部电极7与连接电极6电连接。另外，外部电极7也可以设置在绝缘基体2的侧面或上表面。
[0028]在绝缘基体2由电绝缘性陶瓷构成的情况下，连接电极6以及外部电极7、和布线导体由钨(W)、钼(Mo)、锰(Mn)、银(Ag)或铜(Cu)等金属导体构成。另外，在绝缘基体2由树脂构成的情况下，连接电极6以及外部电极7由铜(Cu)、金(Au)、铝(Al)、镍(Ni)、铬(Cr) A(Mo)或钛(Ti)以及它们的合金等金属材料构成。
[0029]为了保护连接电极6以及外部电极7来防止氧化，并且使得与摄像元件10、外部电路的电连接良好，在连接电极6以及外部电极7的露出的表面披覆厚度0.5?ΙΟμπι的Ni镀层，或者依次披覆该Ni镀层和厚度0.5?3μπι的金(Au)镀层。
[0030]如图1?图3所示的示例那样，多个光透过抑制层4分别设置在多个绝缘层2a之间，使得平面透视下相互大部分重叠，包围开口部3。多个光透过抑制层4的内缘在平面透视时分别位于开口部3的外侧。多个光透过抑制层4具有I个光透过抑制层4a、和该I个光透过抑制层4a以外其他光透过抑制层4b，I个光透过抑制层4a的内缘在平面透视下比其他光透过抑制层4b的内缘更接近于开口部3。通过如此设置光透过抑制层4，绝缘基体2能在下表面的开口部3的周边形成倾斜部5，该倾斜部5是开口部3的大小随着朝向绝缘基体2的上表面而变小地倾斜。即，在本发明的摄像元件搭载用基板I的制造时，通过在成为各绝缘层2a的生片之间配置光透过抑制层4，使得成为上述构成，从而在将成为多个绝缘层2a的生片层叠并加压时，I个光透过抑制层4a和其他光透过抑制层4b平面透视下不重叠或重叠少的区域相比于其他重叠的区域厚度变得更薄，其结果，开口部3的大小随着朝向绝缘基体2的上表面而变小地开口部3的周边倾斜，从而能在生片层叠体的开口部3的周边形成倾斜部5。
[0031]通过这样的倾斜部5，能在下表面的开口部3的周边确保空间，能用该空间抑制开口部3的周边与摄像元件10接触。另外，由于使多个光透过抑制层4当中的I个光透过抑制层4a的内缘平面透视下比其他光透过抑制层4b的内缘更接近于开口部3，从而设置倾斜部5，因此例如和在开口部3的周边设置缺口的情况比较，能抑制在开口部3的周边绝缘基体2的厚度变得过薄。因而能抑制光透过开口部3的周边的绝缘基体2。另外，能通过设置在绝缘层2a之间的光透过抑制层4进一步良好地抑制光透过。因此，能抑制多余的光入射到摄像元件10，能得到良好的图像。
[0032]另外，多个光透过抑制层4在例如由电绝缘性陶瓷构成的情况下，也可以设置为内缘离开开口部3的外缘0.3?0.5mm左右。若设为这样的构成，则在附加层叠时的压力时，在开口部3的外缘附近的不存在光透过抑制层4的区域，能使绝缘基体2的厚度最薄。
[0033]在绝缘基体2由电绝缘性陶瓷构成的情况下，光透过抑制层4通过由妈(W)、钼(Mo)、锰(Mn)、银(Ag)或铜(Cu)等金属化层构成的光透过抑制金属层、或由氮化铝质烧结体、氮化硅质烧结体或者玻璃陶瓷烧结体等构成的光透过抑制绝缘层形成。
[0034]若是光透过抑制层4由光透过抑制金属层构成的情况，则在绝缘层2a用的生片上用丝网印刷法等以给定形状印刷光透过抑制金属层4用的金属膏。接下来，层叠前述的生片，使得这些金属膏配置在绝缘层2a之间，并进行烧成，由此在多个绝缘层2a之间形成金属所构成的光透过抑制层4。在钨、钼、锰、银或铜等金属粉末加入适当的溶剂以及粘合剂并进行混炼，来调整为适度的粘度，来制作这样的金属膏。另外，光透过抑制金属层所构成的光透过抑制层4也可以与形成于绝缘基体2的内部的布线导体电连接。另外，例如在绝缘基体2由电绝缘性陶瓷构成的情况下，通过用光透过抑制金属层形成光透过抑制层4，能更有效果地降低光透过到绝缘基体2的内部。这是因为，电绝缘性陶瓷有较多包含光的透过率高的玻璃成分等的情况，和这样的绝缘基体2比较，光透过抑制金属层更有效果地使光难以透过。
[0035]光透过抑制绝缘层所构成的光透过抑制层4例如由氧化铝质烧结体、莫来石质烧结体、碳化硅质烧结体、氮化铝质烧结体、氮化硅质烧结体或玻璃陶瓷烧结体等构成，形成和绝缘层2a的生片同样制作的光透过抑制层4用的生片，在该生片冲孔加工比开口部3稍大或同程度的成为开口的孔，配置在开口部3的周边，以包围开口部3，将多个绝缘层2a用生片层叠，使得这些光透过抑制层4用的生片配置在绝缘层2a之间，来加压并进行烧成，由此形成光透过抑制层4。另外，也可以在将与绝缘层2a实质包含同样陶瓷成分的光透过抑制层4用的陶瓷膏印刷在开口部3的周边后进行烧成，由此形成光透过抑制层4。在光透过抑制层4由光透过抑制绝缘层形成的情况下，由于例如即使光透过抑制层4与形成于绝缘基体2的内部的布线导体接触也不发生短路等，因此使摄像元件搭载用基板I易于小型化，并且由于绝缘基体2和光透过抑制层4用同样的材质形成，因此在摄像元件搭载用基板I的制作时或摄像元件10的安装时的加热工序中，绝缘基体2与光透过抑制层4之间的热膨胀之差变小，能降低在开口部3的周边出现变形等的可能性。
[0036]另外，在绝缘基体2由树脂构成的情况下，光透过抑制层4由铜、金、铝、镍、铬、钼、钛以及它们的合金等金属材料、或者环氧树脂、聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、苯酚树脂、聚酯树脂或以四氟乙烯为首的氟系树脂等树脂(塑料)所构成的绝缘层形成。
[0037]由金属材料形成的光透过抑制层4披覆形成在绝缘基体2的表面或内部。光透过抑制层4由金(Au)、铝(Al)、镍(Ni)、铬(Cr)、钼(Mo)或钛(Ti)以及它们的合金等金属材料构成。例如，在由玻璃环氧树脂构成的树脂薄片上转印加工成布线导体的形状的铜箔，将转印了铜箔的树脂薄片层叠并用粘结剂粘结，由此来形成。另外，也可以使金属箔或金属柱与树脂所构成的绝缘基体2—体化，或者用溅射法、蒸镀法等或镀法等披覆在绝缘基体2来形成。另外，由金属材料构成的光透过抑制层4也可以与其他布线导体电导通。
[0038]另外，在光透过抑制层4的材料和绝缘基体2的绝缘材料是同一部件的情况下，例如可以在气孔率设置差异。例如，光透过抑制层4优选使用气孔率小于绝缘基体2的气孔率的材料。这是为了能由光透过抑制层4更有效果地抑制光透过。为了在气孔率设置差异，例如可以改变制造光透过抑制层4、绝缘基体2时的制造方法。如此，在光透过抑制层4的材料和绝缘基体2的绝缘材料是同一部件的情况下，为了判断是光透过抑制层4还是绝缘基体2的绝缘层2a，例如可以根据气孔率进行判断。
[0039]在图2示出设置在本发明的绝缘层2a间的光透过抑制层4的概略。另外，图2是将图1简化的图，仅图示了图1所示的绝缘基体2的上表面侧的4层的绝缘层2a，是从绝缘层间γ的面向上表面侧平面透视的图。图2分别示出设置在绝缘层间α的光透过抑制层41、设置在绝缘层间β的光透过抑制层42、设置在绝缘层间γ的光透过抑制层43。在图2中，用实线表示光透过抑制层43，用虚线表示光透过抑制层42，用单点划线表示光透过抑制层41。另外，图2是用于说明的概略图，不仅设置图2所示的示例那样的覆盖绝缘基体2的大部分的光透过抑制层4，作为实施本发明的形态，还可以通过至少在希望设置倾斜部5的部位不设置光透过抑制层4来形成倾斜部5。
[0040]如图2所示的示例那样，光透过抑制层4设置为用其开