一种电容器及其版图布局方法
【专利摘要】本发明公开了一种电容器及其版图布局方法，解决了目前通过改变单个电容的尺寸来减小导线电容的差值率来提升电容匹配精度的方法，使得集成电路设计受限的问题，所述电容器包括：沿轴(a)交叉对称排布的第一电容(C1)和第二电容(C2)；第一电容(C1)包括通过第一组金属连线(L1)依次连接的2N+1个第一子电容(C11～C1i)，第二电容(C2)包括通过第二组金属连线(L2)依次连接的2N+1个第二子电容(C21～C2i)；其中，N为正整数、i为2N+1；子电容(C11～C1i)和子电容(C21～C2i)的容值和的差值率不大于第一预设值，第一组金属连线(L1)和第二组金属连线(L2)的寄生电容的差值率不大于第二预设值。实现了在无需改变单个电容的尺寸的前提下，提升电容匹配精度的效果。
【专利说明】
一种电容器及其版图布局方法
技术领域
[0001]本发明涉及集成电路版图设计技术领域，尤其涉及一种电容器及其版图布局方法。
【背景技术】
[0002]在集成电路的制造过程中，金属、电介质和其他材料被采用如物理气相沉积、化学气相沉积在内的各种方法制作在硅片的表面，形成包括电子元件和元件之间的金属互连线的金属结构层，每一层金属结构层之间又用多个金属填充的通孔相连，使得电路具有很高的复杂性和电路密度。集成电路性能的一个重要指标是路径延时，即从一个输入到一个输出所需要的时间；集成电路的路径延时包括器件延时以及器件之间的互连线延时。随着工艺节点的减小以及器件数量的增加，互连线的延时在总延时中所占比例越来越大。互连线的延时主要决定于互连线的寄生参数，如电阻、电容、电感等，互连线的寄生参数由互连线的材料、几何信息如宽度长度高度等以及互连线间参数距离、正对长度等决定。
[0003]模拟集成电路的精度和性能一般都依靠器件匹配获得。通常，匹配精度越高则模拟集成电路的精度和性能越好。路径延时是反映t吴拟集成电路的精度和性能的一个关键指标，通常会在集成电路上设置匹配器件，来减小集成电路的路径延时；其中，匹配器件是指专门制作在集成电路上的位置靠近且差异比率(即匹配精度)为确定常数的两个相似器件。在这些匹配器件中，匹配电容是集成电路中的重要匹配器件，然而，许多机制(如掺杂、氧化层厚度、工艺偏差、电流的不均匀流动、扩散相互影响、机械应力、温度梯度)及许多其他原因造成的系统误差都会增加电容失配误差，进而影响电容匹配。
[0004]这些生产制造芯片过程中的客观因素不可避免，目前设计人员通过优化版图设计来减小其影响。考虑到在实际应用中把器件连入电路的导线的电阻和电容，会导致电容匹配精度较低，甚至会引起系统失配，版图设计人员通过增加单个电容的尺寸来实现导线电容最小化，但这种方式并不适用所有设计需求，原因包括:电容尺寸的增加会影响集成电路的面积、电容尺寸的增加使得该电容的电容值不符合设计要求、或者达不到高精度电容匹配的设计要求。
[0005]总而言之，现有技术中存在，通过改变单个电容的尺寸来减小导线电容差值率，从而提升电容匹配精度的方法，使得集成电路设计受限的技术问题。
【发明内容】
[0006]本发明针对现有技术中存在的，通过改变单个电容的尺寸来减小导线电容差值率，从而提升电容匹配精度的方法，使得集成电路设计受限的技术问题，提供了一种电容器及其版图布局方法，实现了在无需改变单个电容的尺寸的前提下提升电容匹配精度，从而不会影响集成电路的面积、也不会改变电容的容值，使得集成电路设计不会受到电容尺寸的限制的技术效果。
[0007 ] 一方面，本发明提供了一种电容器，包括:
[0008]对称排布的第一电容和第二电容；
[0009]所述第一电容包括第一组金属连线和2N+1个第一子电容，所述第二电容包括第二组金属连线和2N+1个第二子电容;其中，N为正整数，所述2N+1个第一子电容通过所述第一组金属连线依次连接，所述2N+1个第二子电容通过所述第二组金属连线依次连接;所述2N+
I个第一子电容与所述2N+1个第二子电容沿所述第一电容和所述第二电容的对称轴交叉排布；
[0010]所述2N+1个第一子电容的容值和与所述2N+1个第二子电容的容值和的差值率小于等于第一预设值，所述第一组金属连线的寄生电容容值与所述第二组金属连线的寄生电容容值的差值率小于等于第二预设值。
[0011]可选的，所述2N+1个第一子电容中任一第一子电容与所述2N+1个第二子电容中任一第二子电容的参数和容值均相同。
[0012]可选的，所述2N+1个第一子电容与所述2N+1个第二子电容一一对应形成2N+1个子电容对，所述2N+1个子电容对按照设定排布方式依次堆叠排布，以使任一第一子电容相邻电容为第二子电容、且任一第二子电容相邻电容为第一子电容。
[0013]可选的，所述2N+1个子电容对中任意相邻的两个子电容对之间断路，所述2N+1个子电容对中任一子电容对所包含的第一子电容和第二子电容之间断路。
[0014]可选的，所述第一组金属连线包括2N条第一金属连线，所述第二组金属连线包括2N条第二金属连线；其中，所述2N条第一金属连线中至少存在两条金属连线采用不同层的金属，所述2N条第二金属连线中至少存在两条金属连线采用不同层的金属。
[0015]另一方面，本发明还提供了一种电容器的版图布局方法，包括如下步骤:
[0016]S1、分别堆叠设置2N+1个第一子电容和2N+1个第二子电容，并使所述2N+1个第一子电容与所述2N+1个第二子电容交叉对称排布，其中，N为正整数；
[0017]S2、通过第一组金属连线依次连接所述2N+1个第一子电容，以形成第一电容；以及通过第二组金属连线依次连接所述2N+1个第二子电容，以形成第二电容;其中，所述2N+1个第一子电容的容值和与所述2N+1个第二子电容的容值和的差值率小于等于第一预设值，所述第一组金属连线的寄生电容容值与所述第二组金属连线的寄生电容容值的差值率小于等于第二预设值。
[0018]可选的，所述2N+1个第一子电容中任一第一子电容与所述2N+1个第二子电容中任一第二子电容的参数和容值均相同。
[0019]可选的，所述2N+1个第一子电容与所述2N+1个第二子电容一一对应形成2N+1个子电容对，所述2N+1个子电容对按照设定排布方式依次堆叠排布，以使任一第一子电容相邻电容为第二子电容、且任一第二子电容相邻电容为第一子电容。
[0020]可选的，所述2N+1个子电容对中任意相邻的两个子电容对之间断路，所述2N+1个子电容对中任一子电容对所包含的第一子电容和第二子电容之间断路。
[0021]可选的，所述第一组金属连线包括2N条第一金属连线，所述第二组金属连线包括2N条第二金属连线；其中，所述2N条第一金属连线中至少存在两条金属连线采用不同层的金属，所述2N条第二金属连线中至少存在两条金属连线采用不同层的金属。
[0022]本发明中提供的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点:
[0023]由于在本发明中，电容器包括对称排布的第一电容和第二电容;所述第一电容包括第一组金属连线和2N+1个第一子电容，所述第二电容包括第二组金属连线和2N+1个第二子电容;其中，N为正整数，所述2N+1个第一子电容通过所述第一组金属连线依次连接，所述2N+1个第二子电容通过所述第二组金属连线依次连接;所述2N+1个第一子电容与所述2N+1个第二子电容沿所述第一电容和所述第二电容的对称轴交叉排布;在上述电容结构的基础上，设置所述2N+1个第一子电容的容值和所述2N+1个第二子电容的容值，以使所述2N+1个第一子电容的容值和与所述2N+1个第二子电容的容值和的差值率小于等于第一预设值，并合理选择和布置第一组金属连线和第二组金属连线，以使所述第一组金属连线的寄生电容容值与所述第二组金属连线的寄生电容容值的差值率小于等于第二预设值，以实现在无需改变单个电容的尺寸的前提下提升电容匹配精度，从而不会影响集成电路的面积、也不会改变电容的容值，使得集成电路设计不会受到电容尺寸的限制的技术效果。有效地解决现有技术中通过改变单个电容的尺寸来减小导线电容差值率，从而提升电容匹配精度的方法，使得集成电路设计受限的技术问题。
【附图说明】
[0024]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其它的附图。
[0025]图1为本发明实施例提供的第一种电容器结构示意图；
[0026]图2为本发明实施例提供的第二种电容器结构示意图；
[0027]图3为本发明实施例提供的一种电容器的版图布局方法流程图。
【具体实施方式】
[0028]本发明实施例通过提供一种电容器，解决了现有技术中存在的，通过改变单个电容的尺寸来减小导线电容差值率，从而提升电容匹配精度的方法，使得集成电路设计受限的技术问题，实现了在无需改变单个电容的尺寸的前提下提升电容匹配精度，从而不会影响集成电路的面积、也不会改变电容的容值，使得集成电路设计不会受到电容尺寸的限制的技术效果。
[0029]本发明实施例的技术方案为解决上述技术问题，总体思路如下:
[0030]本发明实施例提供了一种电容器，包括:对称排布的第一电容和第二电容;所述第一电容包括第一组金属连线和2N+1个第一子电容，所述第二电容包括第二组金属连线和2N+ 1个第二子电容;其中，N为正整数，所述2N+1个第一子电容通过所述第一组金属连线依次连接，所述2N+1个第二子电容通过所述第二组金属连线依次连接;所述2N+1个第一子电容与所述2N+1个第二子电容沿所述第一电容和所述第二电容的对称轴交叉排布;所述2N+1个第一子电容的容值和与所述2N+1个第二子电容的容值和的差值率小于等于第一预设值，所述第一组金属连线的寄生电容容值与所述第二组金属连线的寄生电容容值的差值率小于等于第二预设值。
[0031]可见，在本发明实施例中，通过将电容器中需要匹配的两个电容(即第一电容和第二电容)分别划分为大于等于3的奇数个层叠设置的子电容(S卩2N+1个第一子电容和2N+1个第二子电容)，并通过第一组金属连线将所述2N+1个第一子电容依次连接，以及通过第二组金属连线将所述2N+1个第二子电容依次连接，并使所述2N+1个第一子电容与所述2N+1个第二子电容沿所述第一电容和所述第二电容的对称轴交叉排布;接着，在上述电容结构基础上，设置所述2N+1个第一子电容的容值和所述2N+1个第二子电容的容值，以使所述2N+1个第一子电容的容值和与所述2N+1个第二子电容的容值和的差值率小于等于第一预设值，并合理选择和布置第一组金属连线和第二组金属连线，以使所述第一组金属连线的寄生电容容值与所述第二组金属连线的寄生电容容值的差值率小于等于第二预设值，以实现在无需改变单个电容的尺寸的前提下提升电容匹配精度，从而不会影响集成电路的面积、也不会改变电容的容值，使得集成电路设计不会受到电容尺寸的限制的技术效果。有效地解决现有技术中通过改变单个电容的尺寸来减小导线电容差值率，从而提升电容匹配精度的方法，使得集成电路设计受限的技术问题。
[0032]为了更好的理解上述技术方案，下面将结合说明书附图以及具体的实施方式对上述技术方案进行详细的说明，应当理解本发明实施例以及实施例中的具体特征是对本申请技术方案的详细的说明，而不是对本申请技术方案的限定，在不冲突的情况下，本发明实施例以及实施例中的技术特征可以相互组合。
[0033]实施例一
[0034]请参考图1，本发明实施例提供了一种电容器I，包括:
[0035]对称排布的第一电容Cl和第二电容C2;
[0036]第一电容Cl包括第一组金属连线LI和2N+1个第一子电容(Cll?Cli)，第二电容C2包括第二组金属连线L2和2N+1个第二子电容(C21?C2i);其中，N为正整数，i等于2N+1，2N+I个第一子电容(Cl I?Cli)通过第一组金属连线LI依次连接，2N+1个第二子电容(C21?C2i)通过第二组金属连线L2依次连接;2N+1个第一子电容(Cl I?Cl i)与2N+1个第二子电容(C21?C2i)沿第一电容Cl和第二电容C2的对称轴a交叉排布；
[0037]2N+1个第一子电容(Cll?Cli)的容值和与2N+1个第二子电容(C21?C2i)的容值和的差值率小于等于第一预设值，第一组金属连线LI的寄生电容容值与第二组金属连线L2的寄生电容容值的差值率小于等于第二预设值。
[0038]在具体实施过程中，为了提高第一电容Cl和第二电容C2的匹配比率，2N+1个第一子电容(Cll?Cli)中任意两个第一子电容的参数和容值均相同，2N+1个第二子电容(C21?C2i)中任意两个第二子电容的参数和容值均相同，并且2N+1个第一子电容(Cll?Cli)中任一第一子电容与2N+1个第二子电容(C21?C2i)中任一第二子电容的参数和容值均相同。然而，在实际应用中，由于不可避免的工艺误差，任意两个第一子电容、任意两个第二子电容或者任一第一子电容和任一第二子电容无法完全相同，必定存在些许差异，在本实施例中，需保证2N+1个第一子电容(Cll?Cli)的容值和与2N+1个第二子电容(C21?C2i)的容值和的差值率小于等于第一预设值。具体的，设定2N+1个第一子电容(Cll?Cli)和2N+1个第二子电容(C21?C2i)的容值和分别为X1、Y1，设定所述差值率为P1，P1与X1、Y1存在如下述式
(I)的数学关系:
[0039]Pl= IXl-Yl |/((Χ1+Υ1)/2) (I)
[0040]另外，为减小导线在实际应用中引入电路的电阻和电容，以进一步提高第一电容Cl和第二电容C2的匹配比率，第一组金属连线LI的寄生电容容值与第二组金属连线L2的寄生电容容值的差值率小于等于第二预设值。具体的，设定第一组金属连线LI的寄生电容容值和第二组金属连线L2的寄生电容容值分别为X2、Y2，设定所述差值率为P2，P2与X2、Y2存在如下述式(2)的数学关系:
[0041]Ρ2= |X2-Y2|/((X2+Y2)/2) (2)
[0042]在本实施例中，所述第一预设值可取值为0.1%，所述第二预设值可取值为
0.08%。需要注意的是，在具体实施过程中，所述第一预设值和所述第二预设值可依据具体设计要求而定，这里不作具体限定。
[0043]由于电容的实际容值为电容本身容值与连线引入的寄生电容容值的和，即第一电容Cl的实际容值为2Ν+1个第一子电容(Cll?Cli)的容值和加上第一组金属连线LI的寄生电容容值、第二电容C2的实际容值为2Ν+1个第二子电容(C21?C2i)的容值和加上第二组金属连线L2的寄生电容容值，当所述2N+1个第一子电容(Cll?Cli)的容值和与所述2N+1个第二子电容(C21?C2i)的容值和的差值率小于等于第一预设值，且所述第一组金属连线LI的寄生电容容值与所述第二组金属连线L2的寄生电容容值的差值率小于等于第二预设值时，第一电容Cl和第二电容C2的匹配精度优于±0.1%。
[0044]在具体实施过程中，仍请参考图1，所述2N+1个第一子电容(Cll?Cli)与所述2N+1个第二子电容(C21?C2i)—一对应形成2N+1个子电容对，所述2N+1个子电容对按照设定排布方式依次堆叠排布，以使任一第一子电容相邻电容为第二子电容、且任一第二子电容相邻电容为第一子电容。具体的，第I个第一子电容Cll与第I个第二子电容C21对应形成第I个子电容对，且第I个第一子电容CU与第I个第二子电容C21关于对称轴a对称;第2个第一子电容C12与第2个第二子电容C22对应形成第2个子电容对，且第2个第一子电容C12与第2个第二子电容C22关于对称轴a对称；...;第2奸1个第一子电容Cli与第2N+1个第二子电容C2i对应形成第2N+1个子电容对，且第2N+1个第一子电容Cli与第2N+1个第二子电容C2i关于对称轴a对称。所述2N+1个子电容对按照设定排布方式依次堆叠排布，奇数编号的第一子电容以及偶数编号的第二子电容排布在对称轴a的一侧，偶数编号的第一子电容以及奇数编号的第二子电容排布在对称轴a的另一侧，使得所述2N+1个第一子电容(Cll?Cli)与所述2N+I个第二子电容(C21?C2i)沿第一电容Cl和第二电容C2的对称轴a交叉排布。
[0045]进一步，为避免第一电容Cl与第二电容C2短路，在具体实施过程中，所述2N+1个子电容对中任意相邻的两个子电容对之间断路，所述2N+1个子电容对中任一子电容对所包含的第一子电容和第二子电容之间断路。例如，所述第I个子电容对(由第I个第一子电容CU与第I个第二子电容C21对应形成)与所述第2个子电容对(由第2个第一子电容C12与第2个第二子电容C22对应形成)断路，且第I个第一子电容CU与第I个第二子电容C21断路，第2个第一子电容C12与第2个第二子电容C22断路；...;所述第2N个子电容对(由第2N个第一子电容与第2N个第二子电容对应形成)与所述第2N+1个子电容对(由第2N+1个第一子电容与第2N+1个第二子电容对应形成)断路，且第2N个第一子电容与第2N个第二子电容断路，第2N+1个第一子电容与第2N+1个第二子电容断路。
[0046]在具体实施过程中，第一组金属连线LI包括2N条第一金属连线，第二组金属连线L2包括2N条第二金属连线；其中，任一条第一金属连线和任一条第二金属连线的形状大小完全相同，所述2N条第一金属连线中至少存在两条金属连线采用不同层的金属，所述2N条第二金属连线中至少存在两条金属连线采用不同层的金属，采用不同层金属的金属连线的单位面积电容容值不同。具体的，仍请参考图1，第一组金属连线LI的2N条第一金属连线包括:连接第I个第一子电容CU和第2个第一子电容C12的金属连线LU，连接第2个第一子电容C12和第3个第一子电容C13的金属连线L12，...，连接第2N个第一子电容(图1中未画出)和第2N+1个第一子电容(图1中未画出)的金属连线(图1中未画出)；同样的，第二组金属连线L2的2N条第二金属连线包括:连接第I个第二子电容C21和第2个第二子电容C22的金属连线L21，连接第2个第二子电容C22和第3个第二子电容C23的金属连线L22，...，连接第2N个第二子电容(图1中未画出)和第2N+1个第二子电容(图1中未画出)的金属连线(图1中未画出)。
[0047]下面以N取值为I为例，请参考图2，第一电容Cl和第二电容C2均包含三层子电容，具体的，第一电容Cl包括层叠设置的三个第一子电容(Cll、C12、C13)，第二电容C2包括层叠设置的三个第二子电容化21工22工23)，三个第一子电容((:11、(:12、(:13)和三个第二子电容(C21、C22、C23)的参数和容值均相同，以保证第一电容Cl的本身容值与第二电容C2的本身容值的差值率小于等于所述第一预设值。
[0048]仍请参考图2，第一子电容Cll的右下角Al与第一子电容C12的左上角A2通过金属连线Lll连接，第一子电容C12的左下角A3与第一子电容C13的右上角A4通过金属连线L12连接，第二子电容C21的左下角BI与第二子电容C22的右上角B2通过金属连线L21连接，第二子电容C22的右下角B3与第二子电容C23的左上角B4通过金属连线L22连接。为避免第一电容Cl和第二电容C2短路，金属连线Lll与金属连线L21为不同层的金属，金属连线L12与金属连线L22为不同层的金属。另外，金属连线Lll和金属连线L22属于类似层或同层金属，即金属连线Lll和金属连线L22的寄生电容容值基本相同，金属连线L12和金属连线L21属于类似层或同层金属，即金属连线L12和金属连线L21的寄生电容容值基本相同，以保证第一电容Cl中金属连线所引入的寄生电容容值与第二电容C2中金属连线所引入的寄生电容容值的差值率小于等于所述第二预设值。
[0049]总而言之，在本发明实施例中，通过将电容器中需要匹配的两个电容(即第一电容和第二电容)分别划分为大于等于3的奇数个层叠设置的子电容(S卩2N+1个第一子电容和2N+ 1个第二子电容)，并通过第一组金属连线将所述2N+1个第一子电容依次连接，以及通过第二组金属连线将所述2N+1个第二子电容依次连接，并使所述2N+1个第一子电容与所述2N+1个第二子电容沿所述第一电容和所述第二电容的对称轴交叉排布;接着，在上述电容结构基础上，设置所述2N+1个第一子电容的容值和所述2N+1个第二子电容的容值，以使所述2N+I个第一子电容的容值和与所述2N+1个第二子电容的容值和的差值率小于等于第一预设值，并合理选择和布置第一组金属连线和第二组金属连线，以使所述第一组金属连线的寄生电容容值与所述第二组金属连线的寄生电容容值的差值率小于等于第二预设值，以实现在无需改变单个电容的尺寸的前提下提升电容匹配精度，从而不会影响集成电路的面积、也不会改变电容的容值，使得集成电路设计不会受到电容尺寸的限制的技术效果。有效地解决现有技术中通过改变单个电容的尺寸来减小导线电容差值率，从而提升电容匹配精度的方法，使得集成电路设计受限的技术问题。
[0050]实施例二
[0051]基于同一发明构思，请参考图3，本申请还提供了一种电容器的版图布局方法，包括如下步骤:
[0052]S1、分别堆叠设置2N+1个第一子电容和2N+1个第二子电容，并使所述2N+1个第一子电容与所述2N+1个第二子电容交叉对称排布，其中，N为正整数；
[0053]S2、通过第一组金属连线依次连接所述2N+1个第一子电容，以形成第一电容；以及通过第二组金属连线依次连接所述2N+1个第二子电容，以形成第二电容;其中，所述2N+1个第一子电容的容值和与所述2N+1个第二子电容的容值和的差值率小于等于第一预设值，所述第一组金属连线的寄生电容容值与所述第二组金属连线的寄生电容容值的差值率小于等于第二预设值。
[0054]其中，所述2N+1个第一子电容中任一第一子电容与所述2N+1个第二子电容中任一第二子电容的参数和容值均相同。
[0055]在具体实施过程中，所述2N+1个第一子电容与所述2N+1个第二子电容——对应形成2N+1个子电容对，所述2N+1个子电容对按照设定排布方式依次堆叠排布，以使任一第一子电容相邻电容为第二子电容、且任一第二子电容相邻电容为第一子电容。
[0056]进一步，所述2N+1个子电容对中任意相邻的两个子电容对之间断路，所述2N+1个子电容对中任一子电容对所包含的第一子电容和第二子电容之间断路。
[0057]在具体实施过程中，所述第一组金属连线包括2N条第一金属连线，所述第二组金属连线包括2N条第二金属连线；其中，所述2N条第一金属连线中至少存在两条金属连线采用不同层的金属，所述2N条第二金属连线中至少存在两条金属连线采用不同层的金属。
[0058]根据上面的描述，上述版图布局方法用于生成上述电容器，所以，该版图布局方法与上述电容器的一个或多个实施例一致，在此就不再一一赘述了。
[0059]尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例做出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
[0060]显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
【主权项】
1.一种电容器，其特征在于，包括: 对称排布的第一电容(Cl)和第二电容(C2); 所述第一电容(Cl)包括第一组金属连线(LI)和2N+1个第一子电容(Cll?Cli)，所述第二电容(C2)包括第二组金属连线(L2)和2N+1个第二子电容(C21?C2i);其中，N为正整数、i为2N+1，所述2N+1个第一子电容(Cll?Cli)通过所述第一组金属连线(LI)依次连接，所述2N+1个第二子电容(C21?C2i)通过所述第二组金属连线(L2)依次连接;所述2N+1个第一子电容(Cll?Cli)与所述2N+1个第二子电容(C21?C2i)沿所述第一电容(Cl)和所述第二电容(C2)的对称轴(a)交叉排布； 所述2N+1个第一子电容(Cll?Cli)的容值和与所述2N+1个第二子电容(C21?C2i)的容值和的差值率小于等于第一预设值，所述第一组金属连线(LI)的寄生电容容值与所述第二组金属连线(L2)的寄生电容容值的差值率小于等于第二预设值。2.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述2N+1个第一子电容(Cll?Cli)中任一第一子电容与所述2N+1个第二子电容(C21?C2i)中任一第二子电容的参数和容值均相同。3.如权利要求1所述的电容器，其特征在于，所述2N+1个第一子电容(Cll?Cli)与所述2N+1个第二子电容(C21?C2i)——对应形成2N+1个子电容对，所述2N+1个子电容对按照设定排布方式依次堆叠排布，以使任一第一子电容相邻电容为第二子电容、且任一第二子电容相邻电容为第一子电容。4.如权利要求3所述的电容器，其特征在于，所述2N+1个子电容对中任意相邻的两个子电容对之间断路，所述2N+1个子电容对中任一子电容对所包含的第一子电容和第二子电容之间断路。5.如权利要求1?4任一权项所述的电容器，其特征在于，所述第一组金属连线(LI)包括2N条第一金属连线，所述第二组金属连线(L2)包括2N条第二金属连线;其中，所述2N条第一金属连线中至少存在两条金属连线采用不同层的金属，所述2N条第二金属连线中至少存在两条金属连线采用不同层的金属。6.一种电容器的版图布局方法，其特征在于，包括如下步骤: 51、分别堆叠设置2N+1个第一子电容(Cll?Cli)和2N+1个第二子电容(C21?C2i)，并使所述2N+1个第一子电容(Cll?Cli)与所述2N+1个第二子电容(C21?C2i)交叉对称排布，其中，N为正整数、i为2N+1 ； 52、通过第一组金属连线(LI)依次连接所述2N+1个第一子电容(Cll?Cli)，以形成第一电容(Cl);以及通过第二组金属连线(L2)依次连接所述2N+1个第二子电容(C21?C2i)，以形成第二电容(C2);其中，所述2N+1个第一子电容(Cll?Cli)的容值和与所述2N+1个第二子电容(C21?C2i)的容值和的差值率小于等于第一预设值，所述第一组金属连线(LI)的寄生电容容值与所述第二组金属连线(L2)的寄生电容容值的差值率小于等于第二预设值。7.如权利要求6所述的电容器的版图布局方法，其特征在于，所述2N+1个第一子电容(Cll?Cli)中任一第一子电容与所述2N+1个第二子电容(C21?C2i)中任一第二子电容的参数和容值均相同。8.如权利要求6所述的电容器的版图布局方法，其特征在于，所述2N+1个第一子电容(Cll?Cli)与所述2N+1个第二子电容(C21?C2i)——对应形成2N+1个子电容对，所述2N+1个子电容对按照设定排布方式依次堆叠排布，以使任一第一子电容相邻电容为第二子电容、且任一第二子电容相邻电容为第一子电容。9.如权利要求8所述的电容器的版图布局方法，其特征在于，所述2N+1个子电容对中任意相邻的两个子电容对之间断路，所述2N+1个子电容对中任一子电容对所包含的第一子电容和第二子电容之间断路。10.如权利要求6?9任一权项所述的电容器的版图布局方法，其特征在于，所述第一组金属连线(LI)包括2N条第一金属连线，所述第二组金属连线(L2)包括2N条第二金属连线；其中，所述2N条第一金属连线中至少存在两条金属连线采用不同层的金属，所述2N条第二金属连线中至少存在两条金属连线采用不同层的金属。
【文档编号】H01L27/02GK105932015SQ201610425030
【公开日】2016年9月7日
【申请日】2016年6月16日
【发明人】张科峰, 刘薇, 谭珍
【申请人】武汉芯泰科技有限公司