校准用在片电容标准件及其制备方法
【专利摘要】本发明公开了一种校准用在片电容标准件及其制备方法，涉及测试用计量装置技术领域。所述标准件包括绝缘衬底，所述绝缘衬底的上表面设有若干个电容值不同的标准电容和一个标准开路器。本发明所述在片电容标准件，可以实现对整体校准MEMS晶圆片测量系统在片电容参数的整体计量校准，实现量值溯源，确保MEMS生产过程中的晶圆片级测量结果准确、一致。该标准件能够提供具有溯源性的电容值（1pF～100pF，测试频率1kHz～100kHz），可以根据需要在上述量值范围内进行设计。
【专利说明】
校准用在片电容标准件及其制备方法
技术领域
[0001] 本发明设及测试用计量装置技术领域，尤其设及一种校准用在片电容标准件及其 制备方法。
【背景技术】
[0002] MEMS晶圆片测试系统是各MEMS研制生产单位用于批量、快速测试忍片特征参数、 评价忍片性能、剔除不合格忍片的专用测试设备，主要用于测试MEMS器件的极板电容值(电 容参数）的特性，准确测量运些参数对于保证MEMS产品准确可靠和保障成品率有着极其重 要的意义。
[0003] MEMS晶圆片测试系统的典型结构如图1所示，由电容测量仪器、矩阵开关、电源模 块、探针台系统构成。其中，探针台系统主要包括连接线缆，探针台、探针卡(或探针座)等部 件。
[0004] 电容测量的目的在于通过测量梳齿电容中固定齿或者活动齿之间的微小电容值， 根据电参数进而推导出对应的物理参数如加速度值，从而完成加速度计的设计工作。因此， 电容参数的准确测量对晶圆片尤其是对最终产品的质量有重要意义。
[0005] 下面WMEMS电容加速度计产品的晶圆片测试为例，电容参数测试过程及其重要 性。典型的MEMS电容加速度计结构如图2所示，为梳齿结构。即敏感元件为一双侧梳齿结构， 固定齿与活动齿可将外界非电量的变化(如外界的加速度)转换成电容量的变化，用于加速 度等物理量的测量。质量块为H型，四根细梁(如a、b两点)将质量块固定于水平方向，质量块 随外界加速度的变化而沿着水平方向自由运动。活动齿从质量块向两侧伸出，与固定齿(如 c、d两点）形成电容的两个电极，若干组电极交错配置，形成差动检测电极，从而测量外界加 速度信号的变化。
[0006] 在理论设计时，梳齿电容的值是经过设计的，实际加工出来的忍片希望电容值尽 量符合设计值。加速度计产品的最终特性直接与电容值相关，因此为了获得加速度计的特 性，必须精确测量固定齿之间、活动齿之间，或者固定齿与活动齿之间的电容值。鉴于在 MEMS晶圆片测试系统电容参数准确度对产品质量的重要意义，需要对该类系统进行整体计 量校准，运样也避免了由于频繁拆卸系统中各类仪器(如矩阵开关、LCR测量仪、电源模块） 可能引起的系统整体性能不一致的情况，从而实现在片电容量值的整体溯源，确保量值准 确、一致，保障了前道工艺环节和后道测试封装环节的顺利开展，避免了封装成本的浪费， 提高了生产效率。
[0007] 国内已有公开的技术手段和产品均无法实现对MEMS晶圆片测试系统电容的计量 校准，仪器厂家采取的校准方案是将系统的组成仪器单台进行校准，单台仪器的准确不能 保证探针端面的准确，运是因为探针端面的测量结果受外界电磁干扰和探针系统的影响量 较大，运样无法消除由于引线、探针卡、探针台带来的影响量;MEMS厂家常采用被测产品作 为验证件，运种做法的弊端是操作者没有手段保证验证件的长期稳定性，况且无法测量其 准确度。上述两种手段一是无法校准至探针端面，二是无法保证其准确度，因此无法实现电 容参数的溯源，无法达到量值准确、一致的目的。
[0008] 国外公开报道的文献无针对中测环节的在片标准件的相关报道。NIST仅对MEMS最 终产品（如M E M S加速度计、M E M S巧螺仪等）的测试系统所应用的五合一参考标准物质 (RM8096和RM8097)进行了相关阐述并作为产品出售。此种标准物质可W测量MEMS产品的八 大技术特性(杨氏模量、台阶高度、残余应变、应变梯度、平面长度、残余应力、应力梯度、横 梁厚度）。但是，运些参数是最终产品的特性参数，而非本文所提及的"中测环节"晶圆片测 试阶段所需。
[0009] 综上，现有的公开技术和商品化的标准样片或标准物质均无法解决MEMS晶圆片测 试系统在片直流电阻、电容参数的整体校准问题。
【发明内容】
[0010] 本发明所要解决的技术问题是提供一种校准用在片电容标准件及其制备方法，所 述标准件可W解决在片电容参数的在片校准问题，实现MEMS工艺中常用的MEMS晶圆片测试 系统的在片电容参数的溯源，确保量值准确、一致。
[0011] 为解决上述技术问题，本发明所采取的技术方案是:一种校准用在片电容标准件， 其特征在于:包括绝缘衬底，所述绝缘衬底的上表面设有若干个电容值不同的标准电容和 一个标准开路器。
[0012] 进一步的技术方案在于:所述标准电容所述包括衬底，所述衬底上设有梳齿电容， 所述梳齿电容包括若干个并联连接的分立电容，其中梳齿电容的负极位于两行电容的内 侧，且电容的负极上设有两个负极板，所述电容的正极位于两行电容的外侧，且电容的正极 上设有两个正极板，所述极板设置一列，且正极板位于所述标准电容的后侧，所述负极板位 于所述标准电容的前侧，与所述极板一列的衬底上设有接地极板，所述的两个正极板和两 个负极板用于与LCR测量仪连接，实现对所述标准电容的测量，其中的两个正极板分别用于 连接LCR测量仪的Ih端和扣端，两个负极板分别用于连接LCR测量仪的Il端和Pl端。
[0013] 进一步的技术方案在于:所述标准电容还包括与所述正极极板、负极极板W及接 地极板左右对称的五个分立的第一预留极板。
[0014] 进一步的技术方案在于：同一侧两个电极之间的距离为200皿-400皿，水平方向两 个电极之间的距离为
[0015] 进一步的技术方案在于:所述标准开路器包括衬底，所述衬底的左侧或右侧设有 一列五行极板，其中位于后侧的两个第一极板用于通过金属引线与梳齿电容的正极连接， 中间的两个第二极板用于通过金属引线与梳齿电容的负极连接，最前侧的一个第=极板用 于接地。
[0016] 进一步的技术方案在于:与所述第一至第=电极板左右对称的另一侧设有五个分 立的第二预留极板。
[0017] 进一步的技术方案在于:所述标准电容设有S个，容值分别为lpF、10pF和l(K)pF。
[0018] 本发明还公开了一种校准用在片电容标准件制备方法，其特征在于包括如下步 骤：
[0019] 1)在两个晶圆片上分别制备电容和开路器，其中的一个晶圆片包括若干个不同容 值的电容，另一个晶圆片上包括若干个开路器；
[0020] 2)对晶圆片进行划片处理，形成若干个分立的电容和开路器，采用MEMS忍片圆片 级封装工艺对分立的电容进行封装；
[0021] 3)使用LCR测量仪对分立的电容和开路器进行测试，选取出符合要求的电容和开 路器作为标准电容和标准开路器；
[0022] 4)采用石英块作为载体，将标准电容和标准开路器粘附在石英块上，形成电容标 准件。
[0023] 进一步的技术方案在于:所述的在晶圆片上制备电容的方法如下：
[0024] 1)在晶圆片上完成标识、划片道制备；
[0025] 2)通过光刻、刻蚀完成腐蚀窗口的制备；
[0026] 3)通过光刻、金属化工艺完成金属布线；
[0027] 4)通过光刻、刻蚀工艺完成键合块制备；
[0028] 5)通过光刻、刻蚀工艺完成梳齿电容结构制备；
[0029] 6)完成所有结构的键合；
[0030] 7)通过光刻、刻蚀工艺完成探针测试窗口的制作，使极板露出。
[0031] 进一步的技术方案在于:所述的梳齿电容的制备方法如下：
[0032] 1)通过在顶层娃和背衬底之间引入一层埋氧化层，制备SOI结构；
[0033] 2)用光刻胶做掩膜层，利用ICP深槽刻蚀方法将SOI结构的下层娃基底部分刻蚀 掉；
[0034] 3)利用Rffi反应离子刻蚀方法将二氧化娃层的中间刻蚀掉；
[0035] 4)利用瓣射工艺在上述二氧化娃的位置瓣射一层金属膜W克服Nothing效应：
[0036] 5)在SOI结构的顶层娃上涂一层光刻胶，并进行光刻制作出齿状图形；
[0037] 6)利用ICP深槽刻蚀方法刻蚀出所需的质量块图形；
[0038] 7)利用腐蚀方法将SOI结构中间的金属膜腐蚀掉；
[0039] 8)利用腐蚀方法将SOI结构最上面的光刻胶去除，释放器件结构。
[0040] 采用上述技术方案所产生的有益效果在于:本发明所述在片电容标准件，可W实 现对整体校准MEMS晶圆片测量系统在片电容参数的整体计量校准，实现量值溯源，确保 MEMS生产过程中的晶圆片级测量结果准确、一致。该标准件能够提供具有溯源性的电容值 (IpF~10化F，测试频率化化~IOOk化），可W根据需要在上述量值范围内进行设计。该标准 件采用MEMS忍片圆片级封装，使得标准件不受外界尘埃、溫湿度、电磁干扰等因素的影响， 具有良好的重复性和长期稳定性。
【附图说明】
[0041] 图1是典型的在MEMS晶圆片测试系统结构示意图；
[0042] 图2是典型的电容加速度计结构示意图；
[0043] 图3是梳齿电容的原理示意图；
[0044] 图4是光刻版版图设计示意图；
[0045] 图5是本发明实施例中所述标准电容的制备流程图；
[0046] 图6a-图化是梳齿电容的制备图；
[0047] 图7是本发明实施例中所述标准电容的结构示意图；
[0048] 图8是本发明实施例中所述标准开路器的结构示意图；
[0049] 图9是电容定标过程连接示意图；
[0050] 图10是本发明实施例中所述标准件的结构示意图；
[0051] 其中：1、质量块2、固定齿3、活动齿4、正极板5、负极板6、梳齿电容7、探针测 试窗口 8、腐蚀窗口 9、电容结构10、金属布线11、划片道
【具体实施方式】
[0052] 下面结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整 地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于 本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他 实施例，都属于本发明保护的范围。
[0053] 在下面的描述中阐述了很多具体细节W便于充分理解本发明，但是本发明还可W 采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可W在不违背本发明内涵的 情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
[0054] 如图10所示，本发明公开了一种校准用在片电容标准件，包括绝缘衬底，所述绝缘 衬底的上表面设有若干个电容值不同的标准电容和一个标准开路器，在本实施例中所述标 准电容设有S个，容值分别为IpF、1 OpF和10化F，需要指出的是，标准电容的容值并不局限 于上述类型，本领域技术人员可W根据实际需要进行选定和设置。
[0055] 在本发明的一个实施例中，如图7所示，所述标准电容所述包括衬底，所述衬底上 设有梳齿电容，所述梳齿电容包括若干个并联连接的分立电容，其中梳齿电容的负极位于 两行电容的内侧，且电容的负极上设有两个负极板，所述电容的正极位于两行电容的外侧， 且电容的正极上设有两个正极板，所述极板设置一列，且正极板位于所述标准电容的后侧， 所述负极板位于所述标准电容的前侧，与所述极板一列的衬底上设有接地极板，所述的两 个正极板和两个负极板用于与LCR测量仪连接，实现对所述标准电容的测量，其中的两个正 极板分别用于连接LCR测量仪的Ih端和Ph端，两个负极板分别用于连接LCR测量仪的Il端和 Pl端。
[0056] 进一步的为了 W后扩展方法，所述标准电容还包括与所述正极极板、负极极板W 及接地极板左右对称的五个分立的第一预留极板。
[0057] 在本发明的一个实施例中，如图8所示，所述标准开路器包括衬底，所述衬底的左 侧或右侧设有一列五行极板，其中位于后侧的两个第一极板用于通过金属引线与梳齿电容 的正极连接，中间的两个第二极板用于通过金属引线与梳齿电容的负极连接，最前侧的一 个第=极板用于接地，与所述第一至第=电极板左右对称的另一侧设有五个分立的第二预 留极板。
[005引本发明还公开了一种校准用在片电容标准件制备方法，包括如下步骤：
[0059] 1)在两个晶圆片上分别制备电容和开路器，其中的一个晶圆片包括若干个不同容 值的电容，另一个晶圆片上包括若干个开路器；
[0060] 2)对晶圆片进行划片处理，形成若干个分立的电容和开路器，采用MEMS忍片圆片 级封装工艺对分立的电容进行封装；
[0061] 3)使用LCR测量仪对分立的电容和开路器进行测试，选取出符合要求的电容和开 路器作为标准电容和标准开路器；
[0062] 4)采用石英块作为载体，将标准电容和标准开路器粘附在石英块上，形成电容标 准件。
[0063] 下面结合具体理论对W上结构进行说明：
[0064] 本发明制作的梳齿电容采用N组电容并联的结构设计，如图3所示。运种结构可W 在有限的空间内，将若干极板面积较小的电容并联起来而形成较大的电容，从而能获得较 大容值和分辨力。
[0065] 根据极板电容器计算公式：
[0066]
[0067] (其中e :介质的介电常数;1:极板的宽度:h:极板的高度;d:极板的间距;N:电容的 组数）。本发明采用的介质为空气，通过固定e、l、h和d值，调节N的个数，即改变并联电容的 组数，从而达到目标电容制备。
[0068] 为了实现标准电容的制备，衬底材料选择单晶娃，主要原因有6个方面:a)力学性 能稳定，并且可被集成到相同衬底的电子器件上;b)娃几乎是一个理想的结构材料，它具有 几乎与钢相同的杨氏模量，但却与侣一样轻;C)娃材料的质量轻，密度为不诱钢的1/3,而弯 曲强度却为不诱钢的3.5倍，它具有高的强度密度比和高的刚度密度比;d)它的烙点为1400 °C，约为侣的两倍;e)它的热膨胀系数比钢小倍，比侣小10倍;f)单晶娃具有优良的机械、物 理性质，其机械品质因数可高达106数量级，滞后和蠕变极小，几乎为零，机械稳定性好，是 理想的传感器和执行器的材料。因此，娃衬底在设计和制造中具有更大的灵活性，作为电容 标准样片的衬底。
[0069] 标准电容进行了版图设计，如图4所示。一共分为6个步骤:1)标识、划片道制备，位 于忍片最外侧的划片道，主要是为了电容圆片制作完成后切割为一个一个的小单元而制备 的；2)开腐蚀窗口，所有需要有结构的窗口都需要通过干法腐蚀的手段将结构形貌刻蚀出 来;3)金属布线制备，版图中所有的需要走信号的区域都需要实用金属Au进行金属布线，如 电容的正极、电容的负极W及两者与探针测试窗口 PAD的连线;4):键合块制备，本发明采用 的复合键合中的"金-娃键合"技术，原理是利用金娃互烙点低的特点；5):电容结构制备，灰 色的区域为电容器的梳齿结构，是由若干个高深宽比的齿并联而成的;6):探针测试窗口制 备，位于忍片的左右两侧各5个PAD, PAD制作的过程中设计采用的是干法腐蚀中的禪合反应 离子体刻蚀，整体工艺流程如图5所示。
[0070] 其中，梳齿电容的制备方法是关键，采用如图6a-6h所示的工艺，包括如下步骤：1) 在SOI器件结构的下层进行ICP体娃刻蚀;2)对二氧化娃层进行RIE刻蚀;3)金属膜瓣射:4) 娃膜上光刻;5)ICP质量块刻蚀;6)金属膜腐蚀;7)器件结构释放。
[0071] 通过电容模型的计算公式，按照工艺流程，遵循版图设计原则，在6寸Si圆片上实 现了 lpF、10pF、100pFS只电容值的制备，并且进行了分布设计，目的在于从一系列产品中 筛选出重复性、稳定性良好的样片作为最终的标准件。忍片的整体结构设计如图7所示。
[0072] 其中左侧为5个PAD内部与梳齿电容连接，外部作为测试端子，前四个作为测试端 口与探针(或者探卡)连接作为信号测试端子，最下面一个PAD作为外壳地端;右侧5个PAD内 部为空，是为了配合对称结构的探卡使用而专口设计的。
[0073] 根据MEMS产品的典型尺寸，对PAD(电极）间距和大小进行了设计：同一侧逐个PAD 垂直方向间隔约为300皿，水平方向两个PAD之间的尺寸为10mm，每个PAD的规格为（12.3* 4.1) Mi，外侧划片道的宽度为40]im，详细的PAD坐标位置如表所示。
[0074] 表1-PAD位置对应坐标
[0076] 根据MEMS产品的典型晶圆片布局，将预设计的3只标准件在晶圆片上进行分布排 列，按照lpF(3行）、10pF(2行）、l(K)pF(2行）的原则进行布局，一共排布了4组，共约230~250 个忍片。
[0077] 本发明设计在片开路器的主要目的是，消除梳齿电容核屯、器件之外的所有引线、 PAD、测试线缆、探针系统等因素带来的影响，准确定义设计的样片的电容值。设计思路是在 原有版图设计的基础上，将输出电容的部分去掉，其它保持不变，如图8所示。
[0078] 封装是利用某种材料将忍片保护起来，并与外界隔离的方式和加工方法。封装的 作用:具有保护和隔离作用;为忍片提供合适的外引线结构;为忍片提供散热和电磁屏蔽条 件;提高忍片的机械强度和抗外界冲击的能力。
[0079] MEMS器件要和测试环境之间形成一个接触界面而获取非电信号，而外部环境对灵 敏度极高的MEMS敏感元件来说都是非常苛刻的，它要有承受各方面环境影响的能力，比如 机械的（应力，摆动，冲击等）、化学的（气体，溫度，腐蚀介质等）、物理的(溫度压力，加速度 等)等。由于MEMS器件都包含有可活动的元件，由于MEMS器件体积小，因此都必须采用特殊 的技术和封装。本发明中的标准电容采取晶圆级封装的设计方案。W适应其悬浮、可动结构 的特殊性，防止它遭到损坏、粘附潮气、灰尘，达到避免失效的目的。
[0080] 遵循参数设计并按照版图设计，通过相关工艺流程，在6寸Si圆片上实现了 IpF、 lOpFUOOpFS只电容值的制备，并且进行了分布设计，目的在于从一系列产品中筛选出重 复性、稳定性良好的样片作为最终的标准件。
[0081] 定标装置进行定标时采用的是电容四线测量法，具体连接如图9所示。利用定标装 置对初次考核的数据进行筛选，选择工艺偏差在20% W内的作为待考核标准件，对初次筛 选完成的样片进行考核，间隔3个月考核一次，最终制作的标准件如图10所示。采用40mm* 40mm的2mm厚度的石英块作为载体，在其上通过激光打标机将单位、名称、编号、容值等信息 可在上面，将电容、开路器划片后粘附在石英块上，其中开路器为前文中MEMS工艺研制的电 容开路结构。标准件重复性优于0.05%，其年稳定性优于0.1 %，定标准确度1 %，可W开展 MEMS晶圆片测试系统的在片整体校准工作。
[0082] 本发明所述在片电容标准件，可W实现对整体校准MEMS晶圆片测量系统在片电容 参数的整体计量校准，实现量值溯源，确保MEMS生产过程中的晶圆片级测量结果准确、一 致。该标准件能够提供具有溯源性的电容值（IpF~10化F，测试频率化化~100曲Z )，可W根 据需要在上述量值范围内进行设计。该标准件采用MEMS忍片圆片级封装，使得标准件不受 外界尘埃、溫湿度、电磁干扰等因素的影响，具有良好的重复性和长期稳定性。
【主权项】
1. 一种校准用在片电容标准件，其特征在于:包括绝缘衬底，所述绝缘衬底的上表面设 有若干个电容值不同的标准电容和一个标准开路器。2. 如权利要求1所述的校准用在片电容标准件，其特征在于:所述标准电容所述包括衬 底，所述衬底上设有梳齿电容，所述梳齿电容包括若干个并联连接的分立电容，其中梳齿电 容的负极位于两行电容的内侧，且电容的负极上设有两个负极板，所述电容的正极位于两 行电容的外侧，且电容的正极上设有两个正极板，所述极板设置一列，且正极板位于所述标 准电容的后侧，所述负极板位于所述标准电容的前侧，与所述极板一列的衬底上设有接地 极板，所述的两个正极板和两个负极板用于与LCR测量仪连接，实现对所述标准电容的测 量，其中的两个正极板分别用于连接LCR测量仪的Ih端和P H端，两个负极板分别用于连接LCR 测量仪的II端和a端。3. 如权利要求2所述的校准用在片电容标准件，其特征在于:所述标准电容还包括与所 述正极极板、负极极板以及接地极板左右对称的五个分立的第一预留极板。4. 如权利要求3所述的校准用在片电容标准件，其特征在于：同一侧两个电极之间的距 离为200μηι-400μηι，水平方向两个电极之间的距离为5. 如权利要求1所述的校准用在片电容标准件，其特征在于：所述标准开路器包括衬 底，所述衬底的左侧或右侧设有一列五行极板，其中位于后侧的两个第一极板用于通过金 属引线与梳齿电容的正极连接，中间的两个第二极板用于通过金属引线与梳齿电容的负极 连接，最前侧的一个第三极板用于接地。6. 如权利要求5所述的校准用在片电容标准件，其特征在于:与所述第一至第三电极板 左右对称的另一侧设有五个分立的第二预留极板。7. 如权利要求1所述的校准用在片电容标准件，其特征在于:所述标准电容设有三个， 容值分别为1 pF、1 OpF和1 OOpF。8. -种校准用在片电容标准件制备方法，其特征在于包括如下步骤： 1) 在两个晶圆片上分别制备电容和开路器，其中的一个晶圆片包括若干个不同容值的 电容，另一个晶圆片上包括若干个开路器； 2) 对晶圆片进行划片处理，形成若干个分立的电容和开路器，采用MEMS芯片圆片级封 装工艺对分立的电容进行封装； 3) 使用LCR测量仪对分立的电容和开路器进行测试，选取出符合要求的电容和开路器 作为标准电容和标准开路器； 4) 采用石英块作为载体，将标准电容和标准开路器粘附在石英块上，形成电容标准件。9. 如权利要求8所述的校准用在片电容标准件制备方法，其特征在于，所述的在晶圆片 上制备电容的方法如下： 1) 在晶圆片上完成标识、划片道制备； 2) 通过光刻、刻蚀完成腐蚀窗口的制备； 3) 通过光刻、金属化工艺完成金属布线； 4) 通过光刻、刻蚀工艺完成键合块制备； 5 )通过光刻、刻蚀工艺完成梳齿电容结构制备； 6) 完成所有结构的键合； 7) 通过光刻、刻蚀工艺完成探针测试窗口的制作，使极板露出。10.如权利要求9所述的校准用在片电容标准件制备方法，其特征在于，所述的梳齿电 容的制备方法如下： 1) 通过在顶层硅和背衬底之间引入一层埋氧化层，制备SOI结构； 2) 用光刻胶做掩膜层，利用ICP深槽刻蚀方法将SOI结构的下层硅基底部分刻蚀掉； 3) 利用RIE反应离子刻蚀方法将二氧化硅层的中间刻蚀掉； 4) 利用溅射工艺在上述二氧化硅的位置溅射一层金属膜以克服Nothing效应： 5) 在SOI结构的顶层硅上涂一层光刻胶，并进行光刻制作出齿状图形； 6) 利用ICP深槽刻蚀方法刻蚀出所需的质量块图形； 7) 利用腐蚀方法将SOI结构中间的金属膜腐蚀掉； 8) 利用腐蚀方法将SOI结构最上面的光刻胶去除，释放器件结构。
【文档编号】B81C1/00GK106098582SQ201610628267
【公开日】2016年11月9日
【申请日】2016年8月3日 公开号201610628267.4, CN 106098582 A, CN 106098582A, CN 201610628267, CN-A-106098582, CN106098582 A, CN106098582A, CN201610628267, CN201610628267.4
【发明人】乔玉娥, 刘岩, 翟玉卫, 吴爱华, 丁晨, 梁法国, 丁立强, 杜蕾, 范雅洁
【申请人】中国电子科技集团公司第十三研究所