一种多光谱高适用性紫外led模组的制作方法

文档序号:10081775阅读:261来源:国知局
一种多光谱高适用性紫外led模组的制作方法
【专利说明】
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及紫外LED封装领域,具体涉及一种多光谱高适用性紫外LED模组。【【背景技术】】
[0002]紫外光电应用是以III族氮化物为代表的第三代半导体的一个重要发展趋势。得益于关键材料技术的突破,紫外LED器件性能大幅提升,加速了取代应用在科研及工业上传统汞灯的步伐,特别是在UVA (波长315—400nm)固化应用领域,紫外LED拥有波长多样、光电转换效率高、寿命长、整机体积小等诸多优势。
[0003]目前,在UVA固化领域仍主要采用汞灯等传统光源,主要原因在于单一汞灯其光谱组成多样,可以适用于不同固化胶水应用。而紫外LED是直接带隙发光,芯片发光波长单一,为适应其应用的光谱需求须采用不同发光波长芯片。但目前紫外LED技术复杂、制作难度大、成本高,为满足不同应用需求,企业需采购多个单一波长紫外LED光源,此将极大增加生产成本,同时,若在光源模组中串联不同波长紫外LED芯片,会严重影响紫外LED芯片寿命,并可能影响胶水固化效果。因此,在紫外LED模组内集成多种波长的紫外LED,并通过独立的外置电路调节切换满足不同应用条件对紫外光谱的需求已成为一种发展趋势。

【发明内容】

[0004]本实用新型的目的在于提供一种多光谱高适用性紫外LED模组,通过独立的外置电路的切换调节实现紫外LED模组的出光光谱调节,以满足紫外LED固化光源的多用途高适应性需求。
[0005]本实用新型解决技术问题采用的技术方案:
[0006]—种多光谱高适用性紫外LED模组,其特征在于其包括基板、紫外LED芯片和封装胶,所述的基板具有6个独立电极,所述的电极分3组正负极,所述的紫外LED芯片包含3种不同波长,所述的紫外LED芯片同一波长芯片组采用金属导线串联连接至基板上电极。
[0007]如上所述的一种多光谱高适用性紫外LED模组,其特征在于所述的3种不同波长的紫外LED芯片分别采用波长为365-370nm、370-380nm和395_405nm的紫外LED芯片组合。
[0008]本实用新型的有益效果:本实用新型采用金属集成封装方式,可以有效导出芯片产生的热量;独立的3组电极可以通过调节电路的驱动电流可实现出光光谱的数字化精确控制,满足不同应用对光谱的多样化需求。
【【附图说明】】
[0009]图1是本实用新型实施例的俯视图;
[0010]图2是本实用新型的剖面图。
【【具体实施方式】】
[0011]下面结合附图对本实用新型作进一步说明:
[0012]实施例:如图1、2,本实用新型多光谱高适用性紫外LED模组,包括基板1、紫外LED芯片2和封装胶3,所述的基板具有6个独立电极,所述的电极分3组正负极(4、5、6),所述的紫外LED芯片包含3种不同波长,所述的紫外LED芯片同一波长芯片组采用金属导线7串联连接至基板上电极,所述封装胶3覆盖紫外LED芯片、金属导线及电极。设计的紫外LED模组通过调节紫外LED芯片组的出光组合满足各种紫外应用的不同紫外光谱需求。
[0013]本实用新型使用的3种不同波长的紫外LED芯片分别采用波长为365-370nm、370-380nm和395_405nm的紫外LED芯片组合。此种组合方式基本包含了目前固化胶水所需的紫外光谱范围。
[0014]除上述实施例外,本实用新型还可以有其他实施方式。凡采用等同替换或等效变换形成的技术方案,均落在本实用新型要求的保护范围。
【主权项】
1.一种多光谱高适用性紫外LED模组,其特征在于其包括基板、紫外LED芯片和封装胶,所述的基板具有6个独立电极,所述的电极分3组正负极,所述的紫外LED芯片包含3种不同波长,所述的紫外LED芯片同一波长芯片组采用金属导线串联连接至基板上电极。2.根据权利要求1所述的一种多光谱高适用性紫外LED模组,其特征在于所述的3种不同波长的紫外LED芯片分别采用波长为365-370nm、370-380nm和395_405nm的紫外LED芯片组合。
【专利摘要】本实用新型公开了一种多光谱高适用性紫外LED模组,其包括基板、紫外LED芯片和封装胶,所述的基板具有6个独立电极,所述的电极分3组正负极,所述的紫外LED芯片包含3种不同波长,所述的紫外LED芯片同一波长芯片组采用金属导线串联连接至基板上电极。本实用新型采用金属集成封装方式,可以有效导出芯片产生的热量;独立的3组电极可以通过调节电路的驱动电流可实现出光光谱的数字化精确控制,满足不同应用对光谱的多样化需求。
【IPC分类】H01L25/075
【公开号】CN204991703
【申请号】CN201520752835
【发明人】夏正浩, 闵海, 罗明浩, 林威, 肖龙
【申请人】中山市光圣半导体科技有限责任公司
【公开日】2016年1月20日
【申请日】2015年9月25日
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