用于显示面板的显示基板的制造方法

文档序号:9872563阅读:239来源:国知局
用于显示面板的显示基板的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术,具体的,涉及一种用于显示面板的显
[0002]示基板的制造方法。
【背景技术】
[0003]有机发光二极管(organic light-emitting d1de,0LED)设备目前被广泛应用。在各种OLED器件中,制造商对于柔性OLED设备表现出极大的兴趣,并生产出了各种柔性OLED设备。
[0004]如图1所示,一个柔性OLED显示器面板通常包括多个膜或层,例如阻挡膜(barrier打1111,8?)、有机层(未示出)、粘合层、薄膜晶体管(1:11;[11-;^1111 transistor,TFT)层、柔性基板和基板。在柔性OLED显示器面板的制造过程中,激光切割通常被用来割除基板上的一个或多个膜的某些部分,露出基板上的某些组件,以便进行测试。二氧化碳激光已被普遍地使用在激光切割过程中,以除去基板上某些膜的某些部分。
[0005]激光切割过程通常包括全切割工艺和半切割工艺,如图1所示。全切割处理是指切断或除去基板上的所有的膜的某些部分,直至玻璃基板被露出。半切割工艺是指只切断一些膜或层,而不是全部的膜或层的某些部分,以露出衬底上的某些膜或层的一些部分。例如,如图1所示,半切割工艺可用于除去阻挡膜的部分,露出TFT层的一部分,以进行测试。半切割工艺不应损害膜下的TFT层。因此,激光能量是可以被调节和控制的,以适应激光切割过程的深度。
[0006]然而,在基板上的膜通常非常薄。即使激光能量比切割过程中所需要的激光能量略高,也可能对要露出的层(例如,TFT层)造成损害。其结果是,使用传统的激光切割技术,工艺窗口可能会比较窄。另外,将激光能量调整到适当的水平可能会耗费大量的时间和切割样品,会比较昂贵。此外,即使激光能量水平被设定在合适的值,能量的一个小波动也可能会导致将要露出的层(例如,TFT层)受到损害。

【发明内容】

[0007]本发明提供用一种用于形成显示基板,例如,柔性OLED结构的方法。所公开的方法可被实施用以制造柔性OLED结构,并且可以防止TFT层在激光切割过程中被损坏。在本实施例公开的内容中,制造过程的可调节工艺窗口得以改善,并且柔性OLED显示面板的制造成本可被降低。
[0008]本发明的目的一方面在于提供一种用于制造显示面板的显示基板的方法,包括:
[0009]提供一个柔性有机发光二极管基底,在所述柔性有机发光二极管基底上具有薄膜晶体管层,以及在所述薄膜晶体管层上具有图案化的粘合层,所述薄膜晶体管层包括至少一个测试区域;
[0010]提供阻挡膜,在所述阻挡膜的一个表面上具有的图案化的激光阻挡层,所述阻挡膜的所述表面正对所述薄膜晶体管层;[0011 ]将所述阻挡膜粘接到所述柔性有机发光二极管基底上,使得所述图案化的激光阻挡层的至少一部分对应于所述至少一个测试区域;和
[0012]用一激光束沿切割线照射所述阻挡膜,以将所述阻挡膜的第一部分从所述阻挡膜的第二部分移除。
[0013]可选的,用一激光束照射以移除所述阻挡膜的过程包括:用所述激光束沿所述切割线移动以熔化沿着所述切割线的所述阻挡膜的一部分;将所述阻挡膜的第一部分从所述阻挡膜的第二部分分离,所述阻挡膜的第一部分与所述测试区域相关联;和将所述阻挡膜的第一部分从所述阻挡膜的第二部分移除,以暴露所述薄膜晶体管层上的所述至少一个测试区域。
[0014]可选的,所述图案化的激光阻挡层的至少一部分形成在所述阻挡膜的第一部分上。
[0015]可选的,所述图案化的粘合层的一部分和所述至少一个测试区域之间形成空隙。
[0016]可选的,所述图案化的激光阻挡层由一种对激光具有反射性的材料制成。
[0017]可选的,所述激光束是二氧化碳激光束,所述图案化的激光阻挡层对所述二氧化碳激光束的波长具有反射性。
[0018]可选的,所述图案化的激光阻挡层是通过沉积工艺或旋涂工艺或接合工艺或以上工艺的组合形成的。
[0019]可选的,所述图案化的粘合层不覆盖所述薄膜晶体管层上的所述至少一个测试区域。
[0020]可选的,所述图案化的激光阻挡层由铜或铝或铜和铝的组合制成。
[0021 ]可选的,所述图案化的激光阻挡层的厚度为8纳米至I微米。
[0022]本技术领域的一般技术人员可以通过说明书,权利要求,以及本发明的附图来理解本发明的其他方面。
【附图说明】
[0023]下列的图示用来说明本发明在此文公开的实施例。这些实施例并不局限本发明的范围。
[0024]图1为一柔性OLED显示面板中的柔性OLED结构的一部分的剖面图;
[0025]图2为本发明实施例中柔性OLED结构的一部分的剖面图;
[0026]图3为本发明实施例中的柔性OLED结构的一部分的另一剖面图;及
[0027]图4为本发明实施例中的柔性OLED结构的一部分的另一剖面图。
【具体实施方式】
[0028]为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案,下面结合附图和【具体实施方式】对本发明提供的一种显示面板和显示装置作进一步详细描述。只要可能,相同的附图标记将贯穿附图来表示相同或相似的部分。
[0029]本发明的一方面提供了一种用于半切割工艺的柔性OLED结构。
[0030]图1示出了一个用于形成柔性OLED显示面板的柔性OLED结构一部分的剖面图。所述柔性OLED结构可以包括一个阻挡膜、一个粘合层、一个TFT层、一个柔性基板和一个刚性基板。所述刚性基板可以是玻璃制成,用于支撑柔性基板,以及在制造和测试的过程中支撑形成在柔性基板上的组件。刚性基板可以在后续制造过程中移除。所述柔性基板在刚性基板上形成,并且可以由聚酰亚胺(PI)制成。在柔性基板上,可以形成TFT层。一有机层(未示出)和相应的电极层(未示出)可以在TFT层上形成,以形成多个用于发光的有机发光二极管。所述TFT层可以包括多个薄膜晶体管,并且至少一些薄膜晶体管与有机发光二极管连接,以控制和驱动所述有机发光二极管。为观看简单起见,所述有机发光二极管和所述电极层在图中未示出。通常图案化的粘合层可以在TFT层的某些部分上形成,用以附合或者粘合阻挡膜。粘合层可以是任何合适的粘合剂,例如粘胶。所述阻挡膜可以是一塑料薄膜或具有高透明度的板。所述阻挡膜可以用于防止显示面板的某些部件,暴露于氧气和湿气中,例如,所述TFT层和有机发光二极管。
[0031]在实践中,TFT层上某些区域被设计用于测试。测试之后,显示面板可被处理进行后续操作。因此,TFT层上用于测试(例如,单元测试)的区域可不被粘合层覆盖。换言之,粘合层可以被图案化,以使得TFT层上被用于单元测试的区域不被粘合层覆盖。当阻挡膜被粘贴在粘合层上,所述阻挡膜和用于单元测试的区域之间可以形成空隙,如图1所示。
[0032]在一个柔性OLED显示面板的制造过程中,位于某些TFT区域之上,用于单元测试的阻挡膜可以在测试过程完成之后被除去。因此,激光切割工艺的半切割工艺可以被用于去除所需位置的阻挡膜部分,以使在阻挡膜的某些部分被去除之后,进行单元测试的TFT区域可被暴露出来。
[0033]图2示出了本公开内容的柔性OLED结构。所述柔性OLED结构可具有至少一个用作单元测试的TFT区域。为了图示简单起见,图2只示出了在图1所示的柔性OLED结构的一部分。
[0034]如图2所示,柔性OLED结构可以进一步包括在阻挡膜背面的一激光阻挡层。所述阻挡膜的背面可以指面对TFT层的表面或与粘合层粘接的表面。所述激光阻挡层可以是在阻挡膜的背面的图案化膜。且仅在阻挡膜背面上对应TFT区域的范围上沉积有所述激光阻挡层。所述激光阻挡层的厚度可为约8纳米至约I微米。激光阻挡层的一部分为图2中的黑线所不O
[0035]如图2中所示,可以在TFT层或有机层上形成一粘合层。所述粘合层可被图案化,以暴露用于单元测试的TFT区域。所述阻挡膜可置于粘合层上以覆盖用于做单元测试的在TFT区域。所述阻挡膜可以是具有高透明度的塑料板或膜。由于阻挡膜是刚性的,故阻挡膜的背面和TFT层的上表面之间可以形成空隙。
[0036]激光阻挡层在阻挡膜的背面被图案化。阻挡膜的背面可以指面对所述TFT层和柔性基板的阻挡膜表面。仅是阻挡膜背面上对应用作单元测试的TFT区域被沉积了所述激光阻挡层,如图2所示。所述激光阻挡层可以由能够在激光切割过程中反射激光的任何合适的材料制成。例如,激光阻挡层可以由金属,如铜和/或铝制成。
[0037]在操作时,二氧化碳激光器可以用在半切割工艺以去除用以做单元测试的TFT层上方的所需的阻挡膜部分。二氧化碳激光的波长可为约9.3微米。激光束可以沿着一个切割线移动以去除所需的阻挡膜部分。由激光束和阻挡膜的所需部分之间的接触而产生的热可熔化沿着切割线的阻挡膜,使得所期望移除的阻挡膜部分可被断开或分离。阻挡膜断开的部分可以通过机械力完全从阻挡膜的剩余部分除去。同时,当二氧化碳激光照射在切割线上,波长可反射回阻挡
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