对准的沟槽的蚀刻深度Db比微沟槽的蚀刻深度Da深。
[0073]图11是示出在硅基板中形成图7C所示的L形的用于对准的沟槽时开口的宽度与蚀刻深度之间的关系的曲线图。例如，如果微沟槽140的宽度Sa为近似5 μπι并且用于对准的沟槽的宽度Sb为70 μ m，则微沟槽140的蚀刻深度Da近似100 μ m，且可以使得用于对准的沟槽AM的蚀刻深度Db为近似170 μ m0获得近似70 μ m作为蚀刻深度差(Db-Da)，由此可以将图3C所示的研磨位置C设定在该范围内。
[0074]前述的蚀刻条件和保护膜沉积条件仅为实例，可以适当地根据微沟槽140和用于对准的沟槽AM的形状、尺寸和蚀刻深度来改变条件。例如，通过增加蚀刻步骤和保护膜沉积步骤的重复次数，可以按较高的纵横比来形成微沟槽和用于对准的沟槽。另外，微沟槽140和用于对准的沟槽AM的侧壁可以形成为近似竖直地从基板的正面延伸，或者可以以侧壁沿向前的方向倾斜从而沟槽宽度逐渐缩窄的方式来形成。侧壁的倾斜是通过适当地改变蚀刻条件和保护膜沉积条件来获得的。
[0075]如上所述，根据本示例性实施例，在基板的正面侧形成微沟槽和用于对准的沟槽，并且通过使得基板的背面变薄，在基板的背面侧露出用于对准的沟槽，从而可以使用用于对准的沟槽作为切割部件在基板的背面侧的对准标记(定位标记)，并且将作为切割部件的划片刀定位在对应于正面侧的微沟槽上。另外，根据本示例性实施例，由于不需要设置用于感测基板的正面侧的微沟槽的位置的感测照相机等，所以提高了利用基板的正面侧的空间的自由度。此外，不需要用于从基板的背面侧感测微沟槽的位置的红外照相机或线。
[0076]在上述示例性实施例中，描述了从基板的背面侧利用划片刀来切割基板的实例，但是当切割基板时，可以使用除了划片刀之外的切割部件。例如，切割部件可以是利用激光照射来切割基板的激光器单元，甚至在该情况下，利用用于对准的沟槽作为标记，将激光器的照射位置定位在对应的微沟槽处。作为使用激光照射的切割方法，可以通过激光照射产生的热来熔化并切割基板，可以通过改变基板的内部来分割基板。激光器单元可以包括发射激光的激光器元件和控制激光器元件的激光发射的控制器。
[0077]此外，根据上述的示例性实施例，描述了在同一步骤中形成微沟槽和用于对准的沟槽的实例，但是可以在不同的制造步骤中形成微沟槽和用于对准的沟槽。例如，微沟槽的蚀刻步骤独立于用于对准的沟槽的蚀刻步骤来执行。在独立的步骤中制造的情况下，用于对准的沟槽的宽度Sb不需要大于微沟槽的宽度Sa，并且可以小于微沟槽的宽度Sa。然而，用于对准的沟槽的深度Db比微沟槽的深度Da深是必要的。
[0078]此外，根据上述的示例性实施例，描述了在由硅构成的半导体基板中形成微沟槽和用于对准的沟槽的实例，但是半导体基板可以是由例如GaAs、蓝宝石、SiC等其他材料构成的半导体基板或绝缘基板。另外，描述了在各向异性干蚀法时将硅用作产生由开口的宽度差引起蚀刻速度或蚀刻深度的差异的材料的实例，但是可以使用除硅以外的其他材料。
[0079]此外，在上述示例性实施例中，在图7A至7C中示出了用于对准的沟槽的平面形状，但是这些是实例，用于对准的沟槽的平面形状可以是任意形状，例如多边形形状或圆形形状，只要该形状可以用作用于对准的标记即可。此外，在上述的示例性实施例中，描述了在基板的外边缘的对准区域中形成用于对准的沟槽的实例，但是用于对准的沟槽不一定形成在基板的外边缘中，也可以形成在基板的中央部分内或者元件形成区域内，只要能用作用于定位的标记即可。此外，在上述说明中，用于对准的标记在X方向和Y方向上分别由两个芯片形成，但是用于对准的标记的数量是任意的，可以为四个以上，或者可以小于四个。
[0080]如上所述，详细描述了本发明的优选的示例性实施例，但是本发明不限于具体的示例性实施例，可以在不偏离权利要求书中所描述的本发明的主旨的范围内做出各种修改和改变。
[0081]出于解释和说明的目的提供了本发明的示例性实施例的前面的说明。不意在穷举或将本发明限制为所公开的确切形式。显然，对于本技术领域的技术人员可以进行许多修改和变型。选择和说明本示例性实施例是为了更好地解释本发明的原理及其实际应用，因此使得本技术领域的其他人能够为实现各种实施例理解本发明和各种适合于所构想的特定应用的修改。目的在于通过所附权利要求及其等同内容限定本发明的范围。
[0082]本申请基于2014年12月15日递交的日本专利申请N0.2014-253227并且要求该专利申请的优先权D
【主权项】
1.一种制造半导体芯片的方法，包括: 沿着基板的切割区域在正面侧形成沟槽以及比所述正面侧的所述沟槽深的凹部，并且所述凹部用作用于切割部件的定位标记，所述切割部件沿着所述正面侧的所述沟槽从所述基板的背面执行切割； 在所述基板的所述背面，使所述基板变薄以到达所述凹部而不到达所述正面侧的所述沟槽； 利用在所述基板的所述背面露出的所述凹部作为所述定位标记，从所述基板的所述背面定位所述切割部件；以及 利用被定位的所述切割部件从所述基板的背面侧朝向所述基板的所述正面侧的所述沟槽来执行切割。2.根据权利要求1所述的制造半导体芯片的方法，其中， 所述正面侧的所述沟槽和所述凹部是在同一步骤中通过同一蚀刻工序形成的。3.根据权利要求2所述的制造半导体芯片的方法，其中， 所述正面侧的所述沟槽和所述凹部是在所述同一蚀刻工序中利用蚀刻速度差形成的。4.根据权利要求2所述的制造半导体芯片的方法，其中， 在用于蚀刻的保护膜的开口的宽度中，用于形成所述凹部的开口的宽度比用于形成所述正面侧的所述沟槽的开口的宽度大。5.根据权利要求1所述的制造半导体芯片的方法，其中， 所述正面侧的所述沟槽和所述凹部是通过各向异性蚀刻形成的。6.根据权利要求2所述的制造半导体芯片的方法，其中， 所述正面侧的所述沟槽和所述凹部是通过各向异性蚀刻形成的。7.根据权利要求1所述的制造半导体芯片的方法，其中， 所述正面侧的所述沟槽和所述凹部是通过各向异性干蚀法形成的。8.根据权利要求2所述的制造半导体芯片的方法，其中， 所述正面侧的所述沟槽和所述凹部是通过各向异性干蚀法形成的。9.根据权利要求1所述的制造半导体芯片的方法，其中， 所述切割部件包括划片刀，并且利用所述划片刀朝向所述正面侧的所述沟槽形成比所述正面侧的所述沟槽宽的背面侧的沟槽。10.根据权利要求2所述的制造半导体芯片的方法，其中， 所述切割部件包括划片刀，并且利用所述划片刀朝向所述正面侧的所述沟槽形成比所述正面侧的所述沟槽宽的背面侧的沟槽。11.根据权利要求1所述的制造半导体芯片的方法，其中， 所述切割部件包括激光器单元，并且利用从所述激光器单元发射的激光朝向所述正面侧的所述沟槽形成比所述正面侧的所述沟槽宽的背面侧的沟槽。12.根据权利要求2所述的制造半导体芯片的方法，其中， 所述切割部件包括激光器单元，并且利用从所述激光器单元发射的激光朝向所述正面侧的所述沟槽形成比所述正面侧的所述沟槽宽的背面侧的沟槽。13.根据权利要求1所述的制造半导体芯片的方法，其中， 多个所述凹部形成在所述基板的正面的外边缘区域中，并且 利用从多个所述凹部中选择的凹部来定位所述切割部件。14.根据权利要求1所述的制造半导体芯片的方法，其中， 所述凹部的形状是十字形、T形和L形中的至少一种。15.一种定位切割部件的方法，包括: 在基板的背面上，使所述基板变薄以到达凹部而不到达正面侧的沟槽，所述基板在所述正面侧包括沿着所述基板的切割区域在所述正面侧的所述沟槽和比所述正面侧的所述沟槽深的所述凹部；以及 利用在所述基板的所述背面露出的所述凹部作为定位标记来定位切割部件，所述切割部件从所述基板的所述背面沿着所述基板的所述正面侧的所述沟槽切割出背面侧的沟槽。
【专利摘要】本发明提供一种制造半导体芯片的方法以及定位切割部件的方法，制造半导体芯片的方法包括：沿着基板的切割区域在正面侧形成沟槽以及比正面侧的沟槽深的凹部，并且凹部用作用于切割部件的定位标记，切割部件沿着正面侧的沟槽从基板的背面执行切割；在基板的背面，使基板变薄以到达凹部而不到达正面侧的沟槽；利用在基板的背面露出的凹部作为定位标记，从基板的背面定位切割部件；以及利用被定位的切割部件从基板的背面侧朝向基板的正面侧的沟槽来执行切割。
【IPC分类】H01L21/78
【公开号】CN105702626
【申请号】CN201510756077
【发明人】大野健一, 村田道昭, 大塚勤
【申请人】富士施乐株式会社
【公开日】2016年6月22日
【申请日】2015年11月9日
【公告号】EP3035381A1, US20160172203