长转换为预定波长。但在本实用新型的其他实施例中，封装单元120不一定要包含波长转换粒子124，封装单元120也可以只包含封装胶体122用于保护发光单元110，如此发光元件结构100发出光线的波长等于发光单元110发出光线的波长。
[0023]请参考图3，图3是本实用新型发光元件结构的第二实施例的示意图。如图3所示，本实用新型的发光元件结构100’除了包含发光单元110，封装单元120，透明导光结构130以及第一周期性次波长微结构140之外，发光元件结构100’另包含第二周期性次波长微结构150，其形成于透明导光结构130及封装单元120之间。在本实用新型的实施例中，第二周期性次波长微结构150在透明导光结构130的下表面以蚀刻方式所形成，但在本实用新型的其他实施例中，第二周期性次波长微结构150也可以在透明导光结构130的下表面以沉积或其他适当加工方式(例如激光加工)所形成。由于第二周期性次波长微结构150的多孔152被封装单元120填满，因此第二周期性次波长微结构150的折射率介于透明导光结构130的折射率及封装单元120的折射率之间，也就是说，第二周期性次波长微结构150的折射率是介于1.5及1.6之间。
[0024]依据上述配置，由于第二周期性次波长微结构150的折射率介于透明导光结构130的折射率及封装单元120的折射率之间，光线经过封装单元120、第二周期性次波长微结构150及透明导光结构130时的折射率是渐变的，因此当发光单元110发出的光线经由封装单元120到达第二周期性次波长微结构150时，光线被第二周期性次波长微结构150及封装单元120的间的介面F4全反射的机会较少。相似地，当发光单元110发出的光线经由第二周期性次波长微结构150到达透明导光结构130时，光线被透明导光结构130及第二周期性次波长微结构150的间的介面F5全反射的机会也会较少，因此第二周期性次波长微结构150可以减少透明导光结构130及封装单元120之间光线被全反射的机会，以进一步增加发光元件结构100’的光取出率。
[0025]再者，相似于第一周期性次波长微结构140，第二周期性次波长微结构150的多孔152也形成周期性图案，且第二周期性次波长微结构150的相邻两孔中心之间的距离小于λ/m, λ表示发光单元110发出的光线通过封装单元120后的波长，m表示第二周期性次波长微结构150的折射率，如此可以避免光线通过第二周期性次波长微结构150时产生干涉或绕射。
[0026]另外，在本实用新型发光元件结构的第二实施例中，当封装单元120包含多个波长转换粒子124时，多个波长转换粒子124为量子点，且量子点可以填充于第二周期性次波长微结构150的多数孔152内。
[0027]另一方面，在第二周期性次波长微结构150的多数孔152形成的周期性图案中，相邻两孔中心之间的距离不一定是固定值，其也可以是规则性变化。且第二周期性次波长微结构150的周期性图案不一定要相同于第一周期性次波长微结构140的周期性图案。
[0028]区别于现有技术，本实用新型发光元件结构利用透明导光结构及周期性次波长微结构减少发光单元发出的光线被全反射的机会，以增加发光元件结构的光取出效率。再者，本实用新型发光元件结构的透明导光结构可增加发光元件结构的光发散角度，以进一步改善发光元件结构的照明效率。
[0029]以上所述仅为本实用新型的实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。
【主权项】
1.一种发光元件结构，其特征在于，该发光元件结构包含: 发光单元，用于发出光线； 封装单元，用于包覆该发光单元，该封装单元包含封装胶体及多个波长转换粒子，该多个波长转换粒子分散于该封装胶体中； 透明导光结构，设置于该封装单元上； 第一周期性次波长微结构，形成于该透明导光结构的表面，该第一周期性次波长微结构的折射率小于该透明导光结构的折射率，其中该第一周期性次波长微结构具有多孔及周期性图案，且相邻两孔中心之间的距离小于从该透明导光结构通过该第一周期性次波长微结构的光线的波长。2.根据权利要求1所述的发光元件结构，其特征在于，该多个波长转换粒子包含荧光粉或量子点。3.根据权利要求1所述的发光元件结构，其特征在于，该第一周期性次波长微结构以蚀刻或沉积方式形成在该透明导光结构的表面上。4.根据权利要求1所述的发光元件结构，其特征在于，该发光元件结构还包含: 第二周期性次波长微结构，形成于该透明导光结构及该封装单元之间，该第二周期性次波长微结构的折射率小于该透明导光结构的折射率而大于该封装单元的折射率，其中该第二周期性次波长微结构具有多孔及周期性图案，且相邻两孔中心之间的距离小于从该封装单元通过该第二周期性次波长微结构的光线的波长。5.根据权利要求4所述的发光元件结构，其特征在于，该第二周期性次波长微结构以蚀刻或沉积方式形成在该透明导光结构的表面上。6.一种发光元件结构，其特征在于，该发光元件结构包含: 发光单元，用于发出光线； 封装单元，用于包覆该发光单元，该封装单元包含封装胶体及多个波长转换粒子，该多个波长转换粒子分散于该封装胶体中； 透明导光结构，设置于该封装单元上； 第一周期性次波长微结构，形成于该透明导光结构表面，该第一周期性次波长微结构的折射率小于该透明导光结构的折射率，其中该第一周期性次波长微结构具有周期性图案，使得从该透明导光结构通过该第一周期性次波长微结构的光线不产生绕射。7.根据权利要求6所述的发光元件结构，其特征在于，该多个波长转换粒子包含荧光粉或量子点。8.根据权利要求6所述的发光元件结构，其特征在于，该第一周期性次波长微结构以蚀刻或沉积方式形成在该透明导光结构的表面上。9.根据权利要求6所述的发光元件结构，其特征在于，该发光元件结构还包含: 第二周期性次波长微结构，形成于该透明导光结构及该封装单元之间，该第二周期性次波长微结构的折射率小于该透明导光结构的折射率而大于该封装单元的折射率，其中该第二周期性次波长微结构具有周期性图案，使得从该封装单元通过该第二周期性次波长微结构的光线不产生绕射。10.根据权利要求9所述的发光元件结构，其特征在于，该第二周期性次波长微结构以蚀刻或沉积方式形成在该透明导光结构的表面上。
【专利摘要】本实用新型公开了一种发光元件结构。其包含：发光单元，用于发出光线；封装单元，用于包覆发光单元，封装单元包含封装胶体及多个波长转换粒子，多个波长转换粒子分散于该封装胶体中；透明导光结构，设置于封装单元上；第一周期性次波长微结构，形成于透明导光结构的表面，第一周期性次波长微结构的折射率小于透明导光结构的折射率，其中第一周期性次波长微结构具有多孔及周期性图案，且相邻两孔中心之间的距离小于从透明导光结构通过第一周期性次波长微结构的光线的波长。通过以上方式，减少发光单元发出的光线被全反射的机会，增加发光元件结构的光取出效率，还可增加发光元件结构的光发散角度，以进一步改善发光元件结构的照明效率。
【IPC分类】H01L33/58, H01L33/48
【公开号】CN204614808
【申请号】CN201520144954
【发明人】丁绍滢, 黄冠杰, 黄靖恩, 黄逸儒
【申请人】新世纪光电股份有限公司
【公开日】2015年9月2日
【申请日】2014年11月6日
【公告号】CN204167357U