一种mis晶体硅太阳能电池的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种MIS晶体硅太阳能电池。
【背景技术】
[0002]太阳能电池分为薄膜太阳能电池和晶体硅太阳能电池，不管是哪种形式的电池，p-n上的电子都需要通过金属电极进行收集，因此金属电极在太阳能电池结构上发挥着举足轻重的作用。晶体硅太阳能电池正面的电子通过Ag主栅线和Ag副栅线进行收集，由于Ag价格高，地球储备量有限，极大的制约了太阳能电池的普及。目前很多研究者和电池制造商将研究的重点放在Ag的替代材料上，在降低太阳能电池的制造成本上做了很多的工作，也取一定的成果。
[0003]Ag的替代材料有A1和Cu，其价格比Ag低很多，但在制备太阳能电池上有很多的弊端:采用A1，由于A1为P型导体，A1和P型硅太阳能电池的N+层直接接触，会再次形成p-n结，会大幅度降低太阳能电池的转换效率；因为Cu会破坏p-n结，因此Cu和娃的中间必须有金属层进行隔绝，工艺复杂，且Cu在烧结时氧化严重。因此，如何开发一种新的晶体娃太阳能电池工艺，在将Ag进行替换的同时，能保证或者进一步提升太阳能电池的转换效率。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型所要解决的技术问题在于，提供一种MIS晶体硅太阳能电池，用A1正电极替换传统的Ag正电极，降低了制造成本，提升了电池转换效率。
[0005]为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种MIS晶体硅太阳能电池，从下往上依次包括Ag背电极、A1背场、P型硅、N+层、隧穿层、减反膜和A1正电极，A1背场、P型硅、N+层、隧穿层和减反膜为层叠式设置，所述隧穿层沉积在N+层上，所述减反膜沉积于隧穿层上而没沉积在A1正电极上。
[0006]作为上述方案的改进，所述隧穿层的厚度为0.5-2nm。
[0007]作为上述方案的改进，所述隧穿层为二氧化硅层或氮化硅层。
[0008]作为上述方案的改进，所述A1正电极由A1主栅线和A1副栅线组成，且A1主栅线与A1副栅线相互垂直。
[0009]作为上述方案的改进，所述A1主栅线的根数为2-5根，A1副栅线的根数为90-120根。
[0010]作为上述方案的改进，所述A1正电极通过丝网印刷A1浆制成。
[0011]作为上述方案的改进，所述减反膜为SiNx:H膜，厚度为75-90nm，折射率为2.05-2.15ο
[0012]与现有技术相比，本实用新型具有如下有益效果:A1正电极取代传统昂贵的Ag正电极，A1正电极-隧穿层-N+层形成MIS结构，利用MIS隧穿效应，使得N+层硅收集的电子可以完全穿透绝缘的隧穿层和A1正电极接触，从而将电子导出；A1正电极因为有隧穿层的隔离，和N+层无直接接触，不会再次形成p-n结，不会影响电池的转换效率；本实用新型可以大大降低制造成本，提升转换效率。
【附图说明】
[0013]图1是现有技术的晶体硅太阳能电池结构示意图；
[0014]图2是图1的俯视图；
[0015]图3是本实用新型的一种MIS晶体硅太阳能电池的结构示意图；
[0016]图4是图3的俯视图。
【具体实施方式】
[0017]为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本实用新型作进一步地详细描述。
[0018]如图1、图2所示:现有技术的晶体硅太阳能电池结构从下往上依次为Ag背电极1'、A1背电场f、P型硅:V、N+层V、减反膜Y和Ag正电极V，太阳能电池的Ag正电极由Ag主栅线61'和Ag副栅线62'组成，Ag主栅线61'和Ag副栅线62'垂直，Ag主栅线61'相互平行且均匀分布，Ag副栅线62'相互平行且均匀分布。
[0019]如图3、图4所示，本实用新型的一种MIS晶体硅太阳能电池，从下往上依次包括Ag背电极1、A1背场2、P型硅3、N+层4、隧穿层5、减反膜6和A1正电极7，A1背场2、P型硅3、N+层4、隧穿层5和减反膜6为层叠式设置，隧穿层5沉积在N+层4上，减反膜6沉积于隧穿层5上而没沉积在A1正电极7上。
[0020]隧穿层5的厚度为0.5-2nm，隧穿层5的厚度直接影响MIS器件的隧穿效果，一般厚度越薄，隧穿效果要好；但是，厚度越薄，越容易导致隧穿层5厚度不均匀，同样会影响隧穿效果。
[0021]隧穿层5为二氧化硅层或氮化硅层，隧穿层5是绝缘层，二氧化硅层或氮化硅层效果差不多。
[0022]A1正电极7由A1主栅线71和A1副栅线72组成，A1主栅线71和A1副栅线72相互垂直；A1主栅线71的根数为2-5根，A1副栅线72的根数为90-120根；A1正电极7通过丝网印刷A1浆的方法制备。
[0023]减反膜6为SiNx:H膜，厚度为75_90nm，折射率为2.05-2.15。
[0024]与现有技术相比，本实用新型具有如下有益效果:A1正电极取代传统昂贵的Ag正电极，A1正电极-隧穿层-N+层形成MIS结构，利用MIS隧穿效应，使得N+层硅收集的电子可以完全穿透绝缘的隧穿层和A1正电极接触，从而将电子导出；A1正电极因为有隧穿层的隔离，和N+层无直接接触，不会再次形成p-n结，不会影响电池的转换效率；本实用新型可以大大降低制造成本，提升转换效率。
[0025]以上所述是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本实用新型的保护范围。
【主权项】
1.一种MIS晶体硅太阳能电池，其特征在于，从下往上依次包括Ag背电极、A1背场、P型硅、N+层、隧穿层、减反膜和A1正电极，A1背场、P型硅、N+层、隧穿层和减反膜为层叠式设置，所述隧穿层沉积在N+层上，所述减反膜沉积于隧穿层上而没沉积在A1正电极上。2.如权利要求1所述的一种MIS晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述隧穿层的厚度为0.5_2nm03.如权利要求1所述的一种MIS晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述隧穿层为二氧化娃层或氮化娃层。4.如权利要求1所述的一种MIS晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述A1正电极由A1主栅线和A1副栅线组成，且A1主栅线与A1副栅线相互垂直。5.如权利要求4所述的一种MIS晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述A1主栅线的根数为2-5根，A1副栅线的根数为90-120根。6.如权利要求1所述的一种MIS晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述A1正电极通过丝网印刷A1浆制成。7.如权利要求1所述的一种MIS晶体硅太阳能电池，其特征在于，所述减反膜为SiNx:H 膜，厚度为 75-90nm，折射率为 2.05-2.15。
【专利摘要】本实用新型公开了一种MIS晶体硅太阳能电池，从下往上依次包括Ag背电极、Al背场、P型硅、N+层、隧穿层、减反膜和Al正电极，Al背场、P型硅、N+层、隧穿层和减反膜为层叠式设置，所述隧穿层沉积在N+层上，所述减反膜沉积于隧穿层上而没沉积在Al正电极上。与现有技术相比，本实用新型具有如下有益效果：Al正电极取代传统昂贵的Ag正电极，Al正电极-隧穿层-N+层形成MIS结构，利用MIS隧穿效应，使得N+层硅收集的电子可以完全穿透绝缘的隧穿层和Al正电极接触，从而将电子导出；Al正电极因为有隧穿层的隔离，和N+层无直接接触，不会再次形成p-n结，不会影响电池的转换效率；本实用新型可以大大降低制造成本，提升转换效率。
【IPC分类】H01L31/0224, H01L31/068
【公开号】CN205122598
【申请号】CN201520878065
【发明人】石强, 秦崇德, 方结彬, 黄玉平, 何达能, 陈刚
【申请人】广东爱康太阳能科技有限公司
【公开日】2016年3月30日
【申请日】2015年11月4日