半导体装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本说明书所公开的技术涉及半导体装置。
【背景技术】
[0002]在具备开关元件、二极管等半导体元件的半导体装置中，有时会与半导体元件并联地设置电容器。通过电容器，例如减少了施加于半导体元件的浪涌电压。然而，在这些半导体装置中，若电容器发生短路故障，则过电流可能流过配置有电容器的布线。在日本特开平I 一 103163号公报的半导体装置中，与二极管并联地设置有电容器。在该半导体装置中，在电容器的接合电极图案的一部分中设置有熔断器部(溶断图案)。若电容器发生短路故障，则熔断器部溶断，来切断通电路径。由此，能够减少过电流流过布线的危险。
[0003]然而，在现有技术中，在熔断器部溶断而通电路径被切断时，无法检测通电路径已被切断这一情况。因此，例如，在将现有技术应用于具备开关元件的半导体装置的情况下，可能得不到电容器的浪涌电压的减少效果，之后还继续着开关元件的动作。作为结果，有可能过大的浪涌电压施加于开关元件。
【发明内容】
[0004]本说明书提供一种在具备在通电路径配置有电容器和熔断器部的布线的半导体装置中，能够检测熔断器部已溶断这一情况的技术。
[0005]本说明书所公开的半导体装置具备第I布线，第I布线具有第I端部以及与第I端部相比被施加较低的电压的第2端部。该半导体装置具备第2布线，第2布线具有与第I端部连接的第3端部以及与第2端部连接的第4端部。该半导体装置具备配置于第I布线的开关元件。该半导体装置具备配置于第2布线的电容器。该半导体装置具备熔断器部，熔断器部配置于第2布线，与电容器相比位于靠第3端部侧。该半导体装置具备电位检测部，电位检测部在熔断器部与电容器之间与第2布线连接，且能够检测该连接点的电位。
[0006]在上述的半导体装置中，在电容器的高电位侧配置有熔断器部，在电容器与熔断器部之间的位置连接第2布线和电位检测部。因此，若熔断器部溶断，则被电位检测部检测出的电位降低。由此，电位检测部能够检测熔断器部已溶断这一情况。
【附图说明】
[0007]图1是表示实施例1的DC — DC变换器2的电路图。
[0008]图2是表示实施例1的电容器密封体90的剖视图。
[0009]图3是表示实施例1的电容器元件180的立体图。
[0010]图4是表不实施例1的DC — DC变换器2的目标电压信号STe与输出电压V QUT的关系的曲线图。
[0011]图5是表示实施例2的DC — DC变换器202的电路图。
【具体实施方式】
[0012]以下，描述本说明书所公开的实施例的几个技术特征。此外，以下所述的事项分别单独地具有技术实用性。
[0013](特征I)本说明书所公开的半导体装置也可以还具有控制装置，在根据由电位检测部检测出的电位判断为第2布线被切断了时，控制装置减少流过开关元件的电流。
[0014]在上述的半导体装置中，若判断为熔断器部溶断而得不到电容器的浪涌电压减少效果，则减少流过开关元件的电流。因此，能够减少施加于开关元件的浪涌电压，并且使电流流过开关元件。
[0015](特征2)本说明书所公开的半导体装置也可以是将输入电压输入至输入端子与输入侧基准端子之间，且从输出端子与输出端侧基准端子之间输出输出电压的半导体装置。该半导体装置也可以具备连接输入端子与输出端子之间的输入输出线。该半导体装置也可以具备连接输入侧基准端子与输出侧基准端子之间的基准电位线。该半导体装置也可以具备配置于输入输出线的第I开关元件。该半导体装置也可以具备配置于输入输出线，且与第I开关元件相比位于靠输入端子侧的电抗器。该半导体装置也可以具备第3布线，第3布线连接配置于输入输出线并且位于电抗器与第I开关元件之间的第I连接点、与位于基准电位线上的第2连接点之间。该半导体装置也可以具备配置在第3布线上的第2开关元件。该半导体装置也可以具备第4布线，第4布线与第I开关元件和第2开关元件中的一个开关元件并联连接。该半导体装置也可以具备配置于第4布线的第I电容器。该半导体装置也可以具备配置于第4布线且位于第I电容器的高电位侧的第I熔断器部。该半导体装置也可以具备电位检测部，电位检测部在第I熔断器部与第I电容器之间与第4布线连接，且能够检测该连接点的电位。
[0016]在上述的半导体装置中，在第I电容器的高电位侧配置有第I熔断器部，在第I电容器与第I熔断器部之间的位置连接了第4布线和电位检测部。因此，若第I熔断器部溶断，则被电位检测部检测出的电位降低。由此，能够检测第I熔断器部已溶断这一情况。
[0017](特征3)也可以是输入输出线具有比第I开关元件位于靠输出端子侧的第3连接点，第4布线连接第3连接点与第I连接点之间。
[0018]在上述的半导体装置中，若配置于与第I开关元件并联连接的第I电容器的高电位侧的第I熔断器部溶断，则被电位检测部检测出的电位降低。由此，能够检测第I熔断器部已溶断这一情况。
[0019](特征4)也可以是基准电位线具有与第2连接点相比位于靠输出侧基准端子侧的第4连接点，第4布线连接第I连接点与第4连接点之间。
[0020]在上述的半导体装置中，若配置于与第2开关元件并联连接的第I电容器的高电位侧的第I熔断器部溶断，则被电位检测部检测出的电位降低。由此，能够检测第I熔断器部已溶断这一情况。
[0021](特征5)也可以是输入输出线具有与第I开关元件相比位于靠输出端子侧的第5连接点，基准电位线具有与第2连接点相比位于靠输出侧基准端子侧的第6连接点，第4布线连接第5连接点与第6连接点之间。
[0022]在上述的半导体装置中，第I电容器与第I开关元件以及第2开关元件并联连接。若配置于第I电容器的高电位侧的第I熔断器部溶断，则被电位检测部检测出的电位降低。由此，能够检测第I熔断器部已溶断这一情况。
[0023](特征6)本说明书所公开的半导体装置也可以还具有控制装置，在根据由电位检测部检测出的电位判断为第4布线被切断时，控制装置减少流过与第4布线并联连接的开关元件的电流。
[0024]在上述的半导体装置中，若第I熔断器部溶断而判断为第4布线被切断，则流过与第4布线并联配置的开关元件的电流被减少。因此，能够减少施加于开关元件的浪涌电压，并且使电流流过开关元件。
[0025]实施例1
[0026]DC — DC变换器2使从电池4输入的输入电压升压。如图1所示，DC — DC变换器2向负载(未图示)输出输出电压。负载例如是逆变器(未图示)等。
[0027]以下，对本实施例的DC — DC变换器2的构成进行说明。DC — DC变换器2具有输入端子6和输入侧基准端子8。输入端子6与电池4的正极连接。输入侧基准端子8与电池4的负极连接。即，输入电压被输入至输入端子6与输入侧基准端子8之间。另外，输入侧基准端子8接地。DC - DC变换器2具有输出端子10和输出侧基准端子12。输出端子10例如与逆变器的正极侧的输入端子(未图示)连接。输出侧基准端子12例如与逆变器的负极侧的输入端子(未图示)连接。即，输出电压Vtot从输出端子10与输出侧基准端子12之间输出。
[0028]DC - DC变换器2具有输入输出线14和基准电位线16。另外，DC — DC变换器2具有第I开关兀件18、电抗器22、以及第2开关兀件20。输入输出线14连接输入端子6与输出端子10。基准电位线16连接输入侧基准端子8与输出侧基准端子12。第I开关元件18、以及电抗器22配置于输入输出线14。电抗器22比第I开关元件18位于靠输入端子6侦U。在电抗器22与第I开关元件18之间设置有连接点24。在基准电位线16上设置有连接点26。连接点24和连接点26通过布线21连接。第2开关元件20配置于布线21。作为第I开关元件18、以及第2开关元件20，例如能够使用MOSFET、IGBT等。与第I开关元件18并联地配置有续流二极管(free-wheeling d1de) 28。与第2开关元件20并联地配置有续流二极管30。
[0029]输入输出线14上的连接点55和基准电位线16上的连接点58通过布线33连接。连接点55与第I开关元件18以及后述的连接点52相比位于靠输出端子10侧。连接点58与连接点26以及后述的连接点54相比位于靠输出侧基准端子12侧。在布线33上配置有平滑电容器32。
[0030]DC - DC变换器2具有控制装置34。控制装置34的端子38与第I开关元件18的栅极连接。控制装置34的端子40与第2开关元件20的栅极连接。控制装置34使第I开关元件18的栅极电压变化来切换第I开关元件18的接通和断开。控制装置34使第2开关元件18的栅极电压变化来切换第2开关元件20的接通和断开。
[0031]在输入输出线14上设置有连接点52。连接点52与第I开关元件18相比位于靠输出端子10侧。另外，连接点52位于第I开关元件18与上述的连接点55之间。上述的输入输出线14上的连接点24和连接点52经由连接点56连接。S卩，连接点24与连接点56之间通过布线25连接，连接点56与连接点52之间通过布线63连接。布线63与第I开关元件18并联地配置。在布线63配置有电容器58。换言之，电容器58与第I开关元件18并联地配置。此外