高可靠性整流芯片的封装结构的制作方法

文档序号:8755548阅读:312来源:国知局
高可靠性整流芯片的封装结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种整流器件,尤其涉及一种高可靠性整流芯片的封装结构。
【背景技术】
[0002]整流器件是利用其单向导电特性对交流电进行整流,故被广泛应用于交流电转换成直流电的电路中。在设计开发连接片结构半导体产品时,为了最大限度的利用芯片面积,通常把连接片与芯片的连接点尺寸放大到与芯片焊接区面积相当。由此带来的问题是,对连接片与芯片的相对位置精准度要求很高。现有连接片限位结构通常只能在一个方向上限位,难以达到工艺要求。现有连接片结构半导体产品通常对连接片无限位或采用简单沟槽结构限位,其缺点为只能对连接片做一个方向的限位,限位的目的在于避免在入炉焊接过程中连接片偏位造成连接片上的连接点偏出芯片焊接区导致产品电性失效。
[0003]因此,如何研发一种整流器件,能达到高精度限位便成为本领域技术人员努力的方向。

【发明内容】

[0004]本实用新型目的是提供一种高可靠性整流芯片的封装结构,该整流芯片的封装结构既实现了对连接片在X、Y两个方向限位同时对连接片转角做限位,达到了高精度限位的要求,也实现了以较小尺寸晶粒替代原有大尺寸晶粒,进一步降低制造成本,避免在入炉焊接过程中连接片偏位造成连接片上的连接点偏出芯片焊接区导致产品电性失效,从而大大提尚了良率。
[0005]为达到上述目的,本实用新型采用的技术方案是:一种高可靠性整流芯片的封装结构,包括:第一引线条、第二引线条、连接片和二极管芯片,该第一引线条一端是与二极管芯片连接的支撑区,所述二极管芯片一端通过焊锡膏与该支撑区电连接,第一引线条另一端是第一引脚区,该第一引线条的第一引脚区作为所述整流器的电流传输端;
[0006]所述第二引线条一端是与所述连接片的第二焊接端连接的焊接区,该第二引线条另一端为第二引脚区,该第二引线条的第二引脚区作为所述整流器的电流传输端,所述连接片的第一焊接端与二极管芯片另一端通过焊锡膏电连接;
[0007]所述连接片的第一焊接端和第二焊接端之间设有第一折弯部,从而使得第一焊接端高于第二焊接端,所述第二焊接端两侧边均开有缺口部,第二引线条的焊接区两侧边均设有挡块,所述挡块嵌入缺口部内,所述第二焊接端与焊接区之间通过焊锡膏电连接;
[0008]所述第一引线条的支撑区与第一引脚区之间的区域设有一第二折弯部,从而使得第一引线条的支撑区低于第一引脚区,所述第二引线条的焊接区与第二引脚区之间的区域设有一第三折弯部,从而使得第二引线条的焊接区低于第二引脚区。
[0009]上述技术方案中进一步改进的方案如下:
[0010]1.上述方案中,所述第二焊接端侧边的缺口部为弧形缺口部。
[0011]2.上述方案中,所述第二引线条的挡块高度高于所述第二引线条的焊接区厚度。
[0012]3.上述方案中,所述第二引线条的第二引脚区、第一引线条的第一引脚区和二极管芯片位于同一水平面。
[0013]由于上述技术方案运用,本发明与现有技术相比具有下列优点和效果:
[0014]本实用新型高可靠性整流芯片的封装结构,其实现了对连接片在X、Y两个方向限位同时对连接片转角做限位,达到了高精度限位的要求,实现最大限度的利用芯片面积和降低芯片成本的目的,避免在入炉焊接过程中连接片偏位造成连接片上的连接点偏出芯片焊接区导致产品电性失效,从而大大提高了良率;其次,其第一引线条的支撑区与第一引脚区之间的区域设有一第二折弯部,第二引线条的焊接区与第二引脚区之间的区域设有一第三折弯部,实现了以较小尺寸晶粒替代原有大尺寸晶粒,进一步降低制造成本。
【附图说明】
[0015]附图1为本实用新型高可靠性整流芯片的封装结构结构示意图;
[0016]附图2为附图1的仰视结构示意图。
[0017]以上附图中:1、第一引线条;11、第一引脚区;12、支撑区;2、第二引线条;21、第二引脚区;22、焊接区;3、连接片;31、第一焊接端;32、第二焊接端;4、二极管芯片;5、第一折弯部;6、缺口部;7、挡块;8、第二折弯部;9、第三折弯部。
【具体实施方式】
[0018]下面结合附图及实施例对本发明作进一步描述:
[0019]实施例:一种高可靠性整流芯片的封装结构,包括:第一引线条1、第二引线条2、连接片3和二极管芯片4,该第一引线条I 一端是与二极管芯片4连接的支撑区12,所述二极管芯片4 一端通过焊锡膏与该支撑区12电连接,第一引线条I另一端是第一引脚区11,该第一引线条I的第一引脚区11作为所述整流器的电流传输端;
[0020]所述第二引线条2 —端是与所述连接片3的第二焊接端32连接的焊接区22,该第二引线条2另一端为第二引脚区21,该第二引线条2的第二引脚区21作为所述整流器的电流传输端,所述连接片3的第一焊接端31与二极管芯片4另一端通过焊锡膏电连接;其特征在于:
[0021]所述连接片3的第一焊接端31和第二焊接端32之间设有第一折弯部5,从而使得第一焊接端31高于第二焊接端32,所述第二焊接端32两侧边均开有缺口部6,此第二引线条2的焊接区22两侧边均设有挡块7,所述挡块7嵌入缺口部6内,所述第二焊接端32与焊接区22之间通过焊锡膏电连接;
[0022]所述第一引线条I的支撑区12与第一引脚区11之间的区域设有一第二折弯部8,从而使得第一引线条I的支撑区12低于第一引脚区11,所述第二引线条2的焊接区22与第二引脚区21之间的区域设有一第三折弯部9,从而使得第二引线条2的焊接区22低于第二引脚区21。
[0023]上述第二焊接端32侧边的缺口部6为弧形缺口部。
[0024]上述第二引线条2的挡块7高度高于所述第二引线条2的焊接区22厚度。
[0025]上述第二引线条2的第二引脚区21、第一引线条I的第一引脚区11和二极管芯片4位于同一水平面。
[0026]采用上述高可靠性整流芯片的封装结构时,其实现了对连接片在X、Y两个方向限位同时对连接片转角做限位,达到了高精度限位的要求,实现最大限度的利用芯片面积和降低芯片成本的目的,避免在入炉焊接过程中连接片偏位造成连接片上的连接点偏出芯片焊接区导致产品电性失效,从而大大提高了良率;其次,其第一引线条的支撑区与第一引脚区之间的区域设有一第二折弯部,第二引线条的焊接区与第二引脚区之间的区域设有一第三折弯部,实现了以较小尺寸晶粒替代原有大尺寸晶粒,进一步降低制造成本。
[0027]上述实施例只为说明本实用新型的技术构思及特点,其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本实用新型的内容并据以实施,并不能以此限制本实用新型的保护范围。凡根据本实用新型精神实质所作的等效变化或修饰,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种高可靠性整流芯片的封装结构,包括:第一引线条(1)、第二引线条(2)、连接片(3)和二极管芯片(4),该第一引线条(I)一端是与二极管芯片(4)连接的支撑区(12),所述二极管芯片(4) 一端通过焊锡膏与该支撑区(12)电连接,第一引线条(I)另一端是第一引脚区(11),该第一引线条(I)的第一引脚区(11)作为整流器的电流传输端; 所述第二引线条(2)—端是与所述连接片(3)的第二焊接端(32)连接的焊接区(22),该第二引线条(2)另一端为第二引脚区(21),该第二引线条(2)的第二引脚区(21)作为所述整流器的电流传输端,所述连接片(3)的第一焊接端(31)与二极管芯片(4)另一端通过焊锡膏电连接;其特征在于: 所述连接片(3)的第一焊接端(31)和第二焊接端(32)之间设有第一折弯部(5),从而使得第一焊接端(31)高于第二焊接端(32),所述第二焊接端(32)两侧边均开有缺口部(6),此第二引线条(2)的焊接区(22)两侧边均设有挡块(7),所述挡块(7)嵌入缺口部(6)内,所述第二焊接端(32)与焊接区(22)之间通过焊锡膏电连接; 所述第一引线条(I)的支撑区(12)与第一引脚区(11)之间的区域设有一第二折弯部(8),从而使得第一引线条(I)的支撑区(12)低于第一引脚区(11),所述第二引线条(2)的焊接区(22)与第二引脚区(21)之间的区域设有一第三折弯部(9),从而使得第二引线条(2)的焊接区(22)低于第二引脚区(21)。
2.根据权利要求1所述的高可靠性整流芯片的封装结构,其特征在于:所述第二焊接端(32 )侧边的缺口部(6 )为弧形缺口部。
3.根据权利要求1所述的高可靠性整流芯片的封装结构,其特征在于:所述第二引线条(2)的挡块(7)高度高于所述第二引线条(2)的焊接区(22)厚度。
4.根据权利要求1所述的高可靠性整流芯片的封装结构,其特征在于:所述第二引线条(2)的第二引脚区(21)、第一引线条(I)的第一引脚区(11)和二极管芯片(4)位于同一水平面。
【专利摘要】本实用新型一种高可靠性整流芯片的封装结构,包括:第一引线条、第二引线条、连接片和二极管芯片,该第一引线条一端是与二极管芯片连接的支撑区,所述二极管芯片一端通过焊锡膏与该支撑区电连接;所述连接片的第一焊接端和第二焊接端之间设有第一折弯部,从而使得第一焊接端高于第二焊接端,所述第二焊接端两侧边均开有缺口部,第二引线条的焊接区两侧边均设有挡块,所述挡块嵌入缺口部内;第一引线条的支撑区与第一引脚区之间的区域设有一第二折弯部,第二引线条的焊接区与第二引脚区之间的区域设有一第三折弯部。本实用新型既实现了对连接片在X、Y两个方向限位同时对连接片转角做限位,达到了高精度限位的要求,也实现了以较小尺寸晶粒替代原有大尺寸晶粒,进一步降低制造成本。
【IPC分类】H01L23-488
【公开号】CN204464265
【申请号】CN201520032670
【发明人】张雄杰, 何洪运, 程琳
【申请人】苏州固锝电子股份有限公司
【公开日】2015年7月8日
【申请日】2015年1月19日
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