包括： 在所述有源层的基板上形成栅绝缘层； 在包括所述栅绝缘层的基板上形成包括栅极的图形。9. 如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述方法还包括： 从所述衬底基板背向有源层的一侧采用激光对所述有源层进行照射，使所述源漏掺杂 区的离子活化。10. 如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述方法还包括： 采用激光对所述有源层进行照射，使所述源漏掺杂区的离子活化； 在所述有源层的上方形成栅绝缘层； 在所述栅绝缘层的上方形成栅极。11. 如权利要求9或10所述的方法，其特征在于，所述激光为准分子激光。12. 如权利要求9或10所述的方法，其特征在于，所述方法还包括： 在所述栅极的上方形成钝化层，以及贯穿所述栅绝缘层和钝化层的第一过孔和第二过 孔； 在所述钝化层的上方形成源极和漏极；其中，所述源极通过得到第一过孔与所述有源 层电连接，所述漏极与所述第二过孔与所述有源层电连接； 在所述源极和漏极的上方形成平坦层，以及贯穿所述平坦层的第三过孔； 在所述平坦层的上方形成像素电极，且使得所述像素电极通过所述第三过孔与所述漏 极电连接。13. 如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述方法还包括在所述像素电极的上方形 成配向膜层。14. 一种显示基板，其特征在于，所述显示基板采用如权利要求1~13任一权项所述的 方法制作。15. -种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求14所述的显示基板。
【专利摘要】本发明实施例提供了一种显示基板及其制作方法和显示装置，用以解决现有技术中使用激光晶化时形成的晶粒尺寸受限、产品均匀性差的问题。所述显示基板的制作方法包括：采用非晶硅材料在衬底基板上形成包括有源层的图形，所述有源层包括至少一个高厚膜区域，所述高厚膜区域的膜层厚度大于所述有源层其它区域的膜层厚度；使所述有源层中的非晶硅材料晶化成多晶硅材料。
【IPC分类】H01L21/822, H01L27/04
【公开号】CN105633076
【申请号】CN201610130513
【发明人】陈善韬, 张慧娟, 郭易东
【申请人】京东方科技集团股份有限公司
【公开日】2016年6月1日
【申请日】2016年3月8日