晶圆承载装置的制造方法
【专利摘要】本发明揭露一种晶圆承载装置用以承载多个晶圆以进行一半导体制程。此晶圆承载装置包括一有源传动模块、多个从动转盘模块、及一环状齿轮元件。任一从动转盘模块包含一转盘元件及一齿轮环，且齿轮环或有源传动模块具有一第一环形凹槽用以容置多个滚珠。环状齿轮元件用以与部分齿轮环啮合，借由驱动有源传动模块使位于转盘元件上的晶圆相对于有源传动模块的中心轴公转并且相对于转盘元件的中心轴自转。借由本装置可使晶圆镀膜厚度更佳均匀以提高半导体制程的良率。
【专利说明】
晶圆承载装置
【技术领域】
[0001]本发明是有关于一种半导体制程设备，特别是关于一种晶圆承载装置及其反应腔室。
【【背景技术】】
[0002]在半导体制程中，气相生长设备是使用各种不同来源气体形成薄膜。其中化学气相沉积(Chemical Vapor Deposit 1n，CVD)是一种用来产生纯度高、性能好的固态材料的化学技术。典型的CVD制程是将晶圆暴露在一种或多种不同的前驱物下，在晶圆表面发生化学反应或/及化学分解来产生欲沉积的薄膜。
[0003]金属有机化学气相沉积(MetalOrganic Chemical Vapor Deposit1n，M0CVD)，为化学气相沉积的一种，其于成长薄膜时，为将载流气体(Carrier Gas)通过金属有机反应源的容器，将反应源的饱和蒸气输送至反应腔中与其它反应气体混合，并借由加热装置控制待成长晶圆的加热温度，然后在待成长晶圆上面发生化学反应促成薄膜的成长。一般来说，MOCVD装置包含腔室、配置于腔室内的承载基座以及用以使反应气体流动至基板表面的管路。于MOCVD装置中，是将晶圆载置于承载基座上，将晶圆加热至适当的温度，并经由管路将有机金属的气体导入至晶圆表面，借此进行成膜制程。此处，为了使所形成的膜的厚度均匀，要求反应气体于MOCVD装置中沿着晶圆表面均匀地流动。以水平流式MOCVD装置为例，当承载基座转动时，设置于其上的晶圆也跟着向承载基座的中心轴转动，为当载流气体以特定水平流向外延时，存在特定的消耗现象(deplet1n)，亦即，靠近承载基座内圈部分的晶圆其镀膜厚度成长率较高;而靠近承载基座外圈的晶圆，其镀膜厚度成长率较低，因此，以承载基座全盘面晶圆镀膜厚度来说，镀膜厚度将从内圈部分向外圈部分呈梯度降低的现象，即为消耗现象。此一镀膜厚度梯度现象非为业界所能接受。一种现有装置，包含一旋转装置，旋转装置设有一有源轮，一环体于内环壁设有内环齿，以及至少一齿轮为设置于环体之内环壁，齿轮啮合于有源轮与内环齿之间，承载盘固定于各齿轮上，其盘的周缘设有缺口以方便夹持晶圆片。利用马达操纵有源轮转动后，其环体设置为固定件，而盛放晶圆片的承载盘将因各齿轮与内环齿啮合的效应，达到齿轮相对于有源轮圆中心可为一公转运行作用，同时各承载盘本身能因齿轮齿合于有源轮与内环齿间，作用下而成为公转运行时同步为自转功效。然而，此结构限制了其它元件的配置空间。因此如何开发出具有优良制程良率的设备，一直以来都为业界所思考的问题。
【
【发明内容】
】
[0004]本发明目的的一是提供一种晶圆承载装置，借由有源传动模块的驱动，使得设置于转盘元件上的晶圆可同时对着有源传动模块的中心轴公转并且分别朝转盘元件的中心轴自转，使晶圆镀膜厚度更佳均匀以提高半导体制程的良率。
[0005]本发明提供一种晶圆承载装置，用以承载多个晶圆以进行一半导体制程，该晶圆承载装置包括:一有源传动模块、多个从动转盘模块及一环状齿轮元件。有源传动模块包含一板状主体。多个从动转盘模块设置于板状主体上，任一从动转盘模块包含一转盘元件及一齿轮环绕设于转盘元件的一侧壁，其中，任一转盘元件用以承载晶圆，且齿轮环与板状主体其中之一具有一第一环形凹槽用以容置多个滚珠。环状齿轮元件设置于板状主体外侧，用以与齿轮环啮合。借由驱动有源传动模块，进而带动位于转盘元件上的晶圆相对于有源传动模块的中心轴公转并且相对于转盘元件的中心轴自转。
[0006]本以下借由具体实施例配合所附的图式详加说明，当更容易了解本发明的目的、技术内容、特点及其所达成的功效。
【【附图说明】】
[0007]图1A为本发明一实施例的晶圆承载装置的结构示意图。
图1B、1C、ID为依据图1A不同实施例的局部放大示意图。
图1E、IF为依据图1A不同实施例的滚珠配置局部放大示意图。
图1G、1H为本发明又一实施例的滚珠配置局部放大示意图。
图2A为图1A的结构局部爆炸图。
图2B为本发明一实施例的晶圆承载装置的结构局部示意图。
图3A为本发明一实施例的有源传动模块的爆炸剖视图。
图3B、图3E、图3F为图3A组立后不同实施例的局部放大图。
图3C为本发明又一实施例的有源传动模块的爆炸剖视图。
图3D为图3C组立后的局部放大图。
图4A为本发明又一实施例的晶圆承载装置的结构局部爆炸图。
图4B为本发明又一实施例的晶圆承载装置的结构局部放大图。
图5A与图5B为本发明不同实施例的反应腔室的示意图。
【符号说明】
[0008]
I晶圆承载装置 10有源传动模块
101板状主体
1011中心通孔
1012凹槽 1012’通孔 1012a第一开口 1012b第二开口 1012c断差部
1013下表面
102中心转盘元件
1021嵌合机构
1022斜面
II从动转盘模块
III转盘元件 1111侧壁 Illla突出部 Illlb孔
1112顶面
1113底面
1114柱体
112齿轮环 1121断差
12环状齿轮元件
13滚珠 131,132环形凹槽
14中心转轴模块
15转子模块
16齿轮环盖板 161上表面
17有源传动模块盖板
171镂空部
172上表面
2反应腔室
20腔体
21a,21b气体供应装置
22加热装置
d宽度
D直径
G1Gi1G2间隙
W晶圆
Xi1X2中心轴
【【具体实施方式】】
[0009]本发明主要提供一种晶圆承载装置，其是包括一有源传动模块、多个从动转盘模块及一环状齿轮元件，其中，多个从动转盘模块又包含多个转盘元件及多个齿轮环，并借由上述装置使晶圆进行半导体制程时同时进行公转及自转，以使晶圆镀膜厚度更佳均匀。以下将详述本案的各实施例，并配合图式作为例示。除了该多个详细描述之外，本发明还可以广泛地施行在其他的实施例中，任何所述实施例的轻易替代、修改、等效变化都包含在本案的范围内，并以之后的专利范围为准。在说明书的描述中，为了使读者对本发明有较完整的了解，提供了许多特定细节;然而，本发明可能在省略部分或全部该多个特定细节的前提下，仍可实施。此外，众所周知的步骤或元件并未描述于细节中，以避免造成本发明不必要的限制。图式中相同或类似的元件将以相同或类似符号来表示。特别注意的是，图式仅为示意的用，并非代表元件实际的尺寸或数量，不相关的细节未完全绘出，以求图式的简洁。
[0010]首先，请参考图1A，图1A为本发明一实施例的晶圆承载装置的结构示意图。如图所示，一晶圆承载装置I，其是用以承载多个晶圆W以于一反应腔室(图中未示)中进行一半导体制程，于一实施例中半导体制程可为MOCVD制程，但不以此为限。此实施例的晶圆承载装置I主要包含一有源传动模块10、多个从动转盘模块11及一环状齿轮元件12。其中有源传动模块10包含一板状主体101。多个从动转盘模块11是设置于板状主体101上，任一从动转盘模块11包含一转盘元件111及一齿轮环112绕设于转盘元件111的一侧壁1111，其中，转盘元件111用以承载晶圆W，且齿轮环112与板状主体101其中之一具有一第一环形凹槽用以容置多个滚珠13。而环状齿轮元件12设置于板状主体101外侧，用以与部分齿轮环112啮合。借由驱动有源传动模块10，进而带动位于转盘元件111上的晶圆W相对于有源传动模块10的中心轴X1公转并且相对于转盘元件111的中心轴X2自转。其详细结构分别描述于下。
[0011]接续上述，于一实施例中，说明第一环形凹槽的位置，如图1B的实施例所示，第一环形凹槽131是设置于板状主体101上，并位于板状主体101与齿轮环112之间，用以限制滚珠13的位置。于又一实施例中，如图1C所示，第一环型凹槽131亦可设置于齿轮环112的下表面。亦或者，在板状主体101与齿轮环112的下表面皆设有环形凹槽，如图1D的标号131及132所示，且上下凹槽位置相对，且可以理解的是，环形凹槽除可为一凹槽承座设置于板状主体101与齿轮环112的下表面;其亦可为与板状主体101或者与齿轮环112的下表面一体成形的槽沟。利用上下限位的方式以限制多个滚珠13的移动范围，使滚珠13可平均地在上述凹槽结构中滚动，以减少滚珠13的平均磨耗。于上述实施例的图式中，皆可看出，环形凹槽131、132的宽度皆大于滚珠13的直径，使得滚珠13可以在环形凹槽131、132内自由滚动(亦参考示意图图1E)。可以理解的是，因滚珠13为随意摆设，故于又一实施例中，滚珠13亦可如图1F所示，紧密排列于环形凹槽131(132)之内。且不论是图1E或者图1F的实施例，环形凹槽的宽度d可大于滚珠13的直径D，其中，滚珠13的材质包含但不限于陶瓷。然而，于再一实施例中，如图1G及图1F所示，环形凹槽的宽度d亦可等于滚珠13的直径D。
[0012]接续，请参考图2A，图2A为本发明一实施例的晶圆承载装置的结构的局部爆炸图。如图所示，有源传动模块10主要为一板状主体101，且板状主体101包含多个凹槽1012用以容置从动转盘模块11，且齿轮环112的一部分齿部是穿出板状主体101的侧边与环状齿轮元件12啮合。于一实施例中，有源传动模块10由一中心转轴模块14驱动，中心转轴模块14与板状主体1I连接，用以带动位于转盘元件111上的晶圆W可同时对着有源传动模块1的中心轴Xi公转。于此实施例中，板状主体101包含一中心通孔1011贯穿其中，其中，一中心转盘元件102设置于中心通孔1011内，并与板状主体101嵌合。于一实施例中，中心通孔1011是贯穿板状主体1I的中心，而凹槽1012则围绕中心通孔1011设置，较佳者，中心通孔1011的中心至上述凹槽1012的中心的距离是为等距。组装后的局部放大示意图如图2B所示，中心转盘元件102是容置于中心通孔1011内并与中心通孔1011嵌合，于一实施例中，中心转盘元件102的上部具有嵌合机构1021以利与板状主体101嵌合。
[0013]承上，板状主体101的其余详细结构绘示于图3A及图3B，于此实施例中，如图3A所示，每一凹槽1012的内表面形成有开口渐缩的断差，其中，凹槽1012的内表面包括:一第一开口 1012a位于凹槽1012的底部;一第二开口 1012b位于第一开口 1012a的上方，且第二开口1012b的直径大于第一开口 1012a的直径;及一断差部1012c形成于第一开口 1012a与第二开口 1012b之间。转盘元件111设置于凹槽1012后，如图3B所示，凹槽1012与转盘元件111之间具有一间隙G。于又一实施例中，凹槽1012是贯穿板状主体101以形成多个通孔1012’，如图3C所示，其余结构可如同上述实施例，此即不再赘述。而第一环形凹槽131、132(绘示于图3B、图3E及图3F)则形成于齿轮环112的下表面与断差部1012c之间。
[0014]承上，而从动转盘模块11包含转盘元件111及设置于其侧边的齿轮环112，转盘元件111组装后是容置于凹槽1012内，于一实施例中，请继续搭配参考图3A、图3B，图3A为本发明一实施例的从动转盘模块11的爆炸剖视图；而图3B为图3A组立后的局部放大图，如图3A所示，转盘元件111为一具有厚度的柱体用以承载晶圆W，其包括一顶面1112、一底面1113及环绕顶面1112与底面1113的侧壁1111，其中，底面1113与顶面1112是相对设置的，转盘元件111是容置于凹槽1012中且其底面1113与板状主体101之间具有间隙G(如图3B所示)，于又一实施例中，若凹槽为通孔1012’，则转盘元件111的底面1113与板状主体101的下表面1013齐平(如图3D所示)，以利下方加热器加热使温度容易控制。可以理解的是，未贯通板状主体101的凹槽1012可防止制程中具腐蚀性的气体流动至板状主体101，以降低板状主体101下方的元件的损耗。如图3A及图3B所示，齿轮环112为中空状，并固定于转盘元件111接近顶面1112的侧壁1111以做为帮助转盘元件111转动的技术手段，且组立后齿轮环112与板状主体101之间具有一间隙61。于一实施例中，齿轮环112是以机构方式固定于转盘元件111上，但不以此为限，齿轮环112亦可与转盘元件111为单一零件所构成者。接续参考图3B，于此实施例中，转盘元件111具有一突出部Illla自其侧壁1111向外突出且突出部Illla下方具有多个孔1111b，而齿轮环112的内径相对应于所述孔Illlb的位置具有断差1121，则利用多个柱体1114设置于孔Illlb内与断差1121处，使齿轮环112固定于转盘元件111上，从而当齿轮环112受驱动时转盘元件111可同时旋转。
[0015]再者，请再次参考图2A及图2B，中心转轴模块14是以适当方式固定于中心转盘元件102上并位于中心通孔1011内，使得中心转轴模块14可与中心转盘元件102、有源传动模块10的板状主体101同时连动，于一实施例中，中心转盘元件102的下部具有一斜面1022，因此中心转盘元件102透过斜面1022与中心转轴模块14进行对心。本发明一实施例可借由中心转轴模块14驱动有源传动模块10，使设置于转盘元件111上的晶圆W可同时对着有源传动模块10公转并且分别朝转盘元件111的中心轴自转。
[0016]接续上述说明，于一实施例中，指定由中心转轴模块14驱动有源传动模块10而环状齿轮元件12为固定不转动，则当中心转轴模块14驱动中心转盘元件102转动时，从动转盘模块11受中心转盘元件102驱使而进行公转，从而从动转盘模块11的齿轮环112可借由与固定的环状齿轮元件12卩齧合传动而自转。于又一实施例中，晶圆承载装置更包含一转子模块15，设置于环状齿轮元件12下方，用以驱动环状齿轮元件12，其中，转子模块15与有源传动模块10的驱动速度可不同，使从动转盘模块11的公转与自转的速度不同。简言之，公转速度以及自转速度皆可依需求分别进行控制。此晶圆承载装置I可于半导体制程时，使晶圆W同时公转与自转，以有效抵销消耗现象，进而制程时温度的均匀性及镀膜层厚度的均匀性皆可以有效提升。
[0017]于又一实施例中，请参考图4A及4B，晶圆承载装置I更包括多个齿轮环盖板16用以覆盖于多个齿轮环112上方，其中，每一齿轮环盖板16是靠设于有源传动模块10的上表面并与位于下方的齿轮环112之间具有间隙G2,其中，齿轮环盖板16的设置可保护齿轮环112减缓制程气体腐蚀的速率，以提高齿轮环112的寿命，于一实施例中，覆盖后的齿轮环盖板16的上表面161是与转盘元件111的顶面1112齐平。此外，晶圆承载装置I更包括一有源传动模块盖板17用以覆盖有源传动模块10，其中，有源传动模块盖板17具有多个镂空部171用以曝露出中心转盘元件102、多个转盘元件111与多个齿轮环盖板16;且覆盖后有源传动模块盖板17的上表面172与板状主体101的上表面、齿轮环盖板16的上表面161齐平。同理，有源传动模块盖板17的设置可减缓制程气体对于板状主体101的腐蚀速率，以增加板状主体101的使用寿命。更者，为防止制程气体，例如热氨气，对于上述盖板的腐蚀，于一实施例中，更包括一保护层镀膜设置于有源传动模块盖板16、齿轮环盖板17中的至少其中之一上。
[0018]上述晶圆承载装置可使用于进行一半导体制程程序时，本发明不同实施例的反应腔室分别请参考图5A及图5B。一种反应腔室2用以对多个晶圆W进行一金属有机化学气相沉积(MOCVD)反应程序，此反应腔室2可包含上述任一实施例的晶圆承载装置I，其中，此反应腔室2包含:一腔体20，晶圆承载装置I设置于腔体2内。一气体供应装置21a(如图5A)或21b(如图5B)设置于晶圆承载装置I上方，用以提供晶圆承载装置I反应气体，其中，气体供应装置为一水平喷射式(如图5A)与一垂直喷淋式(如图5B)的其中一种。一加热装置22设置于有源传动模块10下方用以加热晶圆W。利用本发明的晶圆承载装置I可于半导体制程时，使晶圆W同时公转与自转，以有效抵销消耗现象，进而制程时温度的均匀性及镀膜层厚度的均匀性皆可以有效提升。
[0019]综合上述，本发明借由有源传动模块的驱动，使得设置于转盘元件上的晶圆可同时对着有源传动模块的中心轴公转并且分别朝转盘元件的中心轴自转，使晶圆镀膜厚度更佳均匀以提高半导体制程的良率。再者，用以承载晶圆的转盘元件与有源传动模块的板状主体之间具有一间隙，可置入滚珠以减少晶圆自转时的磨擦现象。更者，利用凹槽结构限制滚珠的移动范围，并使凹槽的开口大于滚珠的直径，使滚珠可平均地在上述凹槽结构中滚动，可减少滚珠的平均磨耗。此外，为减缓制程气体腐蚀有源传动模块的速率，于制程气体可能侵害的处辅以盖板覆盖以提高各组件的寿命。本发明的晶圆承载装置可广泛使用于水平喷射式或垂直喷淋式的MOCVD的制程腔室中，以有效提高制程良率。
[0020]借由以上较佳具体实施例的详述，是希望能更加清楚描述本发明的特征与精神，而并非以上述所揭露的较佳具体实施例来对本发明的范畴加以限制。相反地，其目的是希望能涵盖各种改变及具相等性的安排于本发明所欲申请的专利范围的范畴内。因此，本发明所申请的专利范围的范畴应该根据上述的说明作最宽广的解释，以致使其涵盖所有可能的改变以及具相等性的安排。
【主权项】
1.一种晶圆承载装置，用以承载多个晶圆以进行一半导体制程，其特征在于，该晶圆承载装置包括: 一有源传动模块，其包含一板状主体； 多个从动转盘模块，设置于该板状主体上，任一该多个从动转盘模块包含一转盘元件及一齿轮环绕设于该转盘元件的一侧壁，其中，该转盘元件用以承载该多个晶圆，且该多个齿轮环与该板状主体其中之一具有一第一环形凹槽用以容置多个滚珠;以及 一环状齿轮元件，设置于该板状主体外侧，用以与该多个齿轮环啮合，借由驱动该有源传动模块，进而带动位于该转盘元件上的该多个晶圆相对于该有源传动模块的中心轴公转并且相对于该转盘元件的中心轴自转。2.如权利要求1所述的晶圆承载装置，其特征在于，该板状主体包含多个凹槽用以容置该多个从动转盘模块，且部分该多个凹槽的侧边穿出该板状主体的侧边，使该多个齿轮环的一部分齿部是穿出该板状主体的侧边与该环状齿轮元件嵌合。3.如权利要求2所述的晶圆承载装置，其特征在于，该多个凹槽与该转盘元件之间具有一间隙。4.如权利要求2所述的晶圆承载装置，其特征在于，每一该多个凹槽的内表面形成有开口渐缩的断差，其中，该凹槽的内表面包括:一第一开口位于该通孔的底部;一第二开口位于该第一开口的上方，且该第二开口的直径大于该第一开口的直径;及一断差部介于该第一开口与该第二开口之间。5.如权利要求4所述的晶圆承载装置，其特征在于，该第一环形凹槽设置该断差部上。6.如权利要求2所述的晶圆承载装置，其特征在于，该多个凹槽是贯穿该板状主体以形成多个通孔。7.如权利要求6所述的晶圆承载装置，其特征在于，每一该多个通孔的内表面形成有开口渐缩的断差，其中，该通孔的内表面包括:一第一开口位于该通孔的底部;一第二开口位于该第一开口的上方，且该第二开口的直径大于该第一开口的直径;及一断差部介于该第一开口与该第二开口之间。8.如权利要求7所述的晶圆承载装置，其特征在于，该第一环形凹槽设置该断差部上。9.如权利要求1所述的晶圆承载装置，其特征在于，该转盘元件与该齿轮环为单一零件所构成者。10.如权利要求1所述的晶圆承载装置，其特征在于，该齿轮环是以一固定构件设置于该转盘元件上。11.如权利要求10所述的晶圆承载装置，其特征在于，该转盘元件具有一突出部自该侧壁向外突出且多个孔形成于该突出部下方，而该齿轮环的内径相对应于该多个孔的位置具有一断差;及该固定构件为多个柱体，其设置于该多个孔内与该断差处，以固定该齿轮环于该转盘元件上。12.如权利要求1所述的晶圆承载装置，其特征在于，该多个滚珠自由于该第一环形凹槽内滚动。13.如权利要求1所述的晶圆承载装置，其特征在于，该多个滚珠是紧密排列于该第一环形凹槽内。14.如权利要求1所述的晶圆承载装置，其特征在于，该第一环形凹槽形成于该板状主体上并位于该齿轮环下方。15.如权利要求1所述的晶圆承载装置，其特征在于，该第一环形凹槽形成于该齿轮环的下表面。16.如权利要求1所述的晶圆承载装置，其特征在于，一第二环形凹槽形成于该多个齿轮环与该板状主体其中的另一并与该第一环形凹槽相对。17.如权利要求1所述的晶圆承载装置，其特征在于，该有源传动模块由一中心转轴模块驱动，该中心转轴模块与该板状主体连接，用以带动位于该转盘元件上的该多个晶圆可同时对着该有源传动模块的中心轴公转。18.如权利要求17所述的晶圆承载装置，其特征在于，该板状主体包含一中心通孔贯穿其中及该多个通孔围绕该中心通孔设置，其中，一中心转盘元件，设置于该中心通孔内，并与该板状主体嵌合。19.如权利要求18所述的晶圆承载装置，其特征在于，该中心转盘元件的上部具有一嵌合机构及其下部具有一斜面，该中心转盘元件透过该嵌合机构与该板状主体的该中心通孔嵌合，并以该斜面与该中心转轴模块进行对心。20.如权利要求18所述的晶圆承载装置，其特征在于，更包括多个齿轮环盖板用以覆盖于该多个个齿轮环上方，其中，每一该多个齿轮环盖板与每一该多个齿轮环之间具有间隙。21.如权利要求20所述的晶圆承载装置，其特征在于，更包括一有源传动模块盖板用以覆盖该有源传动模块，其中，该有源传动模块盖板具有多个开口用以曝露出该中心转盘元件、该多个转盘元件与该多个齿轮环盖板;及该有源传动模块盖板的上表面与该多个齿轮环盖板的上表面齐平。22.如权利要求21所述的晶圆承载装置，其特征在于，更包括一中心盖板覆盖该中心转盘元件，其中，该中心盖板的上表面与该有源传动模块盖板的上表面、该多个齿轮环盖板的上表面齐平。23.如权利要求22所述的晶圆承载装置，其特征在于，更包括一保护层镀膜设置于该有源传动模块盖板、该齿轮环盖板、该中心盖板中的至少其中之一上。24.如权利要求1所述的晶圆承载装置，其特征在于，更包含一转子模块，设置于该环状齿轮元件下方，用以驱动该环状齿轮元件。25.如权利要求24所述的晶圆承载装置，其特征在于，该转子模块与该有源传动模块的驱动速度不同。26.如权利要求1所述的晶圆承载装置，其特征在于，更包括多个齿轮环盖板用以覆盖于该多个个齿轮环上方，其中，每一该多个齿轮环盖板与每一该多个齿轮环之间具有间隙。27.如权利要求26所述的晶圆承载装置，其特征在于，更包括一有源传动模块盖板用以覆盖该有源传动模块，其中，该有源传动模块盖板具有多个开口用以曝露出该多个转盘元件与该多个齿轮环盖板;及该有源传动模块盖板的上表面与该多个齿轮环盖板的上表面齐平。28.如权利要求26所述的晶圆承载装置，其特征在于，该有源传动模块盖板与该齿轮环盖板为单一零件所构成者。29.如权利要求26所述的晶圆承载装置，其特征在于，更包括一保护层镀膜设置于该有源传动模块盖板、该齿轮环盖板中的至少其中之一上。
【文档编号】H01L21/687GK105826230SQ201610053848
【公开日】2016年8月3日
【申请日】2016年1月27日
【发明人】黄灿华, 伍苗展, 黄健宝
【申请人】汉民科技股份有限公司