一种高可靠性的钯金ic封装凸块的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及1C封装领域，具体涉及一种高可靠性的钯金1C封装凸块。
【背景技术】
[0002]驱动1C封装上使用的凸块普遍为纯金，成本高，目前有一种采用铜镍金组合来代替纯金的1C封装凸块，可以有效降低成本，鉴于黄金的成本，在镍层上的金层有3um厚，短时间内溅渡的连接性尚好，如在潮湿环境中过久，透过金层的疏孔，会使镍层氧化腐蚀，进而导致金层表面渐渐失去连接性，而且镍层中常含有的还原剂磷、硼将造成镍层与金层的粘结力下降，性能可靠性低；钯金1C封装凸块是一种利用钯耐蚀、耐磨、耐变色性好、化学稳定性高的优点，确保与金层之间粘结力，以克服铜镍金1C封装凸块的缺陷，但是由于不同金属的膨胀系数不一样，在温度变化时，各金属层之间产生应力，很容易引起基体变形或产生裂纹，甚至会剥离脱落，因此这种钯金1C封装凸块也存在可靠性低的问题。
【发明内容】
[0003]本实用新型要解决的技术问题是提供一种高可靠性的钯金1C封装凸块，可以解决现有钯金1C封装凸块在温度变化时，各金属层之间产生应力，很容易引起基体变形或产生裂纹，甚至会剥离脱落，导致可靠性差的问题。
[0004]本实用新型通过以下技术方案实现:
[0005]一种高可靠性的钯金1C封装凸块，包括从下向上依次设置的载体、导电层、绝缘层、钛钨层、第一金层、钯层和第二金层，所述绝缘层上设有孔，露出部分导电层，所述孔并排设有多道，相邻的两道孔之间为孔桥，所述钛钨层成波浪形贴合绝缘层、部分导电层及孔桥的表面，所述第一金层、钯层和第二金层也成波浪形。
[0006]本实用新型的进一步方案是，所述载体为硅片。
[0007]本实用新型的进一步方案是，所述导电层为铝垫。
[0008]本实用新型的进一步方案是，所述绝缘层为PSV绝缘材料。
[0009]本实用新型与现有技术相比的优点在于:
[0010]—、各金属层成波浪形，降低温度变化时各金属层的横向位移，从而减小相邻金属层之间的应力，进而削弱应力产生的负面影响，提高钯金1C封装凸块的可靠性；
[0011]二、孔桥可以吸收钛钨层与部分导电层之间的应力，进一步提高钯金1C封装凸块的可靠性。
【附图说明】
[0012]图1为本实用新型的结构示意图。
【具体实施方式】
[0013]如图1所示的一种高可靠性的钯金1C封装凸块，包括从下向上依次设置的硅片载体1、铝垫导电层2、PSV绝缘层3、钛钨层4、第一金层5、钯层6和第二金层7，所述绝缘层3上并排设有多道孔21，露出部分导电层2，相邻的两道孔21之间为孔桥8，所述钛钨层4成波浪形贴合绝缘层3、部分导电层2及孔桥8的表面，所述第一金层5、钯层6和第二金层7也成波浪形。
【主权项】
1.一种高可靠性的钯金1C封装凸块，包括从下向上依次设置的载体(1)、导电层(2)、绝缘层(3)、钛钨层(4)、第一金层(5)、钯层(6)和第二金层(7)，所述绝缘层(3)上设有孔(21)，露出部分导电层(2)，其特征在于:所述孔(21)并排设有多道，相邻的两道孔(21)之间为孔桥(8)，所述钛钨层(4)成波浪形贴合绝缘层(3)、部分导电层(2)及孔桥(8)的表面，所述第一金层(5 )、钯层(6 )和第二金层(7 )也成波浪形。2.如权利要求1所述的一种高可靠性的钯金1C封装凸块，其特征在于:所述载体(1)为硅片。3.如权利要求1所述的一种高可靠性的钯金1C封装凸块，其特征在于:所述导电层(2)为铝垫。4.如权利要求1所述的一种高可靠性的钯金1C封装凸块，其特征在于:所述绝缘层(3)为PSV绝缘材料。
【专利摘要】本实用新型公开了一种高可靠性的钯金IC封装凸块，包括从下向上依次设置的载体、导电层、绝缘层、钛钨层、第一金层、钯层和金层，所述绝缘层上设有孔，露出部分导电层，所述孔并排设有多道，相邻的两道孔之间为孔桥，所述钛钨层成波浪形贴合绝缘层、部分导电层及孔桥的表面，所述第一金层、钯层和金层也成波浪形。各金属层成波浪形，降低温度变化时各金属层的横向位移，从而减小相邻金属层之间的应力，进而削弱应力产生的负面影响，提高钯金IC封装凸块的可靠性；孔桥可以吸收钛钨层与部分导电层之间的应力，进一步提高钯金IC封装凸块的可靠性。
【IPC分类】H01L23/485
【公开号】CN204991694
【申请号】CN201520658559
【发明人】周义亮
【申请人】周义亮
【公开日】2016年1月20日
【申请日】2015年8月28日