包括四个端口，分别为输入端口EN/ADIM，发送端口SEN,接 收端口IN,和控制端口LX。
[0096] 集成驱动忍片M的输入端口EN/ADIM，发送端口SEN与电阻R的一端连接；微处理 器M的发送端口SEN与第一二极管Dl的正极连接；微处理器M的发送端口SEN与第一电容 Cl相连，第一二极管的负极与电阻L的一端连接；微处理器的接收端口IN与电阻R的另一 端连接，微处理器的接收端口IN与第二二极管D2的负极连接；处理器的控制端口LX与第 二二极管D2的正极连接，处理器的控制端口LX与第二电容C2连接，第二电容C2的另一端 与地连接。
[0097] 如图5所示，一种单路L邸驱动的电路通过利用集成驱动忍片（即处理器62和驱 动忍片63)加外围的电阻R、电感^第一电容Cl和第二电容C2(即光敏器件61)即可实现 对L邸忍片（即第一二极管Dl)的恒流驱动的控制功能。该单路L邸驱动电路的输入端可 W采用模拟直流电压信号Analog或者脉冲信号（PWM波信号，PWMdimming)来控制驱动电 流的大小，如图5所示，模拟直流电压信号Analog或者PWM波信号（PWMdimming)从输入 端口EN/ADIM进入驱动忍片，信号通过驱动忍片的信号的发送端口沈N发出，经过发光二极 管（即第一二极管Dl)和第一电容Cl电感L和电阻R后，通过信号的接收端口IN回到驱 动忍片，该驱动忍片通过接地端口GND接地。
[0098] 如图6所示，也可W利用一个微处理器MCU(即处理器62)来同时控制多个LED驱 动的电路，实现红外光和补偿光同步控制的功能。图6所示的电路中，包括微处理器MCU(即 处理器62)，驱动忍片63,L邸发光忍片D(即上述实施例中到的L邸忍片）。其中，处理器 MCU(即处理器62)与驱动忍片63电连接，驱动忍片63与LED发光忍片D(即上述实施例中 到的L邸忍片）电连接。
[0099] 具体的，微处理器MCU(即处理器62)输出调制占空比的脉冲信号（即PWM波），控 制L邸驱动忍片对单路L邸实现供电。光敏器件用于探测LED的发光强度，可W安装在光 源附近。为了防止环境中杂光的干扰，可W使用一个透过中屯、波长与L邸发射中屯、波长相 同的窄带滤光片安装在光敏器件的感光面前面。当L邸的发光强度因为忍片老化等原因而 下降之后，光敏器件的信号也随之发生相应的变化。此时MCU只对各路驱动忍片单独输出 不同占空比的脉冲信号（即PWM波），且波形不随时间变化。MCU内部的比较器比较当前的 模拟信号和理想信号的差别，如果该差别超过一定的阔值，表示LED的发光强度发生了较 大程度的变化，从而触发MCU改变脉冲信号（即PWM波）的占空比，调整L邸驱动忍片的输 出电流，从而实现L邸发光强度的重新调整。而且任何一路LED的光强输出都可W得到独 立的调整，从而保证了整个系统输出光强度和颜色的稳定。
[0100] 如图7所示的驱动电路，较图6所示的驱动电路增加了放大电路64和光敏器件 61。图7所示的电路中，包括处理器MCU，驱动忍片，L邸发光忍片（即上述实施例中到的 L邸忍片），放大电路，和光敏器件。其中，处理器MCU与驱动忍片电连接，驱动忍片与LED发光忍片（即上述实施例中到的LED忍片）电连接。处理器MCU也与放大电路电连接，放 大电路和光敏器件61电连接。其中，放大电路与处理器MCU电连接，光敏器件61的信号通 过放大电路后成为一个模拟信号并输入MCU的一个A/D端口。运样可W提高处理的精度， 实现L邸发光强度的重新的独立的调整，从而保证了整个系统输出光强度和颜色的稳定。 阳101] 通过上述实施例，采用微处理器MCU(即处理器62)来同时控制多个L邸驱动电路 的方法来调整L邸驱动忍片的输出电流，从而实现对L邸忍片发光强度的有效和独立的控 制调整，从而保证了整个系统输出光强度和颜色的稳定，实现对红外光和补偿光同步控制 的效果。 阳102] 在一个可选的实施例中，光源设备还包括：封装体，封装体封装L邸忍片。 阳103] 采用上述实施例，用封装体将第一忍片和第二忍片封装在一起，从而保护第一忍 片和第二忍片不受外界环境的影响。
[0104] 在一个可选的实施例中，封装体可W包括基板和透明盖，其中，第一忍片和/或第 二忍片安装在基板上；透明盖盖设在第一忍片和第二忍片上。其中，透明盖可W为盖板或透 镜。
[01化]可选地，封装体还可W包括支撑件，该支撑件位于基板和透明盖之间，用于支撑透 明盖。 阳106] 可选地，封装体还可W包括反射镜，反射镜位于封装体内，反射镜环绕安装在第一 忍片和第二忍片的外部。 阳107] 下面结合图8 (a)、图8化）、图8 (C)、图9 (a)和图9化）对上述实施例中的封装体的 各个组成部分做简单的介绍。如图8 (a)所示，封装体可W包括基板21、盖板（即透明盖）22W及支撑件（即支撑结构）23,其中，透明盖为盖板（即封装用的透明盖板材料），L邸忍片 25封装于封装体内，其中，L邸忍片25安装在基板上，透明盖盖设在第一忍片和第二忍片 上，支撑件（即支撑结构）位于基板和透明盖之间。
[0108] 其中，L邸忍片可W在通电状态下发出照明所需的红外光或者各种补偿光，其中屯、 波长可W是常见的850nm，940nm或者其他值。
[0109] 图8(b)示出了基于图8(a)所示的封装体的一种改进方案，封装体还可W包括反 射镜24 (如图8化）、图8(C)W及图9化）所示），反射镜可W环绕L邸忍片25 (即第一忍片 和第二忍片）设置，用于反射边缘发射的光，W提升利用效率。
[0110] 图8(c)示出了另外一种可能的封装体结构的方案，透明盖除了可W用盖板（如图 8(a)中22)，还可W为硅胶等透明材料27,可用于把L邸忍片整体封装起来。该硅胶透明材 料可W为透光性高、环境老化性低、耐光W及耐热性能优的透明材料。
[0111] 如图9 (a)和9(b)所示，封装体包括基板21、透镜（即透明盖）28、支撑件（又名 支撑结构）23(如图9(a)所示）W及反射镜24(如图9(b)所示）。其中，透明盖为透镜， L邸忍片25 (即第一忍片和第二忍片）第一忍片和/或第二忍片（也即L邸忍片25)封装 于封装体内，其中，L邸忍片25 (即第一忍片和第二忍片）安装在基板上，透镜盖设在L邸忍 片25上，支撑件（即支撑结构）位于基板和透明盖之间。其中，当采用透镜作为透明盖时， 支撑件（即支撑结构）可W省略；若采用透镜作为透明盖，可W实现在消除红曝的同时，把 LED忍片的发光光束调整到合适的分布角度。
[0112] 在一个可选的实施例中，光源设备的L邸忍片安装在基板上，每个L邸忍片的本体 安装在封装体的基板上，每个L邸忍片的本体安装在基板的面上对应的忍片安装区域内。
[0113] 在上述实施例中，光源设备还可W包括：电极对，电极对的数量与L邸忍片的数量 相匹配，每个电极对包括第一电极和第二电极，第一电极连接对应的L邸忍片的正极，第二 电极连接对应的LED忍片的负极。 阳114] 上述实施例中的电极对可W安装在对应的LED忍片与基板之间，电极对的电极安 装区域位于对应的忍片安装区域内；或，电极对可W安装在基板的面上，电极对的一部分位 于基板的面之外。
[0115] 在上述实施例中，第一忍片为多个，多个第一忍片串联或并联后与对应的电极对 连接。
[0116] 通过上述实施例，电极对的安装位置可W根据实际需要进行调整，如图10(a)所 示，电极对29可W包括两个电极290，LED忍片所对应的安装电极对29的位置可W伸出LED 忍片的本体区域之外，即电极对安装在基板21的面上，电极对的一部分位于基板21的面之 夕F，W方便手动焊接；如图10化）所示，电极对29可W包括两个电极290,L邸忍片所对应的 安装电极对29或电极290也可W安装在LED忍片的背面区域，即电极对安装在对应的LED 忍片与基板21之间，电极对的电极安装区域位于对应的忍片安装区域201内，运样便于缩 小整个LED的体积。
[0117] 上述实施例中，在光源设备的LED忍片上安装电极对，并且该电极对的数量与LED 忍片的数量相匹配。电极对29中的电极290可W与对应L邸忍片的正负极相连，W使得 L邸忍片可W实现通电后发光。如图11所示，L邸忍片（即第一忍片和第二忍片）中包括 的=个L邸忍片并列排布在同一个基板21上，并封装在同一个封装体（即封装结构）中。
[0118] 其中，当第一忍片为多个L邸忍片时，可W按照电路连接的需要将各个L邸忍片之 间进行简单的串联或者并联，将多个L邸忍片串联或并联后与对应的电极对连接。通过利 用电极对将L邸忍片单独相连或者将多个L邸忍片进行串联或者并联，从而实现电路设计， 并有效的驱动LH)忍片发光。
[0119] 在一个可选的实施例中，每个LED忍片使用封装体独立封装。
[0120] 通过上述实施例，使用封装体独立封装每个L邸忍片，各个L邸忍片相互独。在各 个L邸忍片距离观察者足够远的情况下，并且各个L邸忍片之间尽量相互靠近，此时不同的 L邸忍片对观察者所成的视场角足够小，因而观察者可W将其看作为单一的光源，观察者无 法分辨各个L邸忍片所发出的光的不同的颜色，而只能感觉到混合后的均匀的目标光（如， 白光），从而实现了消除红曝的效果。 阳121 ] 在一个可选的实施例中，如图12所示，光源设备还可W包括：光传感器91和处理 器93。
[0122] 其中，传感器91用于获取光源设备出射的近红外光。
[0123] 处理器93用于获取光传感器获取的近红外光的第一颜色参数，并从存储器中读 取目标光的第二颜色参数，W及基于第一颜色参数和第二颜色参数确定补偿光的一个或多 个第=颜色参数。
[0124] 通过采用上述实施例，在光传感器获取光源设备出射的近红外光的信息并将该信 息传送给处理器后，处理器对该近红外光的信息进行处理并获取得到该近红外光的第一颜 色参数，并且从存储器中读取得到目标光的第二颜色参数，并根据第一颜色参数和第二颜 色参数确定一个或多个第=颜色参数，W确定发出补偿光的补偿光源，控制补偿光源发出 补偿光W对红色光源进行补光。从而可W实现根据光源设备出射的近红外的信息快速准确 的确定该近红外光的补偿光，由于采用确定的补偿光与近红外光混合形成目标光来消除红 曝，进而实现了快速确