一种多晶硅片表面处理循环冷却装置的制造方法
【技术领域】
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[0001]本实用新型涉及硅片表面处理装置，尤其是一种多晶硅片表面处理循环冷却装置。
【背景技术】
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[0002]传统的多晶硅片酸腐蚀都在5-10度下完成，而且在酸腐蚀的过程中需要对槽式多晶制绒进行降温，现在技术中在制作该工序时候，需要人工添加补充液，对槽式多晶制绒进行降温，生产出的硅片表面的质量也是根据工人的经验决定。
[0003]因此，本实用新型在此提出一种多晶硅片表面处理循环冷却装置，以提高多晶硅酸腐蚀处理质量，从而降低硅片的反射率，提高电池片的电流。
【实用新型内容】:
[0004]针对现有技术中存在的缺陷，本实用新型的目的就是提供一种能在多晶硅片表面酸腐蚀处理时，自动冷却循环的一种多晶硅片表面处理循环冷却装置。
[0005]本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种多晶硅片表面处理循环冷却装置，其特征在于:包括反应槽，毛细冷却水管、补液槽，所述反应槽设在补液槽中，反应槽周边设置若干个毛细冷却水管与补液槽相连，补液槽中的液体通过毛细冷却水管自动补充到反应槽中。
[0006]采用以上技术方案，本实用新型的补液槽中的液体通过毛细冷却水管自动补充到反应槽中的循环冷却系统对槽式多晶制绒进行降温，使多晶硅片在0-2度下完成表面结构的处理，硅片的反射率降低4%左右，电池片的电流提升0.1A。
【附图说明】
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[0007]图1是本实用新型结构示意图
[0008]图标号说明:1-反应槽，2-毛细冷却水管，3-补液槽。
【具体实施方式】
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[0009]如图1所示，本实用新型提供一种多晶硅片表面处理循环冷却装置，其特征在于:包括反应槽(I)，毛细冷却水管(2)、补液槽(3)，所述反应槽(I)设在补液槽(3)中，反应槽
(I)周边设置若干个毛细冷却水管⑵与补液槽⑶相连，补液槽⑶中的液体通过毛细冷却水管(2)自动补充到反应槽(I)中，本实用新型设计采用以上技术方案，本实用新型的补液槽(3)中的液体通过毛细冷却水管(2)自动补充到反应槽(I)中的循环冷却系统对槽式多晶制绒进行降温，使多晶硅片在0-2度下完成表面结构的处理，硅片的反射率降低4%左右，电池片的电流提升0.1A。
【主权项】
1.一种多晶硅片表面处理循环冷却装置，其特征在于:包括反应槽(I)，毛细冷却水管(2)、补液槽(3)，所述反应槽(I)设在补液槽(3)中，反应槽(I)周边设置若干个毛细冷却水管(2)与补液槽(3)相连，补液槽(3)中的液体通过毛细冷却水管(2)自动补充到反应槽⑴中。
【专利摘要】本实用新型提供一种多晶硅片表面处理循环冷却装置，其特征在于：包括反应槽，毛细冷却水管、补液槽，所述反应槽设在补液槽中，反应槽周边设置若干个毛细冷却水管与补液槽相连，补液槽中的液体通过毛细冷却水管自动补充到反应槽中，本实用新型设计一种循环冷却系统对槽式多晶制绒进行降温，使多晶硅片在0-2度下完成表面结构的处理，硅片的反射率降低4％左右，电池片的电流提升0.1A。
【IPC分类】H01L21-00
【公开号】CN204558421
【申请号】CN201520138209
【发明人】陈德榜
【申请人】温州海旭科技有限公司
【公开日】2015年8月12日
【申请日】2015年3月5日