膜并由于激光阻挡层的高反射率被阻挡膜吸收。因此，沿着切割线的阻挡膜部分可被熔化，并且阻挡膜下的薄膜晶体管被保护而不受激光的损坏。因为激光阻挡层的高反射率，激光束能量的波动不会造成TFT层的任何损坏。
[0038]应当指出的是，半切割工艺中所使用的激光束的也可以具有其它合适的波长。例如，激光束可以是紫外线(ultrav1let, UV)激光。在这种情况下，激光阻挡层的材料可以是能反射UV光的任何合适的材料。激光器的类型和激光阻挡层的材料不应当受到本公开的具体实施例的限制。
[0039]将阻挡膜的一部分被去除后，TFT层单元测试区域可以进行特定的测试，柔性OLED结构可以按照后续的步骤进行处理。
[0040 ]本公开内容的另一方面提供一种用于形成柔性OLED结构的方法。
[0041]首先，在阻挡膜的背面形成图案化的激光阻挡层。
[0042]所述激光阻挡层可以由能够反射用于半切割的激光束的波长的任何合适的材料制成。所述图案化的激光阻挡层可以通过任何合适的方法形成。例如，所述图案化激光阻挡层可以通过选择性外延沉积形成，通过旋涂工艺形成，或者由一个胶合或接合工艺形成。所述图案化的激光阻挡层也可以通过进行一次光刻并随后进行刻蚀，以图案化沉积在阻挡膜背面的薄膜形成。在一些实施例中，激光阻挡层可以是附着到阻挡膜背面的金属带。沉积有反射性材料的区域可以对应于用于单元测试的TFT区域。在一个实施例中，所述反射性材料可为通过旋涂工艺沉积的铜。
[0043]进一步，在TFT层的上表面形成具有图案化粘合层的柔性OLED基板。
[0044]所述柔性OLED基板可以包括一个刚性基板、一个柔性基板、一个TFT层、一个有机层，以及相关的电极层。所述刚性基板可以由玻璃制成。所述柔性基板可以由聚酰亚胺制成，并形成在刚性基板上。所述TFT层、所述有机层和所述相关的电极层可以形成在所述柔性基板上。
[0045]可以在TFT层上形成一图案化的粘合层。所述图案化的粘合层可以通过任何合适的方法形成，如旋涂工艺。该粘合层可以由能够连接或粘合阻挡膜到柔性OLED基板上的任何合适的材料制成，诸如粘胶。所述粘合层也可以是胶带。所述粘合层可被图案化，以暴露用来做单元测试的TFT区域。所述图案化工艺和粘合层的厚度可根据不同的应用或设计来确定，并不应受本公开实施例的限制。在一个实施例中，图案化粘合层可以是粘胶。
[0046]应当指出的是，形成所述图案化激光阻挡层的过程和形成所述图案化粘合层的过程可同时或不同时进行。其中一过程可以在另一过程前实施，或者反之亦然。不需要有特定的顺序。
[0047]进一步，将阻挡膜粘贴在柔性OLED基底上以使激光阻挡层面对用于单元测试的TFT的区域。
[0048]所述阻挡膜可以通过所述粘合层与柔性OLED基底粘合，所述阻挡膜的背面面对所述TFT层。阻挡膜的背面沉积有用作激光阻挡层的反射性材料的区域可对应于用作单元测试的TFT区域，并至少基本覆盖该用作单元测试的TFT区域。用作单元测试的TFT区域的前表面和相应的具有反射材料的阻挡膜的背面可形成空隙。特定的压制工艺可以用于增强阻挡膜和粘合层的粘合。在阻挡膜粘合到柔性OLED基底上之后所形成的柔性OLED结构的剖视图，如图2所示。
[0049]进一步，进行激光切割工艺将阻挡膜的至少一部分从阻挡膜的剩余部分断开或者分离开来，该部分对应于用作单元测试的TFT区域。
[0050]如图3所示，所述激光束，例如一个二氧化碳激光束，可以照射在一切割线上并沿该切割线移动，直到所期望的阻挡膜部分从阻挡膜的剩余部分脱离。所述切割线可以被用来定义要移除的阻挡膜的部分。为了说明的目的，将被移除的阻挡膜的部分在图3中被示为阻挡膜2。被保持在粘合层上的阻挡膜的部分在图3中被示为阻挡膜I。
[0051]切割线的位置可以根据不同的应用或设计而确定或调整，使得至少一部分用作单元测试的TFT区域可被暴露出来。激光束的能量级别和照射时间也可根据不同的应用或设计来确定或调整。在一个实施例中，所用照射在切割线上的二氧化碳激光器具有80至200毫米的切割速率，以及大约2 %到约1 %的激光电流。当照射在切割线上时，所述激光束可以通过激光阻挡层被反射并分散在阻挡膜中。反射的激光束可被阻挡膜吸收，因此不会照射到相应的TFT层，以造成TFT层损坏。所述TFT层因此可在激光切割过程具有较少的损坏或没有损坏。
[0052]进一步，将对应于用作单元测试的TFT区域的阻挡膜的部分从阻挡膜的剩余部分分离，以暴露所对应的用于单元测试的TFT区域。
[0053]如图4所示，阻挡膜2可以从阻挡膜I分离或除去。任何合适的方法，例如机械加工，都可以用于除去阻挡膜2。下面的空隙可被暴露，相应的TFT区域可被用于随后的单元测试。
[0054]通过使用所公开的柔性OLED的结构，可在阻挡膜的背面形成的反射性的图案化的激光阻挡层。该阻挡膜上沉积有反射性材料的部分可以对应于用作单元测试的TFT区域。因此，在半切割工艺中，激光束可由激光阻挡层反射回阻挡膜，使得用作单元测试的TFT区域可以不被激光束损坏。所述TFT区域也不会被任何激光束的能量波动损坏。制造的工艺窗口可以大大改善或加宽，并且制造成本可降低。
[0055]本发明的另一个方面提供了一种显示面板。显示面板可以包括所公开的柔性OLED结构。
[0056]本发明的实施例提供了一种显示装置。所显示装置可包含一个或多个本发明提供的显示面板。此显示装置可用于具有显示功能以及/或者触摸感应功能的产品或部件。例如，所提供的显示装置可以为电视，电子纸、电子相框，手机、平板电脑等。
[0057]可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种用于制造显示面板的显示基板的方法，包括: 提供一个柔性有机发光二极管基底，在所述柔性有机发光二极管基底上具有薄膜晶体管层，以及在所述薄膜晶体管层上具有图案化的粘合层，其特征在于，所述薄膜晶体管层包括至少一个测试区域； 提供阻挡膜，在所述阻挡膜的一个表面上具有的图案化的激光阻挡层，所述阻挡膜的所述表面正对所述薄膜晶体管层； 将所述阻挡膜粘接到所述柔性有机发光二极管基底上，使得所述图案化的激光阻挡层的至少一部分对应于所述至少一个测试区域;和 用一激光束沿切割线照射所述阻挡膜，以将所述阻挡膜的第一部分从所述阻挡膜的第二部分移除。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，用一激光束照射以移除所述阻挡膜的过程包括: 用所述激光束沿所述切割线移动以熔化沿着所述切割线的所述阻挡膜的一部分； 将所述阻挡膜的第一部分从所述阻挡膜的第二部分分离，所述阻挡膜的第一部分与所述测试区域相关联;和 将所述阻挡膜的第一部分从所述阻挡膜的第二部分移除，以暴露所述薄膜晶体管层上的所述至少一个测试区域。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述图案化的激光阻挡层的至少一部分形成在所述阻挡膜的第一部分上。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述图案化的粘合层的一部分和所述至少一个测试区域之间形成空隙。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述图案化的激光阻挡层由一种对激光具有反射性的材料制成。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述激光束是二氧化碳激光束，所述图案化的激光阻挡层对所述二氧化碳激光束的波长具有反射性。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述图案化的激光阻挡层是通过沉积工艺或旋涂工艺或接合工艺或以上工艺的组合形成的。8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述图案化的粘合层不覆盖所述薄膜晶体管层上的所述至少一个测试区域。9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述图案化的激光阻挡层由铜或铝或铜和铝的组合制成。10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述图案化的激光阻挡层的厚度为8纳米至I微米。
【专利摘要】本发明提供一种用于制造显示面板的显示基板的方法，包括：提供一个柔性有机发光二极管基底，在所述柔性有机发光二极管基底上具有薄膜晶体管层，以及在所述薄膜晶体管层上具有图案化的粘合层，所述薄膜晶体管层包括至少一个测试区域；提供阻挡膜，在所述阻挡膜的一个表面上具有的图案化的激光阻挡层，所述阻挡膜的所述表面正对所述薄膜晶体管层；将所述阻挡膜粘接到所述柔性有机发光二极管基底上，使得所述图案化的激光阻挡层的至少一部分对应于所述至少一个测试区域；和用一激光束沿切割线照射所述阻挡膜，以将所述阻挡膜的第一部分从所述阻挡膜的第二部分移除。
【IPC分类】B23K26/14, B23K26/38, H01L21/66, H01L27/12
【公开号】CN105637638
【申请号】CN201580000943
【发明人】刘陆, 谢明哲, 蔡宝鸣
【申请人】京东方科技集团股份有限公司
【公开日】2016年6月1日
【申请日】2015年9月28日