一种低热阻大功率整流桥的制作方法

本实用新型涉及半导体器件，特别是一种低热阻大功率整流桥。

背景技术：

现有整流桥产品采用插件设计，难以使用SMT设备自动上板，需人工插件，厂家使用人工成本高；同时插件设计安装高度高，无法用在如新型超薄超小手机充电器等领域。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于：针对现有技术存在的问题，提供一种采用贴片设计、无需人工插件的低热阻大功率整流桥。

为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案为：

一种低热阻大功率贴片整流桥，包括4颗GPP芯片、所述GPP芯片正极端连接上框架，负极端连接下框架，所述上框架、下框架以及其间的所述GPP芯片包覆于塑封体内，直流正极、直流负极、交流正极和交流负极4只引脚伸出所述塑封体，所述引脚为平脚，从所述塑封体下部侧面水平伸出，其厚度不超过所述塑封体厚度。所述引脚的水平伸出方式，以及厚度限定使得整流桥安装空间降低。

所述整流桥可以使用SMT自动安装于PCB板表面，通过回流焊焊接上板，无需插孔焊接。

进一步地，所述下框架全部外露于所述塑封体底部。下框架完全外露于所述塑封体底部，增大散热面积，有助于提高散热效果。所述上框架边缘部分外露于所述塑封体底部。

进一步地，所述上框架、下框架为内折弯结构。框架由外折弯改为内折弯，折弯部位包封在所述塑封体内。具体地，框架制作时进行预折弯，然后再工场进行芯片组装。所述整流桥测试前，只需要进行切断而不需要再进行弯角整形，对产品性能影响小。

作为具体的实施方式，所述整流桥厚度介于1.20mm～1.40mm。所述引脚厚度介于0.15mm～0.25mm。所述整流桥平面形态呈矩形，边长介于11.00mm～13.00mm。

进一步地，所述低热阻大功率贴片整流桥底部采用大面积焊盘设计。

进一步地，所述塑封体选用压塑环氧树脂，其成分主要为环氧树脂和二氧化硅，对比传统浇灌工艺，具有更好的散热性。压塑环氧树脂结合底部大面积焊盘设计进一步改进散热，获得更低的热阻，可承受更大功率。

本实用新型的有益效果是：

本实用新型通过采用贴片式设计，采用平脚从水平侧面伸出的方式使得整流桥整体厚度降低，进而实现在PCB板上的安装高度降低，使用SMT自动上板，替代人工插件，减少人工成本。同时，减低产品安装高度，满足相关产品超薄、超小化的发展趋势要求。此外，所述整流桥具有散热好、低热阻的优点，对于同样的器件大小，本实用新型提供的整流桥可承受更大功率。

附图说明

图1是本实用新型实施例1贴片整流桥剖视图；

图2是本实用新型实施例1贴片整流桥主视图；

图3是本实用新型实施例1贴片整流桥侧视图；

图4是本实用新型实施例1贴片整流桥俯视图；

图5是本实用新型实施例1贴片整流桥上框架结构图；

图6是本实用新型实施例1贴片整流桥下框架结构图；

图7是本实用新型实施例1贴片整流桥仰视图；

图中标记：101-上框架，102-下框架，2-GPP芯片，3-塑封体，4-焊料，5-引脚电镀层。

具体实施方式

下面结合附图，对本实用新型作详细的说明。

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

实施例1

实施例1提供一种低热阻大功率贴片整流桥，如图1所示，包括上框架101、下框架102、GPP芯片2、塑封体3、焊料4和引脚电镀层5。所述GPP芯片(84～100mil)的P结、N结分别通过焊料4连接上框架101和下框架102。所述GPP芯片2、焊料4、上框架101以及下框架102连接在一起，且包覆于所述塑封体3内,连接体另一侧从所述塑封体3下部侧面水平伸出，并电镀上引脚电镀层5,所述引脚为平脚。

所述上框架101、下框架102为内折弯结构。框架由外折弯改为内折弯，折弯部位包封在所述塑封体内。

如图2-4所示，所述贴片整流桥整体厚度1.30mm，其中，所述引脚厚度为0.25mm。所述贴片整流桥平面形态呈近似正方形，长12.00mm，宽11.40mm。

如图5所示，为所述贴片整流桥上框架101结构平面图，如图6所示为所述贴片整流桥下框架103结构平面图。结合图5-7所示，所述下框架102全部外露于所述塑封体3，所述上框架101边缘部分外露于所述塑封体3。图7中，线条填充区域为框架外露于所述塑封体3，空白区为塑封体3。所述塑封体3为压塑环氧树脂。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。