一种金属化聚丙烯薄膜介质电容器的蒸镀工艺的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种金属化聚丙烯薄膜介质电容器的蒸镀工艺，包括如下步骤：1)聚丙烯薄膜层的表面处理；2)蒸镀材料的预处理；3)蒸镀。本发明蒸镀工艺获得的金属化聚丙烯薄膜介质的蒸镀层与基材的结合牢固，表面性能优异，获得的金属化聚丙烯薄膜介质电容器自愈性强、具有极强的耐湿性能。
【专利说明】
-种金属化聚丙稀薄膜介质电容器的蒸媳工艺
技术领域
[0001] 本发明设及一种聚丙締薄膜介质的蒸锻工艺，尤其是设及一种金属化聚丙締薄膜 介质电容器的蒸锻工艺。
【背景技术】
[0002] 近年来，从环境保护和节约能源的观点出发，电容器正在向小型化耐受力强方向 发展，作为被用于电气电动机的电容器，使用高耐电压且具有低损失的电气特性的金属化 薄膜电容器。进而，从无需维护化的期望出发，也要使用寿命长的金属化薄膜电容器。金属 化薄膜电容器的金属化薄膜包括基材和在该基材上形成的蒸锻层。目前较为常用的有锻金 属侣和锻氧化娃1.影响蒸锻侣类蒸锻薄膜性能的因素中包括两方面分别是被蒸锻的基膜 与真空度。(1)被蒸锻的基膜:被蒸锻的基膜应在高真空状态下不产生气体，否则会因为放出 气体，降低真空度，从而降低蒸锻侣层的质量。基膜中如有水分存在，在真空状态下，会挥发 成水蒸气，降低锻侣室的真空度，将导致蒸锻质量的明显下降，因些，用于具空锻侣的基膜， 应处于干燥状态。基膜与蒸锻的侣层之间应当有良好的黏合性，当基膜与侣层之间黏合力 欠佳时，采用电晕处理改善薄膜的表面状态，往往可W提高侣层与基膜运间的黏合力，足W 满足使用上的需要，但当要求很高时，例如，制备高阻隔性蒸锻类复合薄膜，则需要使用特 种物料进行底涂加工处理，W改善蒸锻侣层与塑料薄膜之间的结合牢度。塑料薄膜制造商 在制造基膜时，选用与蒸锻侣层有良好黏合性的特殊配方制造的蒸锻专用基膜，或者经过 底胶涂布处理制得的蒸锻专用基膜，与蒸锻的侣层之间有较好的黏合强度。间真空度:高真 空度是获得高质量蒸锻侣薄膜的必要条件，只有在高真空条件下，才能制得致密而光洁的 蒸锻侣膜，而且真空度越高，蒸锻侣膜的质量越佳，为了制得质量好的蒸锻侣膜，蒸锻时的 真空度应不低于1〇-中曰，最好在10-中aW上。影响蒸锻氧化娃类蒸锻薄膜性能的因素有:被 蒸锻的基膜、蒸锻方法、蒸锻工艺条件对蒸锻氧化娃薄膜性能的影响等。
[0003] 中国专利201120304234.7公开了一种边缘加厚金属化聚丙締薄膜电容器，包括两 条引线、本体和电容器忍子，所述的电容器忍子包括相互叠合两层单留边金属化膜层，所述 的单留边金属化膜层包括聚丙締基膜层及蒸锻在聚丙締基膜层上的侣层，所述的侣层的边 缘处设有加厚侣层，其具有体积小、内部升溫小、优异的阻燃性、可靠性高、抗脉冲冲击性能 好、能够承受过压冲击的优点。但是该实用新型的电容器在侣层的边缘处设有加厚侣层，电 容器忍子端面喷涂材料常常为纯锋，其两种材料相容性差，附着力不强，承受放电电流冲击 能力有限、损耗大、等效串联电阻大，自愈能力差。
[0004] 中国专利201010199130.4公开了一种锋蒸锻金属化聚丙締薄膜电容器的制备方 法，包括W下步骤：（1)选用优质聚丙締薄膜，采用真空蒸锻法在聚丙締薄膜的表面蒸锻一 层侣核，使侣核均匀附着在塑料薄膜上；（2)在蒸锻了侣核的聚丙締薄膜上采用真空蒸锻法 蒸锻一层均匀的锋层；（3)在蒸锻了锋层的聚丙締薄膜上蒸锻一层氧化娃层；（4)用喷锻的 方法将电极接合在各蒸锻层上，并在电极上接续导线引子，然后形成由绝缘体构成的外包 装，从而制成金属化电容器。该发明通过在聚丙締薄膜上蒸锻一层侣核，再在蒸锻了侣核的 聚丙締薄膜上蒸锻一层锋层，然后在蒸锻了锋层的薄膜上采用高频磁控管瓣射法蒸锻一层 氧化娃层，极大地提高了电容器的工作性能和安全性能。但是该发明在蒸锻了侣核的聚丙 締薄膜上采用真空蒸锻法蒸锻一层均匀的锋层，其承受有效电流和冲击能力差，电容器自 身等效串联电阻大，抗氧化能力差，并不适用于电力电子线路电容器。
【发明内容】
[0005] 有鉴于此，本发明的目的是针对现有技术的不足，提供一种金属化聚丙締薄膜介 质电容器的蒸锻工艺，解决了现有电容器附着力不强，承受放电电流冲击能力有限、自愈能 力差、抗氧化能力差的问题。
[0006] 为达到上述目的，本发明采用W下技术方案：
[0007] -种金属化聚丙締薄膜介质电容器的蒸锻工艺，包括如下步骤：
[0008] 1)聚丙締薄膜层的表面处理:去离子水洗涂后，丙酬浸泡20-24小时去除油溃，80- 85°C真空烘干，电晕处理；
[0009] 2)蒸锻材料的预处理:将A1、Zn和化-Mg合金分别粉碎、造粒；
[0010] 3)蒸锻:将步骤1)预处理的聚丙締薄膜W真空蒸锻的方式依次蒸锻金属A1层和 化-Mg合金层作为电极的活动区，所述活动区采用髙方阻梯形蒸锻模式进行蒸锻;所述活动 区边缘加厚蒸锻有一层纯Zn形成加厚区，所述加厚层的宽度设置为聚丙締薄膜宽度的1/4- 1/3,所述加厚区金属层厚度5-25纳米;所述活动区蒸锻梯形方电阻控制在10-20欧姆，加厚 区方电阻控制在4-6欧姆。
[0011] 优选的，所述步骤1)中的电晕处理的条件为：电极间隙1-2毫米;处理电压:5000- 15000伏;功率:200-2000 瓦。
[0012] 优选的，所述造粒得金属颗粒的粒度为2-10纳米。
[0013] 优选的，所述活动区内金属侣与锋的重量比9:0.5-1.5。
[0014] 优选的，所述化-Mg合金中金属锋与儀的质量比为9:0.5-1.5。
[0015] 优选的，所述化-Mg合金层均匀分散蒸锻在所述A1层上。
[0016] 优选的，所述活动区真空蒸锻的真空度大于l(T4Pa。
[0017] 优选的，所述加厚区的蒸锻方法为电子束蒸锻法，蒸锻真空度大于l(T4Pa。
[001引本发明的有益效果是：
[0019] 1.本发明提供的一种金属化聚丙締薄膜介质电容器的蒸锻工艺，首先W水洗、有 机溶剂浸洗，干燥处理保证基材表面不会产生气体，水等对加热蒸锻的性能产生不利影响， 通过电晕处理改善薄膜的表面状态，增强基材的表面能和粗糖程度，提高锻层与基膜之间 的黏合力。
[0020] 2.本发明将蒸锻材料粉碎、造粒，获得的颗粒状材料更为均匀致密，颗粒之间的间 隙小，热传导作用好，节约了蒸锻的时间，便于蒸锻过程的控制，能够控制蒸锻的沉淀时间， 因而能够控制蒸锻膜的厚度，使锻层均匀，蒸锻效果好。
[0021 ] 3.本发明设置金属Zn作为加厚区，提高了金属化聚丙締薄膜的自愈性能，蒸锻材 料中选择金属A1作为电极的活动区的直接附着于基材表面蒸锻材料，Zn-Mg合金为表面性 能修饰与改进的蒸锻材料，蒸锻过程中，部分侣原子通过扩散运动渗析到锋层表面。而层与 层之间没有严格的界限，大多为混合物，只是各层中，某种原子的多寡不同，运种特殊的结 构充分融汇了锻侣金属化薄膜与锻锋金属化薄膜的优点，先锻侣是保证复合金属的附着 力，因为在所有金属当中。侣的附着力是最好的。锻锋是为了保持复合金属层的良好的电特 性参数，锻锋金属化薄膜制成的电容器，在交流高电压大电流下工作，其容量的损失及损耗 的增加几乎可W忽略不计。进一步的，锻锋和锻侣的比例影响到膜的表面性能和使用寿命， 如果锻锋过少，则会影响其改良膜表面性能的优势，如果锻侣过少，则可能由于侣层深度氧 化，影响电容器的使用寿命，所述金属锋与侣儀合金的重量比9:0.5-1.5。锻儀是为了起表 面保护作用，即提高金属化聚丙締薄膜表面的耐湿性能。在W侣为主添加了儀的合金电极 中，根据下述的（式1)所示那样的反应，能够降低金属化薄膜中或者金属化薄膜表面的水 分，从而可W谋求耐湿性的提高。
[0022] 1邑+2出0 一 Mg(OH)2+H2...(式1)
[0023] 运样，在使用了合金的电极中，能够降低作为漏电流因素的水分，能够使金属化薄 膜电容器的特性提高。
[0024] 4.本发明的蒸锻方法中，真空蒸锻控制了较高的真空度保证锻膜的厚度和表面性 能。电子束蒸锻法蒸锻的特点是W电子束加热控制蒸锻加热的范围，能够达到小范围内加 热蒸锻不影响大范围的表面特性。
【具体实施方式】
[0025] 实施例1
[0026] -种金属化聚丙締薄膜介质电容器的蒸锻工艺，包括如下步骤：
[0027] 1)聚丙締薄膜层的表面处理:去离子水洗涂后，丙酬浸泡20小时去除油溃，80°C真 空烘干，电晕处理，其中，电晕处理的条件为：电极间隙1毫米;处理电压:5000伏;功率:200 瓦；
[00%] 2)蒸锻材料的预处理:将Al、Zn和化-Mg合金分别粉碎、造粒，粒度为2纳米；
[0029] 3)蒸锻:将步骤1)预处理的聚丙締薄膜W真空蒸锻的方式依次蒸锻金属A1层和 化合金层作为电极的活动区，其中真空度为4Xl〇-5Pa，金属侣与锋的重量比9:0.5;金属 锋与儀的质量比为9:0.5;化-Mg合金层均匀分散蒸锻在所述A1层上;活动区采用髙方阻梯 形蒸锻模式进行蒸锻;活动区边缘加厚电子束蒸锻法蒸锻一层纯化形成加厚区，真空度为4 Xl(T5Pa，加厚层的宽度设置为聚丙締薄膜宽度的1/4,加厚区金属层厚度5纳米;活动区蒸 锻梯形方电阻控制在10欧姆，加厚区方电阻控制在4欧姆。
[0030] 实施例2
[0031] -种金属化聚丙締薄膜介质电容器的蒸锻工艺，包括如下步骤：
[0032] 1)聚丙締薄膜层的表面处理:去离子水洗涂后，丙酬浸泡24小时去除油溃，85°C真 空烘干，电晕处理，其中，电晕处理的条件为：电极间隙2毫米；处理电压：15000伏；功率： 2000 瓦；
[0033] 2)蒸锻材料的预处理:将Al、Zn和化-Mg合金分别粉碎、造粒，粒度为10纳米；
[0034] 3)蒸锻:将步骤1)预处理的聚丙締薄膜W真空蒸锻的方式依次蒸锻金属A1层和 化-^te合金层作为电极的活动区，其中真空度为5 X 1〇-中曰，金属侣与锋的重量比9:1.5;金属 锋与儀的质量比为9:1.5;化-Mg合金层均匀分散蒸锻在所述A1层上;活动区采用髙方阻梯 形蒸锻模式进行蒸锻;活动区边缘加厚电子束蒸锻法蒸锻一层纯化形成加厚区，真空度为5 Xl(T5Pa，加厚层的宽度设置为聚丙締薄膜宽度的1/3,加厚区金属层厚度25纳米;活动区蒸 锻梯形方电阻控制在20欧姆，加厚区方电阻控制在6欧姆。
[0035] 实施例3
[0036] -种金属化聚丙締薄膜介质电容器的蒸锻工艺，包括如下步骤：
[0037] 1)聚丙締薄膜层的表面处理:去离子水洗涂后，丙酬浸泡22小时去除油溃，82°C真 空烘干，电晕处理，其中，电晕处理的条件为：电极间隙1.5毫米;处理电压：10000伏;功率： 1100 瓦；
[0038] 2)蒸锻材料的预处理:将A1、Zn和化-Mg合金分别粉碎、造粒，粒度为6纳米；
[0039] 3)蒸锻:将步骤1)预处理的聚丙締薄膜W真空蒸锻的方式依次蒸锻金属A1层和 化-^te合金层作为电极的活动区，其中真空度为6X 1〇-中曰，金属侣与锋的重量比9:1 ;金属锋 与儀的质量比为9:1 ;Zn-Mg合金层均匀分散蒸锻在所述A1层上;活动区采用髙方阻梯形蒸 锻模式进行蒸锻;活动区边缘加厚电子束蒸锻法蒸锻一层纯Zn形成加厚区，真空度为6 X l(T5Pa，加厚层的宽度设置为聚丙締薄膜宽度的7/24,加厚区金属层厚度15纳米;活动区蒸 锻梯形方电阻控制在15欧姆，加厚区方电阻控制在5欧姆。
[0040] 实施例4
[0041] -种金属化聚丙締薄膜介质电容器的蒸锻工艺，包括如下步骤：
[0042] 1)聚丙締薄膜层的表面处理:去离子水洗涂后，丙酬浸泡21小时去除油溃，SrC真 空烘干，电晕处理，其中，电晕处理的条件为：电极间隙1毫米;处理电压:6000伏；功率:400 瓦；
[0043] 2)蒸锻材料的预处理:将A1、Zn和Zn-Mg合金分别粉碎、造粒，粒度为3纳米;其中 化-^te合金中加入有0. 〇5重量份的纳米11化颗粒；
[0044] 3)蒸锻:将步骤1)预处理的聚丙締薄膜W真空蒸锻的方式依次蒸锻金属A1层和 化合金层作为电极的活动区，其中真空度为7 Xl〇-5Pa，金属侣与锋的重量比9:0.7;金属 锋与儀的质量比为9:0.8;含有纳米Ti化颗粒的Zn-Mg合金层均匀分散蒸锻在所述A1层上； 活动区采用髙方阻梯形蒸锻模式进行蒸锻;活动区边缘加厚电子束蒸锻法蒸锻一层纯化形 成加厚区，真空度为7 Xl(T5Pa，加厚层的宽度设置为聚丙締薄膜宽度的1/3,加厚区金属层 厚度7纳米;活动区蒸锻梯形方电阻控制在12欧姆，加厚区方电阻控制在4欧姆。
[0045] 纳米Ti化颗粒具有极强的自洁性能，纳米粒子自身具有优良的分散性能，将纳米 Ti化颗粒加入到合金材料中一方面增加了合金材料的分散性和自洁性能，另一方面渗入到 化-^te合金中改良了金属化膜的表面特性。
[0046] 实施例5
[0047] -种金属化聚丙締薄膜介质电容器的蒸锻工艺，包括如下步骤：
[0048] 1)聚丙締薄膜层的表面处理:去离子水洗涂后，丙酬浸泡22小时去除油溃，82°C真 空烘干，电晕处理，其中，电晕处理的条件为：电极间隙1毫米;处理电压:7000伏;功率:700 瓦；
[0049] 2)蒸锻材料的预处理:将A1、Zn和Zn-Mg合金分别粉碎、造粒，粒度为4毫米;其中 化-^te合金中加入有0.05重量份的纳米1了0颗粒；
[0050] 3)蒸锻:将步骤1)预处理的聚丙締薄膜W真空蒸锻的方式依次蒸锻金属A1层和 化合金层作为电极的活动区，其中真空度为5Xl〇-5Pa，金属侣与锋的重量比9:0.8;金属 锋与儀的质量比为9: ο. 9;化-Mg合金层均匀分散蒸锻在所述A1层上;活动区采用髙方阻梯 形蒸锻模式进行蒸锻;活动区边缘加厚电子束蒸锻法蒸锻一层纯Zn形成加厚区，加厚层的 宽度设置为聚丙締薄膜宽度的1/4,加厚区金属层厚度10纳米;活动区蒸锻梯形方电阻控制 在14欧姆，加厚区方电阻控制在4欧姆。
[0051] ITO是氧化铜锡，纳米氧化铜锡具有良好的化学稳定性和热稳定性，所形成的膜具 有很好的导电性和透明性，可W切断对人体有害的电子福射，紫外线及远红外线具有低电 阻率及高光穿透率的特性，将纳米ITO加入到合金材料中，与金属混合渗透，彼此增效，提高 锻层表面性能的同时，增加对聚丙締薄膜的保护延长金属化聚丙締薄膜电容器的使用寿 命。
[0化2] 实施例6
[0053] -种金属化聚丙締薄膜介质电容器的蒸锻工艺，包括如下步骤：
[0054] 1)聚丙締薄膜层的表面处理:去离子水洗涂后，丙酬浸泡23小时去除油溃，83°C真 空烘干，电晕处理，其中，电晕处理的条件为：电极间隙2毫米;处理电压:9000伏;功率：1100 瓦；
[0055] 2)蒸锻材料的预处理:将A1、Zn和化-Mg合金分别粉碎、造粒，粒度为5纳米；
[0056] 3)蒸锻:将步骤1)预处理的聚丙締薄膜W真空蒸锻的方式依次蒸锻金属A1层和 化合金层作为电极的活动区，其中真空度为4 X 1〇-中曰，金属侣与锋的重量比9:1.0;金属 锋与儀的质量比为9:1.0;化-Mg合金层均匀分散蒸锻在所述A1层上;活动区采用髙方阻梯 形蒸锻模式进行蒸锻;活动区边缘加厚电子束蒸锻法蒸锻一层纯化形成加厚区，真空度为4 Xl(T5Pa，加厚层的宽度设置为聚丙締薄膜宽度的7/24,加厚区金属层厚度17纳米;活动区 蒸锻梯形方电阻控制在16欧姆，加厚区方电阻控制在5欧姆。
[0化7]实施例7
[0058] -种金属化聚丙締薄膜介质电容器的蒸锻工艺，包括如下步骤：
[0059] 1)聚丙締薄膜层的表面处理:去离子水洗涂后，丙酬浸泡23小时去除油溃，84°C真 空烘干，电晕处理，其中，电晕处理的条件为：电极间隙1.5毫米;处理电压：12000伏;功率： 1300 瓦；
[0060] 2)蒸锻材料的预处理:将A1、Zn和化-Mg合金分别粉碎、造粒，粒度为7纳米；
[0061] 3)蒸锻:将步骤1)预处理的聚丙締薄膜W真空蒸锻的方式依次蒸锻金属A1层和 化-^te合金层作为电极的活动区，其中真空度为5 X 1〇-中曰，金属侣与锋的重量比9:1.3;金属 锋与儀的质量比为9:1.4;化-Mg合金层均匀分散蒸锻在所述A1层上;活动区采用髙方阻梯 形蒸锻模式进行蒸锻;活动区边缘加厚电子束蒸锻法蒸锻一层纯Zn形成加厚区，加厚层的 宽度设置为聚丙締薄膜宽度的1/3,加厚区金属层厚度21纳米;活动区蒸锻梯形方电阻控制 在18欧姆，加厚区方电阻控制在5欧姆。
[0062] 实施例8
[0063] -种金属化聚丙締薄膜介质电容器的蒸锻工艺，包括如下步骤：
[0064] 1)聚丙締薄膜层的表面处理:去离子水洗涂后，丙酬浸泡24小时去除油溃，83°C真 空烘干，电晕处理，其中，电晕处理的条件为：电极间隙1毫米；处理电压：14000伏；功率： 19000 瓦；
[0065] 2)蒸锻材料的预处理:将A1、Zn和化-Mg合金分别粉碎、造粒，粒度为9纳米；
[0066] 3)蒸锻:将步骤1)预处理的聚丙締薄膜W真空蒸锻的方式依次蒸锻金属A1层和 化合金层作为电极的活动区，其中真空度为6 X 1〇-中曰，金属侣与锋的重量比9:1.4;金属 锋与儀的质量比为9:1.4;化-Mg合金层均匀分散蒸锻在所述A1层上;活动区采用髙方阻梯 形蒸锻模式进行蒸锻;活动区边缘加厚电子束蒸锻法蒸锻一层纯化形成加厚区，真空度为6 Xl(T5Pa，加厚层的宽度设置为聚丙締薄膜宽度的1/4,加厚区金属层厚度24纳米;活动区蒸 锻梯形方电阻控制在19欧姆，加厚区方电阻控制在6欧姆。
[0067] 对比例1.将实施例3中的电晕处理步骤删除，其他不变。
[0068] 对比例2.将实施例3中蒸锻材料中的金属Mg W金属化代替，其他不变。
[0069] 对比例3.将实施例3中真空蒸锻工艺中的真空度变为6 Xl(T2Pa，其他不变。
[0070] 为进一步说明本发明的性能，下面详细介绍本W发明所得金属化聚丙締薄膜所电 容器与普通金属化聚丙締薄膜电容器性能对比，从额定电压、承受浪涌电压能力、承受反向 电压冲击能力、绝缘电阻一致性、最大承受纹波电流能力、损耗角、寿命和耐湿性能等方面 对比，1-12依次是实施例1-8、对比例1-3蒸锻工艺所得电容器及普通金属化聚丙締薄膜电 容器如表1所示:其中耐湿性按照GB-1740-2007漆膜耐湿热测定方法。
[0071 ]表1.金属化聚丙締薄膜电容器性能对比
[0072]
[0074]由表1可知，本发明蒸锻工艺获得金属化聚丙締薄膜介质电容器的额定电压高，承 受浪涌电压和承受反向电压冲击能力强，绝缘电阻一致性好，最大承受纹波电流能力强，损 耗小，寿命长，耐湿性能优良，特别是合金中Mg的加入明显增加了金属化聚丙締薄膜电容器 的耐湿性能；实施例4中加入了纳米Ti化颗粒，增加了合金材料的分散性和自洁性能，另一 方面渗入到化-Mg合金中改良了金属化膜的表面特性，提高了最大承受纹波电流能力，延长 了电容器的使用寿命，实施例5中加入了纳米ITO颗粒与金属混合渗透，彼此增效，提高锻层 表面性能，提高了最大承受纹波电流能力，减小了损耗，提高了额定电压和承受反向电压冲 击能力，延长金属化聚丙締薄膜电容器的使用寿命。由对比例1-3可知，基材表面不做电晕 处理会使属化聚丙締薄膜电容器额定电压，承受浪涌电压能力降低，金属MgW金属Zn代替 会使属化聚丙締薄膜电容器耐湿能力降低，真空蒸锻工艺中的真空度过低会使额定电压、 承受浪涌电压能力、承受反向电压冲击能力、绝缘电阻一致性、最大承受纹波电流能力、损 耗角正切普遍下降，寿命减短。
[0075]最后说明的是，W上实施例仅用W说明本发明的技术方案而非限制，本领域普通 技术人员对本发明的技术方案所做的其他修改或者等同替换，只要不脱离本发明技术方案 的精神和范围，均应涵盖在本发明的权利要求范围当中。
【主权项】
1. 一种金属化聚丙稀薄膜介质电容器的蒸镀工艺，其特征在于:包括如下步骤： 1) 聚丙烯薄膜层的表面处理:去离子水洗涤后，丙酮浸泡20-24小时去除油渍，80-85Γ 真空烘干，电晕处理； 2) 蒸镀材料的预处理:将Al、Zn和Zn-Mg合金分别粉碎、造粒； 3) 蒸镀:将步骤1)预处理的聚丙稀薄膜以真空蒸镀的方式依次蒸镀金属A1层和Zn-Mg 合金层作为电极的活动区，所述活动区采用髙方阻梯形蒸镀模式进行蒸镀;所述活动区边 缘加厚蒸镀有一层纯Zn形成加厚区，所述加厚层的宽度设置为聚丙烯薄膜宽度的1/4-1/3， 所述加厚区金属层厚度5-25纳米;所述活动区蒸镀梯形方电阻控制在10-20欧姆，所述加厚 区方电阻控制在4-6欧姆。2. 根据权利要求1所述的一种金属化聚丙烯薄膜介质电容器的蒸镀工艺，其特征在于： 所述步骤1)中的电晕处理的条件为：电极间隙1-2毫米;处理电压：5000-15000伏；功率： 200-2000 瓦。3. 根据权利要求1所述的一种金属化聚丙烯薄膜介质电容器的蒸镀工艺，其特征在于： 所述造粒得金属颗粒的粒度为2-10纳米。4. 根据权利要求1所述的一种金属化聚丙烯薄膜介质电容器的蒸镀工艺，其特征在于： 所述活动区内金属错与锌的重量比9:0.5-1.5。5. 根据权利要求1所述的一种金属化聚丙烯薄膜介质电容器的蒸镀工艺，其特征在于： 所述Zn-Mg合金中金属锌与镁的质量比为9:0.5-1.5。6. 根据权利要求1所述的一种金属化聚丙烯薄膜介质电容器的蒸镀工艺，其特征在于： 所述Zn-Mg合金层均勾分散蒸镀在所述A1层上。7. 根据权利要求1所述的一种金属化聚丙烯薄膜介质电容器的蒸镀工艺，其特征在于： 所述活动区真空蒸镀的真空度大于l〇_4Pa。8. 根据权利要求1所述的一种金属化聚丙烯薄膜介质电容器的蒸镀工艺，其特征在于： 所述加厚区的蒸镀方法为电子束蒸镀法。
【文档编号】C23C14/24GK105869890SQ201610345875
【公开日】2016年8月17日
【申请日】2016年5月23日
【发明人】苗满香, 孟建平, 胡天彤
【申请人】郑州航空工业管理学院