一种铜镍金ic封装凸块的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及IC封装领域，具体涉及一种铜镍金IC封装凸块。
【背景技术】
[0002]驱动IC封装上使用的凸块普遍为纯金，成本高，目前有一种采用铜镍金组合来代替纯金的IC封装凸块，可以有效降低成本，其结构包括从下向上依次设置的载体、导电层、绝缘层、钛层、第一铜层、第二铜层、镍层和金层，所述绝缘层上设有孔，露出部分导电层，所述钛层底面贴合部分导电层以及绝缘层的表面，但是由于不同金属的膨胀系数不一样，在温度变化时，各金属层之间产生应力，很容易引起基体变形或产生裂纹，甚至会剥离脱落，因此这种铜镍金IC封装凸块的可靠性差。
【发明内容】
[0003]本实用新型要解决的技术问题是提供一种铜镍金IC封装凸块，可以解决现有铜镍金IC封装凸块在温度变化时，各金属层之间产生应力，很容易引起基体变形或产生裂纹，甚至会剥离脱落，导致可靠性差的问题。
[0004]本实用新型通过以下技术方案实现:
[0005]—种铜镍金IC封装凸块，包括从下向上依次设置的载体、导电层、绝缘层、钛层、第一铜层、第二铜层、镍层和金层，所述绝缘层上设有孔，露出部分导电层，所述部分导电层的表面至少设有一个应力缓冲块，所述应力缓冲块为聚乙烯制品，所述钛层贴合部分导电层、应力缓冲块以及绝缘层的表面成波浪形，所述第一铜层、第二铜层、镍层和金层也成波浪形。
[0006]本实用新型的进一步方案是，所述载体为硅片。
[0007]本实用新型的进一步方案是，所述导电层为铝垫。
[0008]本实用新型的进一步方案是，所述绝缘层为PSV绝缘材料。
[0009]本实用新型的进一步方案是，所述应力缓冲块均匀分布于部分导电层的表面。
[0010]本实用新型与现有技术相比的优点在于:
[0011]应力缓冲块一方面可以吸收钛层与部分导电层之间的应力，另一方面使各金属层成波浪形，降低温度变化时各金属层的横向位移，从而减小相邻金属层之间的应力，进而削弱应力产生的负面影响，提高铜镍金IC封装凸块的可靠性。
【附图说明】
[0012]图1为本实用新型的结构示意图。
【具体实施方式】
[0013]如图1所示的一种铜镍金IC封装凸块，包括从下向上依次设置的硅片载体1、铝垫导电层2、PSV绝缘层3、钛层4、第一铜层5、第二铜层6、镍层7和金层8，所述PSV绝缘层3上设有孔，露出部分铝垫导电层21，所述部分铝垫导电层21的表面均匀溅镀有至少一个聚乙烯应力缓冲块9，所述聚乙烯应力缓冲块9的横断面可以是矩形、三角形或弧形，所述钛层4贴合部分铝垫导电层21、聚乙烯应力缓冲块9以及PSV绝缘层3的表面成波浪形，所述第一铜层5、第二铜层6、镍层7和金层8也成波浪形。
【主权项】
1.一种铜镍金IC封装凸块，包括从下向上依次设置的载体(1)、导电层(2)、绝缘层(3)、钛层(4)、第一铜层(5)、第二铜层(6)、镍层(7)和金层(8)，所述绝缘层(3)上设有孔，露出部分导电层(21)，其特征在于:所述部分导电层(21)的表面至少设有一个应力缓冲块(9)，所述应力缓冲块(9)为聚乙烯制品，所述钛层(4)贴合部分导电层(21)、应力缓冲块(9 )以及绝缘层(3 )的表面成波浪形，所述第一铜层(5 )、第二铜层(6 )、镍层(7 )和金层(8 )也成波浪形。2.如权利要求1所述的一种铜镍金IC封装凸块，其特征在于:所述载体(I)为硅片。3.如权利要求1所述的一种铜镍金IC封装凸块，其特征在于:所述导电层(2)为铝垫。4.如权利要求1所述的一种铜镍金IC封装凸块，其特征在于:所述绝缘层(3)为PSV绝缘材料。5.如权利要求1所述的一种铜镍金IC封装凸块，其特征在于:所述应力缓冲块(9)均勾分布于部分导电层(21)的表面。
【专利摘要】本实用新型公开了一种铜镍金IC封装凸块，包括从下向上依次设置的载体、导电层、绝缘层、钛层、第一铜层、第二铜层、镍层和金层，所述绝缘层上设有孔，露出部分导电层，所述部分导电层的表面至少设有一个应力缓冲块，所述应力缓冲块为聚乙烯制品，所述钛层贴合部分导电层、应力缓冲块以及绝缘层的表面成波浪形，所述第一铜层、第二铜层、镍层和金层也成波浪形。应力缓冲块一方面可以吸收钛层与部分导电层之间的应力，另一方面使各金属层成波浪形，降低温度变化时各金属层的横向位移，从而减小相邻金属层之间的应力，进而削弱应力产生的负面影响，提高铜镍金IC封装凸块的可靠性。
【IPC分类】H01L23/485
【公开号】CN204885141
【申请号】CN201520658375
【发明人】周义亮
【申请人】周义亮
【公开日】2015年12月16日
【申请日】2015年8月28日