层叠电容器以及其制造方法
【专利摘要】本发明提供层叠电容器以及其制造方法，得到能一并抑制耐湿性的降低以及层间剥离的发生的小型、大电容的层叠电容器。具备：具有从层叠方向观察各边的尺寸为0.3mm以下的外形尺寸的层叠体、和在层叠体的长度方向上相互分开地设置在层叠体的表面的第1外部电极以及第2外部电极。多个导电体层当中位于上述层叠方向的最外侧的1个导电体层，在上述层叠方向上弯曲，且包含在上述层叠方向上贯通的多个贯通部。在层叠体的与长度方向正交的截面中，若将弯曲的导电体层在层叠体的宽度方向上等间隔地4等分，并从上述宽度方向的一方侧起依次设为A区域、B区域、C区域以及D区域，则多个贯通部的最小尺寸的合计值在A区域大于B区域，且在D区域大于C区域。
【专利说明】
层叠电容器以及其制造方法
技术领域
[0001]本发明涉及层叠电容器以及其制造方法，特别涉及极小型的层叠电容器以及其制造方法。
【背景技术】
[0002]—般，层叠电容器具备:将导电体层和电介质层交替层叠而成的层叠体、和设于层叠体的外表面的外部电极。为了应对电子设备的小型化以及薄型化，对层叠电容器谋求小型且静电容大。作为将层叠电容器大电容化的手法，一般是增大相邻的导电体层彼此的对置面积并增加导电体层的层叠数。
[0003]在用上述的一般的手法来将层叠电容器小型化以及大电容化的情况下，导电体层与层叠体的表面间的距离变短。一般来说，覆盖层叠体的角部的部分的外部电极处于变薄的倾向。由于这些要因，通过外部电极而侵入的水分变得易于到达位于层叠体的角部的近旁的导电体层，从而层叠电容器的绝缘电阻降低。即，层叠电容器的耐湿性降低。
[0004]作为公开了针对耐湿性的可靠性较高的小型化的层叠电容器的先行文献，有特开2010-103566号公报(专利文献I)。在记载于专利文献I的层叠电容器中，通过提高位于导电体层与层叠体的侧面间的电介质所含有的Mg浓度，确保了层叠电容器的耐湿性。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1: JP特开2010-103566号公报
[0008]若导电体层的层叠数变多，则因层叠电容器的烧成时的电介质层以及导电体层的热收缩率之差而产生的内部应力变大，变得易于发生层间剥离。
【发明内容】
[0009]本发明鉴于上述的问题点而提出，目的在于，提供能一并抑制耐湿性的降低以及层间剥离的发生的小型、大电容的层叠电容器。
[0010]在基于本发明的层叠电容器的制造方法中，上述层叠电容器具备:包含交替层叠的多个导电体层以及多个电介质层、具有从层叠方向观察各边的尺寸为0.3mm以下的外形尺寸的层叠体;和设置在层叠体的表面的第I外部电极以及第2外部电极。层叠电容器的制造方法具备:层叠工序，通过使多个导电体层各自位于第I配置或第2配置，使得从上述层叠方向观察上述多个导电体层位于第I配置以及与第I配置不同的第2配置，并与多个电介质层各自交替层叠，由此形成层叠体;延伸工序，其将层叠体加压，来使多个导电体层在与上述层叠方向正交的方向上延伸；弯曲工序，其将层叠体加压，使多个导电体层当中的至少I个在上述层叠方向上弯曲；和外部电极形成工序，在层叠体的表面形成第I外部电极以及第2外部电极各自，使得第I外部电极与多个导电体层当中位于第I配置的导电体层连接，且第2外部电极与多个导电体层当中位于第2配置的导电体层连接。
[0011]在本发明的I个形态中，多个导电体层各自的厚度随着从中央部去往缘部而变薄。
[0012]在本发明的I个形态中，多个导电体层各自包含钛酸钡以及硅的至少一方。
[0013]在本发明的I个形态中，在上述层叠工序中，使夹着多个电介质层当中任I个而相邻的至少一对导电体层都位于第I配置，或都位于第2配置。
[0014]在本发明的I个形态中，上述至少一对导电体层包含上述层叠方向上位于最外侧的2个导电体层当中的至少一方。
[0015]基于本发明的层叠电容器具备:包含交替层叠的多个导电体层以及多个电介质层、具有从层叠方向观察各边的尺寸为0.3mm以下的外形尺寸的层叠体;和在层叠体的长度方向上相互分开地设置在层叠体的表面的第I外部电极以及第2外部电极。在层叠电容器中，在层叠体中，使多个导电体层各自位于第I配置或第2配置，使得从上述层叠方向观察上述多个导电体层位于第I配置以及与第I配置不同的第2配置，并与多个电介质层的各自交替层叠。第I外部电极与多个导电体层当中的位于第I配置的导电体层连接。第2外部电极与多个导电体层当中的位于第2配置的导电体层连接。多个导电体层当中的至少位于上述层叠方向的最外侧的I个导电体层在上述层叠方向上弯曲，且包含在上述层叠方向上贯通的多个贯通部。若在层叠体的与长度方向正交的截面中将弯曲的导电体层在层叠体的宽度方向上等间隔地4等分，从上述宽度方向的一方侧其依次设为A区域、B区域、C区域以及D区域，则弯曲的导电体层的倾斜角在A区域大于B区域，且在D区域大于C区域，多个贯通部的最小尺寸的合计值在A区域大于B区域，且在D区域大于C区域。
[0016]在本发明的I个形态中，多个导电体层各自的宽度为层叠体的宽度的80%以下，层叠体的宽度与多个导电体层的各自的宽度之差的最大值不足0.07_。在此，所谓宽度，是指各部中的沿着宽度方向的尺寸。
[0017]在本发明的I个形态中，多个电介质层当中的至少I个是被位于第I配置以及第2配置的任一方的导电体层彼此所夹的无效电介质层。多个电介质层当中的至少I个是被位于第I配置的导电体层和位于第2配置的导电体层所夹的有效电介质层。
[0018]在本发明的I个形态中，无效电介质层与上述层叠方向上位于最外侧的2个导电体层当中的至少一方邻接。
[0019]在本发明的I个形态中，上述弯曲的导电体层的在层叠体的与长度方向正交的截面中的弯曲量大于与该导电体层邻接的电介质层的厚度。
[0020]在本发明的I个形态中，位于A区域以及D区域的各自的多个贯通部当中的至少一部分包含填充构件。
[0021 ]在本发明的I个形态中，填充构件包含构成多个电介质层的电介质材料。
[0022]在本发明的I个形态中，填充构件含硅。
[0023]发明的效果
[0024]根据本发明，能得到能一并抑制耐湿性的降低以及层间剥离的发生的小型、大电容的层叠电容器。
【附图说明】
[0025]图1是表示本发明的实施方式I所涉及的层叠电容器的外观的立体图。
[0026]图2是从I1-1I线箭头方向观察图1的层叠电容器的截面图。
[0027]图3是从II1-1II线箭头方向观察图1的层叠电容器的截面图。
[0028]图4是从IV-1V线箭头方向观察图2的层叠电容器的截面图。
[0029]图5是从V-V线箭头方向观察图2的层叠电容器的截面图。
[0030]图6是将图3中被一点划线包围的VI部放大表示的部分截面图。
[0031 ]图7是将图6的一部分进一步放大表不的部分放大图。
[0032]图8是表示本发明的实施方式I所涉及的层叠陶瓷电容器的制造方法的流程图。
[0033]图9是表示本发明的实施方式I所涉及的层叠电容器的加压前的母层叠体的沿着层叠电容器的长度方向L的截面图。
[0034]图10是表示本发明的实施方式I所涉及的层叠电容器的加压前的母层叠体的沿着层叠电容器的宽度方向W的截面图。
[0035]图11是表示本发明的实施方式I所涉及的层叠电容器的加压后的母层叠体的沿着层叠电容器的长度方向L的截面图。
[0036]图12是表示本发明的实施方式I所涉及的层叠电容器的加压后的母层叠体的沿着层叠电容器的宽度方向W的截面图。
[0037]图13是表示本发明的实施方式2所涉及的层叠电容器的构成的截面图。
[0038]图14是表示本发明的实施方式2所涉及的层叠电容器的加压前的母层叠体的沿着层叠电容器的长度方向L的截面图。
[0039]图15是表示本发明的实施方式2所涉及的层叠电容器的加压后的母层叠体的沿着层叠电容器的长度方向L的截面图。
[0040]图16是表示本发明的实施方式3所涉及的层叠电容器的构成的截面图。
[0041]图17是从XVI1-XVII线箭头方向观察图16的层叠电容器的截面图。
[0042]图18是表示本发明的实施方式3所涉及的层叠电容器的加压前的母层叠体的沿着层叠电容器的长度方向L的截面图。
[0043]图19是表示本发明的实施方式3所涉及的层叠电容器的加压后的母层叠体的沿着层叠电容器的长度方向L的截面图。
[0044]图20是表示本发明的实施方式4所涉及的层叠电容器的构成的截面图。
[0045]图21是表示本发明的实施方式4所涉及的层叠电容器的加压前的母层叠体的沿着层叠电容器的长度方向L的截面图。
[0046]图22是表示本发明的实施方式4所涉及的层叠电容器的加压后的母层叠体的沿着层叠电容器的长度方向L的截面图。
[0047]标号的说明
[0048]ll、lla、21、21a、31、31a、41、41a 母层叠体
[0049]HO层叠体
[0050]13,23电介质部
[0051]14、24导电图案
[0052]91平板模具
[0053]92 橡胶
[0054]100、110、200、300、400 层叠电容器
[0055]111 第 I 主面
[0056]112 第2主面
[0057]113 第 I 侧面
[0058]114 第2侧面
[0059]115 第 I 端面
[0060]116 第2端面[0061 ]120外部电极
[0062]121第I外部电极
[0063]122第2外部电极
[0064]130电介质层
[0065]131第I外层部
[0066]132第2外层部
[0067]133有效电介质层
[0068]134第I无效电介质层
[0069]135第2无效电介质层
[0070]140导电体层
[0071]141第I导电体层
[0072]142第2导电体层
[0073]148、149、348、349 最外导电体层
[0074]150 空隙
[0075]240第3导电体层
[0076]241第4导电体层
[0077]Bi^B2 弯曲量
[0078]CiX2 切割线
[0079]GlG2间隙的最大值
[0080]Lo基准线
[0081]Lw中心线
[0082]hAl、hA2、hA3、hBl、hc1、hDl、hD2、hD3 贯通部
【具体实施方式】
[0083]以下参考附图来说明本发明的各实施方式所涉及的层叠电容器以及其制造方法。在以下的实施方式的说明中，对图中的同一或相当部分标注同一标号，不再重复其说明。
[0084](实施方式I)
[0085]图1是表示本发明的实施方式I所涉及的层叠电容器的外观的立体图。图2是从I1-1I线箭头方向观察图1的层叠电容器的截面图。图3是从II1-1II线箭头方向观察图1的层叠电容器的截面图。图4是从IV-1V线箭头方向观察图2的层叠电容器的截面图。图5是从V-V线箭头方向观察图2的层叠电容器的截面图。图6是将图3中被一点划线包围的VI部放大来表示的部分截面图。图7是将图6的一部分进一步放大来表示的部分放大图。在图1中，图示了后述的层叠体的长度方向L、层叠体的宽度方向W、以及层叠体的层叠方向T。另外，在导电体层以及电介质层中，为了易于辨识而对一部分进行图示。
[0086]如图1?7所示那样，本发明的实施方式I所涉及的层叠电容器100具备:包含I层I层地交替层叠的多个导电体层140以及多个电介质层130的层叠体110;和由设于层叠体110的表面的第I外部电极121以及第2外部电极122构成的一对外部电极120。
[0087]多个电介质层130和多个导电体层140的层叠方向T与层叠体110的长度方向L以及层叠体110的宽度方向W正交。
[0088]层叠体110具有相互位于相反侧的第I主面111以及第2主面112。层叠体110还具有:将第I主面111和第2主面112连起来、且相互位于相反侧的第I端面115以及第2端面116;将第I主面111和第2主面112连起来并将第I端面115和第2端面116连起来、且相互位于相反侧的第I侧面113以及第2侧面114。第I侧面113与第2侧面114的最短距离不足第I端面115与第2端面116的最短距离。即，层叠体110的宽度方向W的尺寸小于层叠体110的长度方向L的尺寸。其中，也可以让层叠体110的宽度方向W的尺寸大于层叠体110的长度方向L的尺寸。层叠体110具有长方体状的外形。所谓长方体状的外形，是还包括长方体的角部以及棱线部的至少一方倒圆的形状的概念。
[0089]本发明的实施方式，将具备从层叠方向T观察形成矩形状、各边的尺寸为0.3mm以下的层叠体110的层叠电容器作为对象。优选地，层叠体110具有0.3mm以下的长度、以及
0.15mm以下的宽度的外形尺寸。在本实施方式中，层叠体110的外形尺寸(设计值)是长度
0.213mm、宽度0.103mm、厚度0.103mm。
[0090]在本实施方式中，一对外部电极120在层叠体110的长度方向L上相互分开地设置在层叠体110的表面。具体地，一对外部电极120由设置在层叠体110的长度方向L的第I端面115侧的第I外部电极121、以及设置在层叠体110的长度方向L的第2端面116侧的第2外部电极122构成。
[0091]在层叠体110中，多个导电体层140各自位于第I配置或第2配置，使得从层叠方向T观察多个导电体层140位于第I配置以及与第I配置不同的第2配置，并与多个电介质层130
各自交替层叠。
[0092]多个导电体层140包含:位于第I配置并与第I外部电极121连接的多个第I导电体层141;和位于第2配置并与第2外部电极122连接的多个第2导电体层142。
[0093]多个第I导电体层141以及多个第2导电体层142的各自，俯视观察为大致矩形。更详细地，多个第I导电体层141的各自，在俯视观察下除了第I端面115侧的3边各自向外侧膨胀。多个第2导电体层142的各自在俯视观察下，除了第2端面116侧以外的3边各自向外侧膨胀。
[0094]优选地，在多个第I导电体层141以及多个第2导电体层142各自中，在长度方向L上延伸的2边的宽度方向W上的膨胀量的合计值，大于在宽度方向W上延伸的I边的长度方向L上的膨胀量。在该情况下，在层叠体110的角部抑制第I导电体层141以及第2导电体层142靠近从而更加维持耐湿性，并且由于通过跨第I导电体层141以及第2导电体层142的各自的全长而宽度变宽增大了第I导电体层141与第2导电体层142的对置面积，因此能使静电容更加增大。出于同样的理由，优选地，在长度方向L上延伸的2边的宽度方向W上各自的膨胀量大于在宽度方向W上延伸的I边的长度方向L上的膨胀量。
[0095]在长度方向L上延伸的2边的宽度方向W上各自的膨胀量、它们的合计值、以及在宽度方向W上延伸的I边的长度方向L上的各个膨胀量如下那样计算。
[0096]如图4所示那样，从在层叠体的端面115露出的第I导电体层141的长度方向L的一端向侧面拉平行的2条直线SLlt3拉穿过2条直线SL1与第I导电体层141的边缘的交点的直线SL3。如图5所示那样，从在层叠体的端面116露出的第2导电体层142的长度方向L的另一端向侧面拉平行的2条直线SL2。拉穿过2条直线SL2与第2导电体层14 2的边缘的交点的直线SL3o
[0097]在长度方向L上延伸的2边的宽度方向W上各自的膨胀量，在图4中是第I导电体层141的第I侧面113侧的边缘与直线SL1的最长距离V1、以及第I导电体层141的第2侧面114侧的边缘与直线SL1的最长距离V2，它们的合计值是(VdV2)13在图5中，是第2导电体层142的第I侧面113侧的边缘与直线SL2的最长距离V1、以及第2导电体层142的第2侧面114侧的边缘与直线SL2的最长距离V2，它们的合计值是(V^V2)。
[0098]在宽度方向W上延伸的I边的长度方向L上的膨胀量在图4中是第I导电体层141的第2端面116侧的边缘与直线SL3的最长距离V3，在图5中是第2导电体层142的第I端面115侧的边缘与直线SL3的最长距离V3。
[0099]在本实施方式中，多个第I导电体层141各自在层叠体110的第I端面115露出，与第I外部电极121在第I端面115连接。多个第2导电体层142的各自在层叠体110的第2端面116露出，与第2外部电极122在第2端面116连接。在本实施方式中，第I导电体层141的层叠数为21层，第2导电体层142的层叠数为21层，导电体层140的层叠数为42层。
[0100]图3所示的多个导电体层140各自的宽度H14Q为层叠体110的宽度Hno的80%以下。层叠体110的宽度Hno与多个导电体层140各自的宽度H14Q之差的最大值不足0.07mm。由此，如后述那样，能使多个导电体层140易于铺开且易于弯曲。在本实施方式中，多个导电体层140各自的宽度H14Q(设计值)为0.063mm。因而，多个导电体层140各自的宽度Hwo(设计值)为层叠体110的宽度Hno(设计值)的61 %。层叠体110的宽度Hno(设计值)与多个导电体层140各自的宽度出40 (设计值)之差的最大值为0.04mm。
[0101]在宽度方向W上，层叠体110的第2侧面114与多个导电体层140的各自间的间隙的最大值G1(设计值)是0.02mm。在宽度方向W上，层叠体110的第I侧面113与多个导电体层140的各自间的间隙的最大值62 (设计值)是0.02mm。
[0102]多个导电体层140各自的长度(设计值)是0.135mm。层叠体110的长度(设计值)与多个导电体层140各自的长度(设计值)之差的最大值是0.078mm。多个导电体层140各自的厚度(设计值)是0.6μηι。
[0103]多个电介质层130包含:构成第I主面111的第I外层部131;构成第2主面112的第2外层部132;和被第I导电体层141以及第2导电体层142所夹的多个有效电介质层133。将层叠体110当中的被第I外层部131以及第2外层部132所夹的区域作为内层部。在本实施方式中，多个有效电介质层133各自的厚度(设计值)是0.75μπι。有效电介质层133的层叠数是41层。第I外层部131以及第2外层部132各自的厚度(设计值)是23μπι。
[0104]用扫描型电子显微镜观察通过研磨而使露出的层叠体110的与长度方向L正交的截面，测定沿着层叠方向T的层叠体110的在中心线以及从该中心线向两侧等间隔各拉2条的线的合计5条线上的厚度，取这5个测定值的平均值，由此得到多个导电体层140以及多个电介质层130各自的厚度。
[0105]在本实施方式所涉及的层叠电容器100中，多个导电体层140各自弯曲。具体地，如图2所示那样，多个导电体层140各自在层叠体110的与宽度方向W正交的截面中，从层叠体110的中央向沿着层叠方向T远离的方向凸状地弯曲。如图3所示那样，多个导电体层140各自在层叠体110的与长度方向L正交的截面中，从层叠体110的中央向沿着层叠方向T远离的方向凸状地弯曲。另外，并不需要多个导电体层140全都在层叠方向T上弯曲，只要至少I个导电体层140在层叠方向T上弯曲即可。
[0106]优选在层叠方向T上随着去往层叠体110的端侧，导电体层140慢慢弯曲量变大。在该情况下，能抑制电介质层130过度变厚所引起的静电容的降低、以及电介质层130过度变薄所引起的绝缘电阻的降低的各个降低。
[0107]如图3所示那样，层叠体110的层叠方向T上位于两端的2个导电体层140各自的在层叠体110的与长度方向L正交的截面中的弯曲量，大于与该导电体层140邻接的有效电介质层133的厚度。具体地，在层叠体110的层叠方向T上最靠近第I主面111的最外导电体层148的弯曲量仏大于与最外导电体层148邻接的有效电介质层133的厚度。在层叠体110的层叠方向T上最靠近第2主面112的最外导电体层149的弯曲量B2大于与最外导电体层149邻接的有效电介质层133的厚度。在本实施方式中，最外导电体层148的弯曲量仏以及最外导电体层149的弯曲量出各自为7.1μπι。
[0108]关于最外导电体层148、149，优选层叠体110的与长度方向L正交的截面中的弯曲量大于层叠体110的与宽度方向W正交的截面中的弯曲量。
[0109]如图6所示那样，在层叠体110的与长度方向L正交的截面中，若将弯曲的导电体层140在宽度方向W上等间隔地4等分，从上述宽度方向W的一方侧起依次设为A区域、B区域、C区域以及D区域，则弯曲的导电体层140的倾斜角在A区域大于B区域，且在D区域大于C区域。
[0110]若以最外导电体层148为例具体进行说明，则拉将最外导电体层148在宽度方向W上等间隔4等分的、沿着层叠体110的层叠方向T延伸的5条直线X1-X5t3直线X1与直线X2间的区域是A区域，直线X2与直线X3间的区域是B区域，直线X3与直线X4间的区域是C区域，直线X4与直线X5间的区域是D区域。
[0111]在层叠体110的与长度方向L正交的截面中，将穿过最外导电体层148的中心的弯曲的中心线设为Lw。将与穿过层叠体110的第I侧面113的中心和第2侧面114的中心的直线平行的基准线设为Lo。将连结A区域中的中心线Lw的两端的线段La和基准线Lo所成的锐角ΘΑ设为A区域中的最外导电体层148的倾斜角。同样地，将连结B区域中的中心线Lw的两端的线段Lb和基准线Lo所成的锐角ΘΒ设为B区域中的最外导电体层148的倾斜角。将连结C区域中的中心线Lw的两端的线段Lc和基准线Lo所成的锐角0C设为C区域中的最外导电体层148的倾斜角。将连结D区域中的中心线Lw的两端的线段Ld和基准线Lo所成的锐角0D设为D区域中的最外导电体层148的倾斜角。
[0112]在本实施方式中，在2个最外导电体层148、149中，A、B、C、D区域中的倾斜角的各平均值为Θα=22.4°、Θβ = 6.0°、0c = 7.3°、0d = 23.9°。用光学显微镜观察通过研磨而露出的层叠体110的与长度方向L正交的截面，由此测定导电体层140的倾斜角。
[0113]如图6、7所示那样，多个导电体层140各自形成在层叠体110的层叠方向T上贯通的多个贯通部形成。在图3中未图示贯通部。另外，并不需要在多个导电体层140的全部都形成在层叠体110的层叠方向T上贯通的多个贯通部，只要在至少I个导电体层140形成在层叠体110的层叠方向T上贯通的多个贯通部即可。
[0114]若以最外导电体层148为例具体进行说明，在最外导电体层148，在A区域形成3个贯通部11\1、1^、11\3，在8区域形成1个贯通部1^1，在(:区域形成1个贯通部&1，在0区域形成3个贯通部1^1、1^2、1103。
[0115]这些多个贯通部各自沿着弯曲的导电体层140的宽度的最小尺寸的合计值在A区域大于B区域，且在D区域大于C区域。贯通部的沿着弯曲的导电体层140的宽度的最小尺寸是连结贯通部的中心线Lw上的两端的最短距离。
[0116]若以最外导电体层148为例具体进行说明，则贯通部1^\1、1^2、1^3、1181、1^1、1^2、1103的宽度的最小尺寸分别为Ha1、Ha2、Ha3、Hb1、Hc1、Hd1、Hd2、Hd3。满足 Hai+Ha2+Ha3 > Hbi。满足 Hdi+Hd2+Hd3>Hc1o
[0117]如上述那样，在多个导电体层140各自中，随着靠近宽度方向W的端部，贯通部的数量以及宽度的合计值增加。这是因为，如后述那样，多个导电体层140各自由于摊开且弯曲，从而密度变低的缘故。特别在作为在层叠体110的层叠方向T上位于最外侧的导电体层140的、最外导电体层148、149中，由于弯曲的曲率半径小、进行弯曲时密度变得更低，因此较多形成比较大的贯通部。
[0118]在本实施方式中，多个导电体层140的全部中的A区域?D区域的贯通部的数量的平均值，在A区域为1.5个，在B区域为0.2个，在C区域为0.2个，在D区域为1.2个。另外，多个导电体层140的全部中的A区域?D区域的贯通部的上述宽度的合计值的平均值，在A区域为2.2μηι，在B区域为0.2μηι，在C区域为0.2μηι，在D区域为1.8μηι。
[0119]能用扫描型电子显微镜观察通过研磨而露出的层叠体110的与长度方向L正交的截面，由此测定贯通部的上述宽度。
[0120]在图6中，图示为多个贯通部的全部都包含含有构成多个电介质层130的电介质材料的填充构件，但实际如图7所示那样，多个贯通部当中的一部分包含填充构件，多个贯通部当中的剩余部分成为空隙150。若以最外导电体层148为例具体进行说明，则在A区域中，贯通部hA1以及贯通部hA3各自包含含有电介质材料的填充构件，贯通部hA2成为空隙150。
[0121]通过使贯通部包含含有电介质材料的填充构件，在相互间夹着导电体层140而邻接的电介质层130彼此的紧贴力增加。为了使该紧贴力增加，例如优选在作为电介质材料的钛酸钡中含硅。能用扫描型电子显微镜中所附带的电场放出型波长分散X射线分光器观察通过研磨而露出的层叠体110的与长度方向L正交的截面，由此来确定填充构件的组成。
[0122]另外，为了使上述的紧贴力增加，优选如图6所示那样，多个导电体层140各自的宽度方向W上的端部的位置错开。宽度方向W上的一端的位置在最外导电体层148是直线X1I,在与最外导电体层148邻接的第2导电体层142是直线X11上，在与该第2导电体层142邻接的第I导电体层141是直线X21I，直线X1、直线Xn和直线乂21位于在宽度方向W上相互错开的位置。
[0123]同样地，多个导电体层140各自的宽度方向W上的另一端的位置在最外导电体层148为直线X5上，在与最外导电体层148邻接的第2导电体层142为直线X15±，在与该第2导电体层142邻接的第I导电体层141为直线乂25上，直线Χ5、直线X15和直线乂25位于在宽度方向W上相互错开的位置。
[0124]以下详细说明层叠电容器100各自的构成。
[0125]作为构成电介质层130的材料，能使用以BaTi03、CaTi03、SrTi03或CaZrO3等为主成分的电介质陶瓷。另外，也可以将在这些主成分中添加Mn化合物、Mg化合物、Si化合物、Co化合物、Ni化合物或稀土类化合物等作为副成分的电介质陶瓷用作构成电介质层130的材料。在本实施方式中，用以BaTi03(钛酸钡)为主成分的相对介电常数为3400的电介质陶瓷构成电介质层130，将层叠电容器100的静电容(设计值)设为0.0lyF。
[0126]作为构成导电体层140的材料，例如能使用N1、Cu、Ag、Pd、Au等的金属、或者包含这些金属的至少I种的合金、例如Ag和Pd的合金等。优选导电体层140进一步包含构成电介质层130的电介质材料，作为共同材料。例如在构成电介质层130的电介质材料为BaTi03的情况下，优选包含BaT13作为共同材料。另外，优选导电体层140进一步包含Si(硅)作为共同材料。优选多个导电体层140各自的厚度在烧成后为0.2μηι以上2.Ομπι以下。
[0127]—对外部电极120包含:覆盖层叠体110的两端部而设的基底层;和覆盖该基底层而设的镀层。作为构成基底层的材料，能使用N1、Cu、Ag、Pd、Au等的金属、或包含这些金属的至少I种的合金例如Ag和Pd的合金等。优选基底层的厚度为5μηι以上20μηι以下。
[0128]作为基底层，可以是在层叠体110的两端部涂布导电性膏并烧固的层、或者和导电体层140同时烧成的层。除此以外，作为基底层，也可以是在层叠体110的两端部进行镀而形成的层、或在层叠体110的两端部涂布包含金属粒子的树脂膏并使其硬化的层。
[0129]作为构成镀层的材料，能使用N1、Cu、Ag、Pd、Au等的金属、或包含这些金属的至少I种的合金例如Ag和Pd的合金等。
[0130]镀层可以由多个层构成。在该情况下，作为镀层，优选是在Ni镀层上形成Sn镀层的2层结构。Ni镀层作为焊料阻挡层发挥功能。Sn镀层与焊料的润湿性良好。优选每I层的镀层的厚度为0.5μηι以上5μηι以下。
[0131]以下说明本实施方式所涉及的层叠电容器100的制造方法。图8是表示本发明的实施方式I所涉及的层叠陶瓷电容器的制造方法的流程图。
[0132]如图8所示那样，在制造层叠电容器100时，首先进行陶瓷浆的调制(工序SI)。具体地，将陶瓷粉末、粘合剂以及溶剂等以给定的配合比率混合，由此形成陶瓷浆。
[0133]接下来形成陶瓷生片(工序S2)。具体地，用硬模涂布机、凹版涂布机或微型凹版涂布机等将陶瓷浆在载体膜上成形为薄片状，由此制作陶瓷生片。
[0134]接下来形成母片材(工序S3)。具体地，在制作的多个陶瓷生片当中的一部分，在陶瓷生片上用丝网印刷或凹版印刷法等涂布用于形成导电体层的导电膏，使其成为给定的图案。优选地，导电膏包含上述的共同材料。如后述的图10所示那样，导电图案14具有在宽度方向上随着从导电图案14的中央部去往端部而变薄的圆弧形状。
[0135]如上述那样，准备形成了成为导电体层的导电图案的陶瓷生片、和未形成导电图案的陶瓷生片，作为母片材。另外，在用于形成导电体层的导电膏中也可以包含公知的粘合剂以及溶媒。
[0136]接下来将母片材层叠(工序S4)。具体地，为了形成第2外层部132而层叠给定片数的未形成导电图案的陶瓷生片，在其上依次层叠为了形成内层部而形成导电图案的多个陶瓷生片，在其上层叠给定片数的为了形成第I外层部131而未形成导电图案的陶瓷生片，由此构成层叠多个母片材而成的母层叠体。
[0137]接下来母层叠体被加压，使成为导电体层的导电图案延伸(工序S5)并且弯曲(工序S6)。另外，在本实施方式中，同时进行使成为导电体层导电图案延伸的工序S5、和使成为导电体层的导电图案弯曲的工序S6，但并不限于此，也可以分别分开进行。例如，也可以在进行了工序S5后再进行工序S6，在工序S5中，通过将仅构成内层部的母层叠体加压而使成为导电体层的导电图案延伸，在工序S6中，在该母层叠体层叠给定片数的构成第I外层部131以及第2外层部132的至少一方的陶瓷生片并再度进行加压，由此使成为导电体层的导电图案弯曲。
[0138]图9是表示本发明的实施方式I所涉及的层叠电容器的加压前的母层叠体的沿着层叠电容器的长度方向L的截面图。图10是表示本发明的实施方式I所涉及的层叠电容器的加压前的母层叠体的沿着层叠电容器的宽度方向W的截面图。图11是表示本发明的实施方式I所涉及的层叠电容器的加压后的母层叠体的沿着层叠电容器的长度方向L的截面图。图12是表示本发明的实施方式I所涉及的层叠电容器的加压后的母层叠体的沿着层叠电容器的宽度方向W的截面图。
[0139]如图9所示那样，在母层叠体11，在长度方向L上交替存在导电图案14大量存在的区域Y、和导电图案14仅比较少量存在的区域Z。另一方面，如图10所示那样，在母层叠体11，在宽度方向W上交替存在导电图案14大量存在的区域Y、和不存在导电图案14而仅存在电介质部13的区域N。
[0140]如图9?12所示那样，用一对平板模具91将母层叠体11在层叠方向T上加压而将其压接。在母层叠体11中，区域Y中的层叠密度密于区域Z、N中的层叠密度。由此，位于区域Y的导电图案14向区域Z、N摊开。导电图案14由于具有截面观察下随着从中央部去往缘部而变薄的圆弧形状，摊开的部分显著变薄。进而，在区域Z、N摊开的导电图案14被从第I外层部或第2外层部流动的陶瓷材料按压而向下侧凸状地突出。由此导电图案14的边缘部进一步变薄。优选如图9?12所示那样，在一对平板模具91的按压面安装橡胶92来对母层叠体11进行加压。由此能更有效果地使导电图案14弯曲。如上述那样成形母层叠体11a。
[0141]在此，在后述那样分断母层叠体时，在层叠体的长度方向上相互邻接的层叠体彼此当中的一方，在将形成成为第I导电体层141的位于第I配置的导电图案的陶瓷生片设为A图案、将形成成为第2导电体层142的位于第2配置的导电图案的陶瓷生片设为B图案时，由于将A图案和B图案重叠而被各导电图案所夹的陶瓷生片成为有效电介质层133。
[0142]另外，A图案以及B图案，能通过将形成I个种类导电图案的陶瓷生片层叠时错开位置来兼用使用。因此，能用形成I个种类的导电图案的陶瓷生片制造母层叠体。
[0143]在后述那样分断母层叠体时在层叠体的长度方向上相互邻接的层叠体彼此当中的另一方，形成成为第I导电体层141的位于第I配置的导电图案的陶瓷生片成为B图案，形成成为第2导电体层142的位于第2配置的导电图案的陶瓷生片成为A图案。如此，在分断母层叠体时在层叠体的长度方向上相互邻接的层叠体彼此的任一者中，在层叠工序(工序S4)中，将位于第I配置的导电体层和位于第2配置的导电体层夹着电介质层层叠。
[0144]接下来分断母层叠体(工序S7)。具体地，用切割机或划片机将母层叠体在区域Z以及区域N沿着切割线C1分断，由此制作多个长方体状的软质层叠体。接下来，适宜地进行软质层叠体的滚筒研磨(工序S8)，将软质层叠体的外表面(特别是角部以及棱线部)曲面状地倒圆。
[0145]接下来进行软质层叠体的烧成(工序S9)。具体地，将软质层叠体加热到给定的温度，由此将陶瓷材料以及导电材料烧结，来形成层叠体110。在该加热处理时，包含于导电图案14中的金属成分凝集。由于导电图案14的边缘部显著变薄，因此通过金属成分凝集而在导电图案14的边缘部形成贯通部。如上述那样，截面观察下圆弧形状地形成导电图案14，使该导电图案14摊开并弯曲，并进一步加热导电图案14，由此能在上述的区域A、D形成比较多的贯通部。
[0146]接下来形成外部电极(工序S10)。具体地，用各种印刷法或浸渍法等将外部电极形成用的导电膏涂布在层叠体110的两端部，进行加热，由此设置基底层。
[0147]接下来，在基底层上用镀法使金属成分附着来设置镀层。通过设置基底层的工序以及设置镀层的工序，能在层叠体110的两端部设置外部电极120，使其与导电体层140电连接。通过上述的一系列的工序，能制作本实施方式所涉及的层叠电容器100。
[0148]在本实施方式所涉及的层叠电容器100中，通过让相互间夹着有效电介质层133的导电体层140—边延伸一边弯曲，相互邻接的导电体层140彼此的对置面积增加。由此能不增大外形地增加静电容。即，能使层叠电容器100小型、大电容。
[0149]进而，通过让导电体层140弯曲，能加长导电体层140的端部与层叠体110的角部的距离。其结果，能抑制层叠电容器110的耐湿性降低。特别通过让最外导电体层148、149弯曲，能抑制层叠电容器110的耐湿性的降低。
[0150]在层叠电容器100中，通过让多个导电体层140各自的宽度H14Q为层叠体110的宽度H110的80%以下，且层叠体110的宽度Hno与多个导电体层140各自的宽度H14Q之差的最大值不足0.07mm，能使导电图案有效果地延伸以及弯曲。
[0151]具体地，在图10中，在区域N过窄的情况下，导电图案变得难以摊开。从该观点出发，为了充分摊开导电图案，优选导电体层140的宽度为层叠体110的宽度的80%以下。反之，在区域N过宽的情况下，在将导电图案充分摊开前，陶瓷生片彼此会压接而填满区域N的空隙，因此导电图案变得难以摊开。从该观点出发，为了充分摊开导电图案，优选导电体层140的宽度与层叠体110的宽度之差的最大值不足0.07mm。通过充分摊开导电体图案，能由在区域N流动的陶瓷生片使导电图案充分弯曲。
[0152]如本实施方式所涉及的层叠电容器100那样，虽然层叠体110的在层叠方向T上位于两端的2个最外导电体层148、149当中至少一方的在层叠体110的与长度方向L正交的截面中的弯曲量B1、B2大于与该导电体层邻接的有效电介质层133的厚度，但由于确实地确保了对静电容作出贡献的导电体层的实质的对置面积，因而优选。
[0153]在本实施方式所涉及的层叠电容器100中，通过导电体层140的贯通部包含含有电介质材料的填充构件，相互间夹着导电体层140而邻接的电介质层130彼此的紧贴力增加。由此能抑制层间剥离的发生。特别通过在易于通过因烧成时的电介质层130以及导电体层140的热收缩率之差而产生的内部应力发生层间剥离的最外导电体层148、149，贯通部包含含有电介质材料的填充构件，能在层叠电容器110抑制层间剥离的发生。通过在用于形成导电体层140的导电膏中含有电介质材料作为共同材料，能促进含有电介质材料的填充构件的形成。
[0154]在本实施方式所涉及的层叠电容器100中，由于在填充构件所含有的作为电介质材料的钛酸钡含硅，因此从烧成时粒生长而粗大化的陶瓷粒子的晶界偏析硅。偏析的硅沿着陶瓷粒子的晶界移动而聚集在相互邻接的电介质层130的界面。在邻接的电介质层130的界面存在大量微小的间隙，认为通过用硅填满该间隙，相互邻接的电介质层130彼此结合而紧贴力增加。通过在用于形成导电体层140的导电膏中含有硅作为共同材料，能促进含有硅的填充构件的形成。另外，填充构件也可以仅由硅构成。
[0155]本实施方式所涉及的层叠电容器100中，如图6所示那样，由于通过将多在个导电体层140各自的宽度方向W上的端部的位置错开，位于这些端部的近旁的电介质层130彼此锯齿状地相连而结合，因此相互邻接的电介质层130彼此的紧贴力增加。其结果，能在层叠电容器110进一步抑制层间剥离的发生。
[0156]以下说明在本实施方式所涉及的层叠电容器中对耐湿性进行验证的实验例。
[0157](实验例)
[0158]对实验条件进行说明。在将静电容0.0lyF的72个层叠电容器在温度85°C、湿度85%RH的气氛中保持2000个小时后，施加6.3V的电压来测定电阻值。将电阻值1.0 XlO8 Ω以下的层叠电容器判定为耐湿性不良。其结果，在本实施方式所涉及的层叠电容器中，没有耐湿性不良的层叠陶瓷电容器。
[0159]从上述的实验例能确认到，在本实施方式所涉及的层叠电容器100中没有发现耐湿性的降低。即，能不使耐湿性降低地得到小型、大电容的层叠电容器。
[0160]以下说明本发明的实施方式2所涉及的层叠电容器以及其制造方法。另外，本实施方式所涉及的层叠电容器以及其制造方法，由于仅在层叠体的层叠图案与实施方式I所涉及的层叠电容器以及其制造方法不同，因此对其他构成不再重复说明。
[0161](实施方式2)
[0162]图13是表示本发明的实施方式2所涉及的层叠电容器的构成的截面图。在图13中，以和图2同一截面观察示出。图13的层叠电容器的从II1-1II线箭头方向观察的截面如图3所示那样。
[0163]如图13所示那样，本发明的实施方式2所涉及的层叠电容器200，与第I导电体层141的第2端面116侧的端部空开间隔地设置与第2外部电极122连接的第3导电体层240。与第2导电体层142的第I端面115侧的端部空开间隔地设置与第I外部电极121连接的第4导电体层241。
[0164]在本发明的实施方式2所涉及的层叠电容器200中，由于存在第3导电体层240以及第4导电体层241，因此第I导电体层141以及第2导电体层142难以在长度方向L上变宽。其结果，第I导电体层141以及第2导电体层142变得易于在宽度方向W上变宽。在该情况下，能够在抑制第I导电体层141以及第2导电体层142靠近层叠体110的角部从而更加维持耐湿性的同时，通过跨第I导电体层141以及第2导电体层142各自的全长而让宽度变宽，使得第I导电体层141与第2导电体层142的对置面积变大，因此能使静电容更加增大。
[0165]在本发明的实施方式2所涉及的层叠电容器的制造方法中，压接母层叠体时成为下述那样。
[0166]图14是表示本发明的实施方式2所涉及的层叠电容器的加压前的母层叠体的沿着层叠电容器的长度方向L的截面图。图15是表示本发明的实施方式2所涉及的层叠电容器的加压后的母层叠体的沿着层叠电容器的长度方向L的截面图。另外，关于沿着层叠电容器的宽度方向W的截面，由于和实施方式I所涉及的母层叠体同样，因此不再重复说明。
[0167]如图14所示那样，在母层叠体21，在长度方向L上按照顺序，反复存在导电图案24大量存在的区域￥!以及Y2、和导电图案24仅比较少量存在的区域2!以及Z2。
[0168]如图14所示那样，通过静水压压机等手段，用在按压面安装橡胶92的一对平板模具91，让母层叠体21在层叠方向T上被加压来压接。在母层叠体21中，区域Y^Y2中的层叠密度密于区域Z^Z2中的层叠密度。由此，在母层叠体堆积的橡胶92如图15所示那样，从区域Y1、Y2向区域Z^Z2流动变形地向下侧凸状突出，位于母层叠体的区域母片材彼此挤压地压接而紧贴。由此形成母层叠体21a。
[0169]接下来分断母层叠体(工序S6)。具体地，用切割机或划片机将母层叠体在区域Y2沿着切割线C2分断，由此制作多个长方体状的软质层叠体。
[0170]在本实施方式所涉及的层叠电容器的制造方法中，也能制造能一并抑制耐湿性的降低以及层间剥离的发生的小型、大电容的层叠电容器。
[0171]以下说明本发明的实施方式3所涉及的层叠电容器以及其制造方法。另外，本实施方式所涉及的层叠电容器以及其制造方法，由于仅在包含无效电介质层这点与实施方式I所涉及的层叠电容器以及其制造方法不同，因此关于其他构成不再重复说明。
[0172](实施方式3)
[0173]图16是表示本发明的实施方式3所涉及的层叠电容器的构成的截面图。图17是从XVI1-XVII线箭头方向观察图16的层叠电容器的截面图。在图16中，以与图2同一截面观察示出。
[0174]如图16、17所示那样，在本发明的实施方式3所涉及的层叠电容器300中，电介质层130包含:构成第I主面111的第I外层部131;构成第2主面112的第2外层部132;被第I导电体层141以及第2导电体层142所夹的至少I个有效电介质层133;和被第I导电体层141彼此或第2导电体层142彼此所夹的至少I个无效电介质层。作为无效电介质层，有被第I导电体层141彼此所夹的第I无效电介质层134、和被第2导电体层142彼此所夹的第2无效电介质层135。
[0175]无效电介质层的厚度和有效电介质层133的厚度实质同等。具体地，无效电介质层的厚度大于有效电介质层133的厚度的0.5倍且不足2倍。无效电介质层以及有效电介质层133各自由相同厚度的陶瓷生片形成。
[0176]在多个导电体层140中，有被有效电介质层133和无效电介质层所夹的导电体层140。具体地，在第I导电体层141与第2导电体层142间，第I导电体层141或第2导电体层142在各自之间夹着电介质层130并层叠。
[0177]将层叠体110当中被第I外层部131以及第2外层部132所夹的区域设为内层部。在本实施方式中，在内层部包含I层的第I无效电介质层134、和2层的第2无效电介质层135。
[0178]第I无效电介质层134位于内层部的第2主面112侧的端。2层的第2无效电介质层135当中的I层位于内层部的第I主面111侧的端。即，在层叠体110的层叠方向T上，位于两端的2个导电体层140各自与无效电介质层邻接。具体地，层叠体110的层叠方向T上，最靠近第I主面111的最外导电体层348与第2无效电介质层135邻接。层叠体110的层叠方向T上最靠近第2主面112的最外导电体层349与第I无效电介质层134邻接。
[0179]2层的第2无效电介质层135当中的另I层，位于将层叠体110的层叠方向T上位于两端的2个导电体层140间三等分后的中央部，位于最靠近内层部的中央的位置。即，位于将层叠体110的层叠方向T上位于两端的2个导电体层140间三等分后的中央部的导电体层140与无效电介质层邻接。
[0180]但无效电介质层的配置并不限于上述，只要无效电介质层与层叠体110的层叠方向T上位于最外侧的最外导电体层349以及最外导电体层348当中的至少一方邻接即可。
[0181]如图17所示那样，层叠体110的层叠方向T上位于两端的2个导电体层140各自在层叠体110的与长度方向L正交的截面中的弯曲量，大于与该导电体层140邻接无效电介质层的厚度。具体地，层叠体Il0的层叠方向T上最靠近第I主面111的最外导电体层348的弯曲量Bi，大于与最外导电体层348邻接的第2无效电介质层135的厚度。层叠体110的层叠方向T上最靠近第2主面112的最外导电体层349的弯曲量B2,大于与最外导电体层349邻接的第I无效电介质层134的厚度。
[0182]在本实施方式所涉及的层叠电容器300中，最外导电体层348、349起到保护位于内侧的导电体层140的功能。进而，由于导电体层140的层叠片数增加，因此在压制工序中，存在成为导电体层140的导电图案的区域与不存在成为导电体层140的导电图案的区域中的压力差变得更大，能使成为导电体层140的导电图案更加摊开。
[0183]在本发明的实施方式3所涉及的层叠电容器的制造方法中，压接母层叠体时成为下述那样。
[0184]图18是表示本发明的实施方式3所涉及的层叠电容器的加压前的母层叠体的、沿着层叠电容器的长度方向L的截面图。图19是表示本发明的实施方式3所涉及的层叠电容器的加压后的母层叠体的、沿着层叠电容器的长度方向L的截面图。另外，关于沿着层叠电容器的宽度方向W的截面，由于和实施方式I所涉及的母层叠体同样，因此不再重复说明。
[0185]如图18、19所示那样，在母层叠体31，在长度方向L上交替存在导电图案14大量存在的区域Y、和导电图案14仅比较少量存在的区域Z。
[0186]在此，在分断母层叠体31a时，在层叠体的长度方向上相互邻接的层叠体彼此当中的一方中，在将形成成为第I导电体层141的位于第I配置的导电图案的陶瓷生片设为A图案、将形成成为第2导电体层142的位于第2配置的导电图案的陶瓷生片设为B图案时，通过将A图案彼此重叠而被各导电图案所夹的陶瓷生片成为第I无效电介质层134。通过将B图案彼此重叠而被各导电图案所夹的陶瓷生片成为第2无效电介质层135。
[0187]S卩，通过对形成导电图案的陶瓷生片仅准备A图案以及B图案，能形成有效电介质层133、第I无效电介质层134以及第2无效电介质层135，能容易且有效率地制造母层叠体。另外，A图案以及B图案能通过将形成I个种类的导电图案的陶瓷生片在层叠时错开位置来兼用使用。因此，能以形成I个种类的导电图案的陶瓷生片制造母层叠体。
[0188]在本实施方式中，使夹着多个电介质层130当中任I者而相邻的至少一对导电体层都位于第I配置、或都位于第2配置。另外，上述至少一对导电体层包含层叠体110的层叠方向T上位于最外侧的2个导电体层当中的至少一方。
[0189]S卩，配置无效电介质层，使得层叠体110的层叠方向T上位于两端的2个导电体层140当中的至少一方的导电体层140与无效电介质层邻接。在该情况下，由于位于层叠体110的层叠方向T的端的无效电介质层具有保护位于内层部的内侧的有效电介质层的功能，因此能抑制层叠电容器100的耐湿性的降低而提升可靠性。
[0190]在本实施方式中，进一步配置无效电介质层，使得层叠体110的层叠方向T上位于中央的导电体层140与无效电介质层邻接。在该情况下，由于通过使母片材的压接时最易于变薄的位于层叠体110的中央的电介质层成为无效电介质层，即使无效电介质层变薄而绝缘电阻降低也没有短路的可能性，因此能提升层叠电容器300的可靠性。
[0191]在本实施方式所涉及的层叠电容器中，也能制造能一并抑制耐湿性的降低以及层间剥离的发生的小型、大电容的层叠电容器。
[0192]以下说明本发明的实施方式4所涉及的层叠电容器以及其制造方法。另外，本实施方式所涉及的层叠电容器以及其制造方法，由于仅内置在层叠体的层叠图案上与实施方式3所涉及的层叠电容器以及其制造方法不同，因此关于其他构成不再重复说明。
[0193](实施方式4)
[0194]图20是表示本发明的实施方式4所涉及的层叠电容器的构成的截面图。在图20中，在与图2同一截面观察下示出。图20的层叠电容器的从XVI1-XVII线箭头方向观察的截面如图17所示那样。
[0195]如图20所示那样，本发明的实施方式4所涉及的层叠电容器400，与第I导电体层141的第2端面116侧的端部空开间隔设置有与第2外部电极122连接的第3导电体层240。与第2导电体层142的第I端面115侧的端部空开间隔地设置有与第I外部电极121连接的第4导电体层241。本实施方式所涉及的层叠电容器400，一并具有实施方式2所涉及的层叠电容器200以及实施方式3所涉及的层叠电容器300各自的优点。
[0196]在本发明的实施方式4所涉及的层叠电容器的制造方法中，压接母层叠体时成为下述那样。
[0197]图21是表示本发明的实施方式4所涉及的层叠电容器的加压前的母层叠体的沿着层叠电容器的长度方向L的截面图。图22是表示本发明的实施方式4所涉及的层叠电容器的加压后的母层叠体的沿着层叠电容器的长度方向L的截面图。另外，关于沿着层叠电容器的宽度方向W的截面，由于和实施方式I所涉及的母层叠体同样，因此不再重复说明。
[0198]如图21所示那样，在母层叠体41，在长度方向L上，按照顺序反复存在导电图案24大量存在的区域￥!以及Y2、和导电图案24仅比较少量存在的区域2!以及Z2。
[0199]如图21所示那样，通过静水压压机等手段，用在按压面安装橡胶92的一对平板模具91对母层叠体41在层叠方向T上加压而使其压接。在母层叠体41中，区域Y^Y2中的层叠密度密于区域Z^Z2中的层叠密度。由此，在母层叠体推压的橡胶92如图22所示那样，从区域Y1、Y2向区域Z^Z2流动变形地向下侧凸状突出，使位于母层叠体的区域Z^Z2的母片材彼此挤压地压接而紧贴。由此形成母层叠体41a。
[0200]接下来分断母层叠体(工序S6)。具体地，通过用切割机或划片机将母层叠体在区域Y2沿着切割线C2分断，来制作多个长方体状的软质层叠体。
[0201]在本实施方式所涉及的层叠电容器的制造方法中，也能制造能抑制耐湿性的降低以及层间剥离的发生的小型、大电容的层叠电容器。
[0202]本次公开的实施方式，在全部点上都是例示而不应认为是限制。本发明的范围不是由上述的说明，而是由权利要求的范围示出，意图包含和权利要求的范围等同的意义以及范围内的全部变更。
【主权项】
1.一种层叠电容器的制造方法，所述层叠电容器具备: 包含交替层叠的多个导电体层以及多个电介质层、具有从层叠方向观察各边的尺寸为0.3mm以下的外形尺寸的层叠体;和 设置在所述层叠体的表面的第I外部电极以及第2外部电极， 其中，所述层叠电容器的制造方法具备: 层叠工序，通过使所述多个导电体层各自位于第I配置或与该第I配置不同的第2配置，使得从所述层叠方向观察所述多个导电体层位于所述第I配置以及所述第2配置，并与所述多个电介质层各自交替层叠，由此形成层叠体； 延伸工序，将所述层叠体加压，使所述多个导电体层在与所述层叠方向正交的方向上延伸； 弯曲工序，将所述层叠体加压，来使所述多个导电体层当中至少I个在所述层叠方向上弯曲；和 外部电极形成工序，在所述层叠体的表面形成所述第I外部电极以及所述第2外部电极各自，使得所述第I外部电极与所述多个导电体层当中位于所述第I配置的导电体层连接，且所述第2外部电极与所述多个导电体层当中位于所述第2配置的导电体层连接。2.根据权利要求1所述的层叠电容器的制造方法，其中， 所述多个导电体层各自的厚度随着从中央部去往缘部而变薄。3.根据权利要求1或2所述的层叠电容器的制造方法，其中， 所述多个导电体层各自包含钛酸钡以及硅的至少一方。4.根据权利要求1?3中任一项所述的层叠电容器的制造方法，其中， 在所述层叠工序中，使夹着所述多个电介质层当中任一者而相邻的至少一对导电体层都位于所述第I配置，或都位于所述第2配置。5.根据权利要求4所述的层叠电容器的制造方法，其中， 所述至少一对导电体层包含所述层叠方向上位于最外侧的2个导电体层当中的至少一方。6.—种层叠电容器，具备: 包含交替层叠的多个导电体层以及多个电介质层、具有从层叠方向观察各边的尺寸为0.3mm以下的外形尺寸的层叠体;和 在所述层叠体的长度方向上相互分开地设置在所述层叠体的表面的第I外部电极以及第2夕卜部电极， 在所述层叠体中，使所述多个导电体层各自位于第I配置或与该第I配置不同的第2配置，使得从所述层叠方向观察所述多个导电体层位于所述第I配置以及所述第2配置，并与所述多个电介质层各自交替层叠， 所述第I外部电极与所述多个导电体层当中位于所述第I配置的导电体层连接， 所述第2外部电极与所述多个导电体层当中位于所述第2配置的导电体层连接， 所述多个导电体层当中至少位于所述层叠方向的最外侧的I个导电体层在所述层叠方向上弯曲，并包含在所述层叠方向上贯通的多个贯通部， 在所述层叠体的与长度方向正交的截面中，若将弯曲的导电体层在所述层叠体的宽度方向上等间隔地4等分，并从所述宽度方向的一方侧起依次设为A区域、B区域、C区域以及D区域， 则所述弯曲的导电体层的倾斜角在所述A区域大于所述B区域，且在所述D区域大于所述C区域， 所述多个贯通部的最小尺寸的合计值在所述A区域大于所述B区域，且在所述D区域大于所述C区域。7.根据权利要求6所述的层叠电容器，其中， 所述多个导电体层各自的宽度为所述层叠体的宽度的80%以下， 所述层叠体的宽度与所述多个导电体层的各自的宽度之差的最大值不足0.07_。8.根据权利要求6或7所述的层叠电容器，其中， 所述多个电介质层当中至少I个是被位于所述第I配置以及所述第2配置任一方的导电体层彼此所夹的无效电介质层， 所述多个电介质层当中的至少I个是被位于所述第I配置的导电体层和位于所述第2配置的导电体层所夹的有效电介质层。9.根据权利要求8所述的层叠电容器，其中， 所述无效电介质层与所述层叠方向上位于最外侧的2个导电体层当中的至少一方邻接。10.根据权利要求6?9中任一项所述的层叠电容器，其中， 所述弯曲的导电体层的在所述层叠体的与长度方向正交的截面中的弯曲量，大于与该导电体层邻接的电介质层的厚度。11.根据权利要求6?10中任一项所述的层叠电容器，其中， 位于所述A区域以及所述D区域的各自的所述多个贯通部当中的至少一部分包含填充构件。12.根据权利要求11所述的层叠电容器，其中， 所述填充构件包含构成所述多个电介质层的电介质材料。13.根据权利要求11或12所述的层叠电容器，其中， 所述填充构件含硅。
【文档编号】H01G4/12GK105914038SQ201610090274
【公开日】2016年8月31日
【申请日】2016年2月17日
【发明人】月田祐树, 正井裕士
【申请人】株式会社村田制作所