弹性选择第一半导体层120、第二半导体层130以及第三半导体层140的材质。
[0049] 第一半导体层120的厚度可为约200~500埃(A)。应了解到，以上所举的第一半 导体层120的厚度仅为例示，而非用以限制本实用新型，本实用新型所属领域技术人员，可 依实际需要，弹性选择第一半导体层120的厚度。
[0050] 第二半导体层130的厚度可为约10000~15000埃(Λ)。应了解到，以上所举的第 二半导体层130的厚度仅为例示，而非用以限制本实用新型，本实用新型所属领域技术人 员，可依实际需要，弹性选择第二半导体层130的厚度。
[0051] 第三半导体层140的厚度可为约200~800埃(A)或200~400埃(A)。应了解 到，以上所举的第三半导体层140的厚度仅为例示，而非用以限制本实用新型，本实用新型 所属领域技术人员，可依实际需要，弹性选择第三半导体层140的厚度。
[0052] 具体而言，第一本体141具有第一顶面143,第一突出部144具有第二顶面145,第 一顶面143与第二顶面145邻接。更进一步来说，第一顶面143与第二顶面145可能共同 形成一个平面。
[0053] 如图1所绘示，第二顶面145自延伸平面190向相对于第一顶面143的外侧延伸 约100~500埃(人)。或者，第二顶面145自延伸平面190向相对于第一顶面143的外侧延 伸约200~400 ±矣(；1)。又或者，第二顶面145自延伸平面190向相对于第一顶面143的外 侧延伸约200~300埃(A)。
[0054] 具体而言，第一突出部144自延伸平面190向相对于第一本体141的外侧延伸的 距离，实质上随其高度增加而递增。
[0055] 另外，延伸平面190亦将第二半导体层130区分为第二本体134与第二突出部 135,第二突出部135自延伸平面190向相对于第二本体134的外侧延伸，且第一突出部144 沿着延伸平面190连接第二突出部135。
[0056] 具体而言，第二突出部135自延伸平面190向相对于第二本体134的外侧延伸的 距离，较第一突出部144自延伸平面190向相对于第一本体141的外侧延伸的距离小。第 二突出部135自延伸平面190向相对于第二本体134的外侧延伸的距离，实质上随其高度 增加而递增。
[0057] 综上所述，第一突出部144与第二突出部135共同组成一个形状类似于三角柱体 的突出部。
[0058] 光电二极管结构100与传统光电二极管结构皆为使用反应式离子蚀刻工艺形成， 然而光电二极管结构100的第一突出部144与第二突出部135必须在特定的参数下才可形 成。具体而言，反应式离子蚀刻工艺的气压（Pressure)应为70至120毫托（Millitorr)， 射频输出功率（RF-Output)应为1200至1400瓦特（Watt)，六氟化硫（SF6)气体的流入速 率应为 200 至 460sccm (Standard Cubic Centimeter per Minute)，氯化氢（HCl)气体的流 入速率应为350至780sccm。
[0059] 此处需要注意的是，光电二极管结构100的第一突出部144与第二突出部135是 在反应式离子蚀刻工艺中形成，并在形成后阻挡可能会直接撞击到光电二极管结构100的 侧壁的电浆离子。
[0060] 另外，在光电二极管结构100的后续相关的工艺中亦可能会再度使用反应式离子 蚀刻工艺，而这时第一突出部144与第二突出部135将能再次地发挥阻挡直接撞击光电二 极管结构100侧壁的电浆离子的功能。
[0061] 前述有关光电二极管结构100的结构描述并非仅适用于光电二极管结构100的其 中一侧，光电二极管结构100的其他侧亦可具有与前述结构描述相同的结构。
[0062] 图2绘示本实用新型一实施例的光电二极管结构100与传统的光电二极管结构 的漏电流强度-时间图。如图2所绘示，曲线300代表本实用新型的光电二极管结构100 在操作状态时漏电流强度与时间的关系，曲线400代表传统的光电二极管结构在操作状态 时漏电流强度与时间的关系。从图2我们可以发现，在光电二极管结构100与传统的光电 二极管结构的状态稳定后（即时间大于100秒），光电二极管结构100的漏电流强度约为 30fA/pixel，而传统的光电二极管结构的漏电流强度约为60fA/pixel。于是，光电二极管结 构100的漏电流强度相较传统的光电二极管结构的漏电流强度降低了约50%。
[0063] 图3绘示本实用新型不同实施例的光电二极管结构100与传统的光电二极管结构 的漏电流强度，其中取样面板编号1至取样面板编号6为传统的光电二极管结构，取样面板 编号7至取样面板编号10为不同实施例的光电二极管结构100。如图3所绘示，在光电二极 管结构100与传统的光电二极管结构的状态稳定后，传统的光电二极管结构的漏电流强度 几乎皆大于60fA/pixel，而不同实施例的光电二极管结构100的漏电流强度皆为约30fA/ pixel。由此来看，通过设置鸟嘴结构于光电二极管结构100确实可以稳定地有效降低其漏 电流强度。
[0064] 本实用新型上述实施方式通过让第一突出部144微幅凸出于第一本体141，并形 成一个鸟嘴结构，因此在形成光电二极管结构100的反应式离子蚀刻工艺中，第一突出部 144将可以阻挡可能会直接撞击到光电二极管结构100的侧壁的电浆离子。于是，光电二极 管结构100的侧壁结构将不会被破坏，进而大幅度降低光电二极管结构100在操作时会产 生的漏电流。
[0065] 虽然本实用新型已以实施方式公开如上，但是其并非用以限定本实用新型，任何 本领域技术人员，在不脱离本实用新型的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本 实用新型的保护范围当视所附的权利要求书所界定者为准。
【主权项】
1. 一种光电二极管结构，其特征在于，包含： 一第一半导体层； 一第二半导体层，设置于该第一半导体层上，其中该第二半导体层具有一侧壁，该侧壁 具有一上部、一下部以及连接该上部与该下部的一中央部，该中央部的一侧壁轮廓实质上 形成一平面；以及 一第三半导体层，设置于该第二半导体层上，其中该中央部向上延伸的一延伸平面会 将该第三半导体层区分为一第一本体与一第一突出部，该第一突出部自该延伸平面向相对 于该第一本体的外侧延伸。2. 如权利要求1所述的光电二极管结构，其特征在于，所述第一半导体层为n型半导体 层。3. 如权利要求1所述的光电二极管结构，其特征在于，所述第二半导体层为本征半导 体层。4. 如权利要求1所述的光电二极管结构，其特征在于，所述第三半导体层为p型半导体 层。5. 如权利要求1所述的光电二极管结构，其特征在于，所述第一半导体层的厚度为 200 ~500 埃。6. 如权利要求1所述的光电二极管结构，其特征在于，所述第二半导体层的厚度为 10000 ~15000 埃。7. 如权利要求1所述的光电二极管结构，其特征在于，所述第三半导体层的厚度为 200 ~800 埃。8. 如权利要求1所述的光电二极管结构，其特征在于，所述第一本体具有一第一顶面， 所述第一突出部具有一第二顶面，该第一顶面与该第二顶面邻接。9. 如权利要求8所述的光电二极管结构，其特征在于，所述第二顶面自所述延伸平面 向相对于所述第一顶面的外侧延伸100~500埃。10. 如权利要求1所述的光电二极管结构，其特征在于，所述第一突出部自所述延伸平 面向相对于所述第一本体的外侧延伸的距离，实质上随其高度增加而递增。11. 如权利要求1所述的光电二极管结构，其特征在于，所述中央部向上延伸的所述延 伸平面会将所述第二半导体层区分为一第二本体与一第二突出部，该第二突出部自该延伸 平面向相对于该第二本体的外侧延伸，且所述第一突出部沿着该延伸平面连接该第二突出 部。12. 如权利要求11所述的光电二极管结构，其特征在于，所述第二突出部自所述延伸 平面向相对于所述第二本体的外侧延伸的距离，较所述第一突出部自该延伸平面向相对于 该第一本体的外侧延伸的距离小。13. 如权利要求11所述的光电二极管结构，其特征在于，所述第二突出部自所述延伸 平面向相对于所述第二本体的外侧延伸的距离，实质上随其高度增加而递增。
【专利摘要】一种光电二极管结构，包含第一半导体层、第二半导体层以及第三半导体层。第二半导体层设置于第一半导体层上，其中第二半导体层具有侧壁，侧壁具有上部、下部以及连接上部与下部的中央部，中央部的侧壁轮廓实质上形成一平面。第三半导体层设置于第二半导体层上，其中中央部向上延伸的延伸平面会将第三半导体层区分为第一本体与第一突出部，第一突出部自延伸平面向相对于第一本体的外侧延伸。
【IPC分类】H01L31/105, H01L31/0352
【公开号】CN204809232
【申请号】CN201520549787
【发明人】林钦茂, 张钧杰, 吴声桢
【申请人】友达光电股份有限公司
【公开日】2015年11月25日
【申请日】2015年7月27日