导电透明层合体、图案化的导电透明层合体及触控面板的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种应用于触控面板的导电透明层合体，特别是涉及一种包含一接触 于一透明基板且折射率范围为1. 33至1. 52及物理厚度范围为10nm至30nm的光学调整层 的导电透明层合体。
【背景技术】
[0002] 为提高触控面板的品质，目前在触控面板中使用的导电透明层合体包括一透明基 板，及一透明导电层（transparent conductive layer)，及数层设置在透明基板与透明导 电层间的光学调整层，借由调控所述光学调整层的折射率及厚度，调整导电透明层合体的 全光线穿透率以及穿透色，从而提高触控面板的画面亮度及改善触控面板的显示色偏差问 题。除了上述提升方式外，目前各家触控面板业者还研究开发投射电容式触控面板，主要技 术是进一步将导电透明层合体的透明导电层图案化制得一图案化的导电透明层合体。然 而，当光线由外界进入所述投射电容式触控面板，并接触到图案化的导电透明层合体中的 各层时，光线会部分被反射，于反射时，反射的光会分别经过图案化的导电透明层合体的图 案部及非图案部，因由图案部射出的反射光的反射率与由非图案部射出的反射光的反射率 差异大，易造成使用者在观看触控面板时可明显看到透明导电层图案化的痕迹。
[0003] 中国台湾专利公开案TW201133515中公开一种透明导电膜，包含一聚酯薄膜、一 设置于所述聚酯薄膜上的高折射率层、一设置于所述高折射率层上的低折射率层，及一设 置于所述低折射率层上的氧化铟锡层。所述高折射率层在波长为400nm时的折射率范围为 1. 63至1. 86,厚度范围为40nm至90nm。所述低折射率层在波长为400nm时的折射率范围 为1. 33至1. 53,厚度范围为10nm至50nm。
[0004] 所述专利案的透明导电膜的穿透色度的范围虽在0. 6至0. 5,及全光线穿透率 范围在88. 2至91. 4(TT% )。所述专利案的主要目的在于降低透明导电膜的穿透色度的 ，以希望达到透明导电膜不呈现黄色的效果，但在本案发明人依照所述专利案的内容制 备透明导电膜，并将氧化铟锡（IT0)层图案化后进行测试，发现由所述专利案的透明导电 膜的图案部射出的反射光相较于由非图案部射出的反射光，两反射光的反射率的差异仍过 大，因此，针对使用者在观看触控面板时不易看到透明导电层图案化的痕迹的诉求而言，所 述专利案的透明导电膜显然不符合需求。
[0005] 综合上述，目前仍需通过改良导电透明层合体来解决使用者在观看时易看到透明 导电层图案化的痕迹的问题，以提升触控面板的显示品质。
【发明内容】
[0006] 在本文中，（甲基）丙稀酸酯[(metha)acrylate]表示丙稀酸酯（acrylate)及/ 或甲基丙稀酸酯（methacrylate)。
[0007] 本发明的第一目的在于提供一种导电透明层合体。将所述导电透明层合体的透明 导电层图案化后制得一图案化的导电透明层合体并应用至触控面板时，能让使用者在观看 时不易看到透明导电层图案化的痕迹。
[0008] 本发明导电透明层合体，包含：
[0009] 一透明基板；
[0010] -光学调整层，接触于所述透明基板，所述光学调整层于波长400nm下的折射率 范围为1. 33至1. 52,物理厚度范围为10nm至30nm ;
[0011] -透明导电层，接触于所述光学调整层，所述透明导电层的载子浓度范围为 10 X 1021个/cm 3至20 X 10 21个/cm 3,物理厚度范围为10nm至30nm。
[0012] 本发明导电透明层合体，所述透明基板于波长400nm下的折射率范围为1.40至 1. 80〇
[0013] 本发明导电透明层合体，所述透明基板的物理厚度范围为2 ym至300 ym。
[0014] 本发明导电透明层合体，所述导电透明层合体的透明导电层的载子浓度为 15 X 1021 个 /cm 3至 20 X 10 21 个 /cm 3。
[0015] 本发明的第二目的在于提供一种图案化痕迹不明显的图案化的导电透明层合体。
[0016] 本发明图案化的导电透明层合体，包含：一透明基板；一光学调整层，接触于所述 透明基板，所述光学调整层于波长400nm下的折射率范围为1. 33至1. 52,物理厚度范围为 10nm至30nm; -图案化的透明导电层，接触于所述光学调整层，所述图案化的透明导电层 的载子浓度范围为10 X 1021个/cm3至20 X 10 21个/cm3,物理厚度范围为10nm至30nm〇
[0017] 本发明图案化的导电透明层合体，所述透明基板于波长400nm下的折射率范围为 1. 40 至 1. 80。
[0018] 本发明图案化的导电透明层合体，所述透明基板的物理厚度范围为2 ym至 300 u m〇
[0019] 本发明图案化的导电透明层合体，所述图案化的导电透明层合体的图案化的透明 导电层的载子浓度为15 X 1021个/cm3至20 X 10 21个/cm3。
[0020] 本发明的第三目的在于提供一种触控面板。
[0021] 本发明触控面板包含一上述的导电透明层合体或上述的图案化的导电透明层合 体。
[0022] 本发明的有益效果在于：所述导电透明层合体借由在接触于所述透明基板且于波 长400nm下折射率范围为1. 33至1. 52及物理厚度范围为10nm至30nm的光学调整层，以 及配合接触于所述光学调整层且载子浓度范围为10 X 1021个/cm3至20 X 10 21个/cm 3的透 明导电层，而在后续制得的图案化的导电透明层合体中，使得其图案部所射出的反射光的 反射率与其非图案部所射出的反射光的反射率之间具有较小差异，且使用者观看时透明导 电层图案化的痕迹不明显，继而提升触控面板的显示品质。
【附图说明】
[0023] 本发明之其他的特征及功效，将于参照图式的实施方式中清楚地呈现，其中：
[0024] 图1是一示意图，说明本发明导电透明层合体的结构；
[0025] 图2是一示意图，说明本发明导电透明层合体的结构；
[0026] 图3是一示意图，说明本发明图案化的导电透明层合体的结构；及
[0027] 图4是一示意图，说明如何量测所述图案化的导电透明层合体的图案部及非图案 部的反射率。
【具体实施方式】
[0028] 本发明导电透明层合体的制备方法包含以下步骤：提供一透明基板，于所述透明 基板上形成一于波长400nm下的折射率范围为1. 33至1. 52的光学调整层，获得一第一层 合体。再于所述光学调整层上形成一金属氧化物层，获得一第二层合体。接着将所述第二 层合体的金属氧化物层进行结晶退火处理，得到一透明导电层（载子浓度范围为10X10 21 个/cm3至20 X 10 21个/cm 3)，即制得本发明导电透明层合体。
[0029] 于所述透明基板上形成所述光学调整层的方式于此并无特别限制，采用现有的方 式即可，例如可采用干式涂布法、湿式涂布法等方式。从生产效率及制造成本方面而言，以 湿式涂布法为佳。其中，湿式涂布法的【具体实施方式】为：辊涂法、旋涂法、浸涂法等，且辊涂 法因能连续地形成所述光学调整层而较佳。
[0030] 所述金属氧化物层的材质是选自于氧化铟、氧化锡、氧化钛、氧化铝、氧化锌、氧化 镓或上述的一组合。于所述光学调整层上形成所述金属氧化物层的方法并无特别限制，采 用现有的方式即可，例如蒸镀法、溅镀法、离子镀敷法、化学气相沉积法（CVD)或电镀法等。 上述方法中，从控制透明导电层的厚度而言，以蒸镀法及溅镀法为较佳。
[0031 ] 所述金属氧化物层经结晶退火处理后即形成所述透明导电层。所述结晶退火处理 的温度范围为100至200°C，处理时间范围为0. 5小时至2小时。
[0032] 本发明图案化的导电透明层合体的制备方法包含以下步骤：提供一上述的导电 透明层合体，并将所述导电透明层合体中的透明导电层图案化以形成一图案化的透明导电 层，所述图案化的透明导电层的部分被移除，从而形成图案化的导电透明层合体的图案部 以及非图案部。所述透明导电层图案化的方式并无特别限制，采用现有的方式即可，例如可 采用激光蚀刻、电浆蚀刻、微影蚀刻或网版印刷蚀刻等。
[0033] 于本文中，图案化的导电透明层合体的图案部指的是所述光学调整层上具有透明 导电层的区域，而非图案部指的是所述光学调整层上不具有所述透明导电层的区域。
[0034] 于本文中，所述图案化的导电透明层合体的图案部的反射率指的是光线由所述图 案化的导电透明层合体的图案部进入，而于接触到图案化的导电透明层合体中各层时，光 线会被部分反射，反射后由图案部射出的光线加成所得的反射率。所述图案化的导电透明 层合体的非图案部的反射率指的是光线由所述图案化的导电透明层合体的非图案部进入， 而于接触到图案化的导电透明层合体中各层时，光线会被部分反射，反射后由非图案部射 出的光线加成所得的反射率。
[0035] 以下将就透明基板、光学调整层及透明导电层分别进行详细说明：
[0036] [透明基板]
[0037] 较佳地，所述透明基板于波长400nm下的折射率范围为1. 40至1. 80。
[0038] 所述透明基板的材质于此并无特别限制，例如但不限于：（1).聚酯类 (polyester):聚对苯二甲酸乙二酯（polyethylene t