专利名称：弹性表面波装置用的压电基片和弹性表面波装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种用于在压电基片上设有手指交错状电极的弹性表面波装置中的弹性表面波装置用的压电基片和弹性表面波装置。
背景技术：
近年来、以手机为首的移动体通信终端设备正在极快地普及着。这种终端设备为了便于携带而特别希望它是小型轻量的。为了使终端设备小型轻量化，对用于上述终端设备上的电子零件也都要求是小型轻量的。为此、在终端设备的高频部分和中频部分大多采用有利于小型轻量化的弹性表面波装置，即弹性表面波滤波器。弹性表面波装置在压电基片上形成用于激振、接受、反射或传播弹性表面波的手指交错状电极。
作为用于弹性表面波装置中的压电基片的重要特性有下面例举的那些，譬如弹性表面波的表面波速度(下面，将其记载成SAW。)、构成滤波器场合下的中心频率或构成谐振子场合下的谐振频率的温度系数(下面，将其记载成频率温度系数。)、电气机械结合系数的平方k2(下面，将k2称为电气机械结合系数。)。
图27是表示至今为止大多被作为弹性表面波装置的压电基片使用的基片的种类及其特性的说明图。下面，用图27中的记号对这些压电基片进行区别。
由图27可知，至今大多使用的压电基片可大致区分成两组，即、具有大的SAW速度和大的电气机械结合系数的128LN、64LN、36LT；和具有比较小的SAW速度和小的电气机械结合系数的LT112、ST水晶。具有大的SAW速度和大的电气机械结合系数的压电基片(128LN、64LN、36LT)可用于譬如终端设备高频部分的弹性表面波滤波器中；另一方面，具有比较小的SAW速度和小的电气机械结合系数的压电基片(LT112、ST水晶)可用于譬如终端设备中频部分的弹性表面波滤波器中。其理由如下所述。
即、在弹性表面波滤波器的场合下，它的中心频率大致与使用的压电基片的SAW速度成正比例；大致与基片上形成的手指交错状电极的电极指的宽度成反比例。由此，为了构成高频回路部分所使用的滤波器，最好使用SAW速度大的基片。此外，由于对用于终端设备的高频部分的滤波器还要求通频带宽度是20MHz以上的宽频带，因而它也必需具有大的电气机械结合系数。
另一方面，将70～300MHz的频带用作移动体终端设备的中频。在使用将这个频带作为中心频率的滤波器构成弹性表面波装置的场合下，在将SAW速度大的基片用作压电基片时，要求基片上形成的电极指的幅度与用于高频回路部分中的滤波器相比、随着它的中心频率数值的降低而增加成非常大，这样就产生使弹性表面波装置增大的问题。
因此，将SAW速度小的LT112或ST水晶用作中频用弹性表面波滤波器的压电基片。特别是ST水晶，由于一次的频率温度系数是零、因而较好。由于ST水晶的电气机械结合系数小，只能构成通频带较窄的滤波器。但是，由于中频滤波器的作用是只使较窄的一个通道的信号通过，因而上述电气机械结合系数小这一点也就从来不成什么问题。
但是，近年来、从频率资源的有效利用、与数字数据通信的适应性等观点出发，正在积极开发数字移动体通信系统，正在使其实用化，并快速地推广普及。这种系统中的通频带的幅度为从几百kHz到几MHz的非常宽的频带。用弹性表面波滤波器构成这种宽频带的中频滤波器的场合下，用电气机械结合系数小的ST水晶基片是很难实现的。
而且，为了将移动体终端设备进一步形成更小型的结构、为了提高携带的方便性，必需缩小中频用弹性表面波滤波器的实际安装面积。但是，以前适用于中频用弹性表面波滤波器的ST水晶或LT112均是SAW速度超过3000m/s(秒)，在小型化上受到限制。
发明内容
本发明的目的是提供一种弹性表面波装置用的压电基片和能实现宽频带化及小型化的弹性表面波装置；上述压电基片具有利于通频带的宽频带化的大的电气机械结合系数、和利于弹性表面波装置的小型化的小的SAW速度。
本发明的弹性表面波装置用的压电基片用于压电基片上设有手指状交错电极的弹性表面波装置，它是由单晶体构成，所述单晶体属于点群32、具有Ca3Ga2Ge4O14型结晶结构；其主要成分由Ca、Nb、Ga、Si和O构成、是由化学式Ca3NbGa3Si2O14表示的。
如果采用本发明的弹性表面波装置用的压电基片，就能得到能有效地使通频带宽带化的大的电气机械结合系数和能有效地使弹性表面波装置小型化的小的SAW速度。
本发明的弹性表面波装置是压电基片上设有手指状交错电极的弹性表面波装置，上述压电基片是由单晶体构成，所述单晶体属于点群32、具有Ca3Ga2Ge4O14型结晶结构；其主要成分由Ca、Nb、Ga、Si和O构成、是由化学式Ca3NbGa3Si2O14表示的。
如果采用本发明的弹性表面波装置，由于可采用具有利于通频带的宽频带化的大的电气机械结合系数和利于弹性表面波装置的小型化的小的SAW速度的压电基片，因而能使弹性表面波装置宽带化和小型化。
在本发明的弹性表面波装置用的压电基片或弹性表面波装置中，在用欧拉角表示将上述压电基片的从单晶体切出的切出角和弹性表面波传输方向表示为(φ、θ、 )时，φ、θ和 可存在于下述的任意一个区域中。
φ＝-5°～5°θ＝30°～90° ＝0°～75°[区域1-2]φ＝-5°～5°θ＝110°～155° ＝60°～80°[区域2-1]φ＝5°～10°(不包含5°)θ＝30°～60° ＝-75°～-30°区域[2-2]φ＝5°～10°(不包含5°)θ＝110°～155° ＝-85°～-65°[区域3-1]
φ＝10°～20°(不包含10°)θ＝30°～60°和 ＝-75°～-30°[区域3-2]φ＝10°～20°(不包含10°)θ＝110°～150° ＝-85°～-65°[区域4-1]φ＝20°～30°(不包含20°)θ＝30°～60° ＝-80°～-40°[区域4-2]φ＝20°～30°(不包含20°)θ＝110°～155° ＝-75°～-55°[区域5]φ＝5°～30°(不包含5°)θ＝30°～90° ＝-30°～30°本发明的其他目的、特征和优点可由下面的说明清楚地看到。
图1是表示本发明一个实施方式的弹性表面波装置的结构的一个例子的斜视图。
图2是表示与本发明一个实施方式中的区域1-1相对应的试验结果的说明图。
图3是表示与本发明一个实施方式中的区域1-2相对应的试验结果的说明图。
图4是表示与本发明一个实施方式中的区域2-1相对应的试验结果的说明图。
图5是表示与本发明一个实施方式中的区域2-2相对应的试验结果的说明图。
图6是表示与本发明一个实施方式中的区域3-1相对应的试验结果的说明图。
图7是表示与本发明一个实施方式中的区域3-2相对应的试验结果的说明图。
图8是表示与本发明一个实施方式中的区域4-1相对应的试验结果的说明图。
图9是表示与本发明一个实施方式中的区域4-2相对应的试验结果的说明图。
图10是表示与本发明一个实施方式中的区域5相对应的试验结果的说明图。
图11是基于图2所示的试验结果、二维地表示θ和 与SAW速度的关系的说明图。
图12是基于图2所示的试验结果、二维地表示θ和 与电气机械结合系数的关系的说明图。
图13是基于图3所示的试验结果、二维地表示θ和 与SAW速度的关系的说明图。
图14是基于图3所示的试验结果、二维地表示θ和 与电气机械结合系数的关系的说明图。
图15是基于图4所示的试验结果、二维地表示θ和 与SAW速度的关系的说明图。
图16是基于图4所示的试验结果、二维地表示θ和 与电气机械结合系数的关系的说明图。
图17是基于图5所示的试验结果、二维地表示θ和 与SAW速度的关系的说明图。
图18是基于图5所示的试验结果、二维地表示θ和 与电气机械结合系数的关系的说明图。
图19是基于图6所示的试验结果、二维地表示θ和 与SAW速度的关系的说明图。
图20是基于图6所示的试验结果、二维地表示θ和 与电气机械结合系数的关系的说明图。
图21是基于图7所示的试验结果、二维地表示θ和 与SAW速度的关系的说明图。
图22是基于图7所示的试验结果、二维地表示θ和 与电气机械结合系数的关系的说明图。
图23是基于图8所示的试验结果、二维地表示θ和 与SAW速度的关系的说明图。
图24是基于图8所示的试验结果、二维地表示θ和 与电气机械结合系数的关系的说明图。
图25是基于图9所示的试验结果、二维地表示θ和 与SAW速度的关系的说明图。
图26是基于图9所示的试验结果、二维地表示θ和 与电气机械结合系数的关系的说明图。
图27是表示大多被用作弹性表面波装置用的压电基片的基片种类及其特性的说明图。
具体实施例方式
下面，参照着附图、对本发明的实施方式进行详细的说明。
图1是表示本发明一个实施方式的弹性表面波装置的结构的一个例子的斜视图。这种弹性表面波装置设有压电基片1和设置在该压电基片1的一方的主平面上的一对交错手指状电极2。电极2的形状、个数和配置可以是公知的任何方式。
压电基片1的材料是使用单晶体，它是属于点群32、具有Ca3Ga2Ge4O14型结晶结构；其主要成分由Ca、Nb、Ga、Si和O构成，是用化学式Ca3NbGa3Si2O14表示的。
图1所示的x轴、y轴和z轴是相互垂直的。x轴和y轴是处在基片1的面内方向，x轴规定了弹性表面波的传输方向。而z轴是与基片1的板面垂直的，规定了单晶体基片的切出角(切断面)。这些x轴、y轴和z轴和单晶体的结晶轴X轴、Y轴和Z轴的关系、即、从基片的单晶体切出的切出角和弹性表面波传输方向可由欧拉角(φ、θ、 )表示。
本实施方式的弹性表面波装置上，在用欧拉角表示将切出角和传输方向表示成(φ、θ、 )时，使φ、θ和 处于下面所述区域1-1、1-2、2-1、2-2、3-1、3-2、4-1、4-2和5等任意一个区域中。
φ＝-5°～5°
θ＝30°～90° ＝0°～75°区域1-1内的最好区域是如下所述。
φ＝-5°～5°θ＝60°～75° ＝0°～10°在区域1-1中，当基片1的SAW速度是3100m/s以下时，与ST水晶相比、具有较小的φ、θ、 组合；当基片1的电气机械结合系数k2是0.2％以上时，具有十分大的φ、θ、 组合。在区域1-1中的上述最好区域中，当电气机械结合系数k2是0.3％以上时，与ST水晶相比、具有十分大的φ、θ、 组合。
φ＝-5°～5°θ＝110°～155° ＝60°～80°在区域1-2中，当基片1的SAW速度是3200m/s以下时，具有与ST水晶相同程度的φ、θ、 组合；当基片1的电气机械结合系数k2是0.2％以上时，具有十分大的φ、θ、 组合。
φ＝5°～10°(不包含5°)θ＝30°～60° ＝-75°～-30°区域2-1内的最好区域是如下所述。
φ＝5°～10°(不包含5°)θ＝35°～55° ＝-60°～-35°在区域2-1中，当基片1的SAW速度是3200m/s以下时，具有与ST水晶相同程度的φ、θ、 组合；当基片1的电气机械结合系数k2是0.2％以上时，具有十分大的φ、θ、 组合。在区域2-1中的上述最好区域中，当电气机械结合系数k2是0.4％以上时，与ST水晶相比、具有十分大的φ、θ、 组合。
区域[2-2]
φ＝5°～10°(不包含5°)θ＝110°～155° ＝-85°～-65°区域2-2内的最好区域是如下所述。
φ＝5°～10°(不包含5°)θ＝120°～150° ＝-80°～-70°在区域2-2中，当基片1的SAW速度是3100m/s以下时，与ST水晶相比、具有较小的φ、θ、 组合；当基片1的电气机械结合系数k2是0.2％以上时，具有十分大的φ、θ、 组合。在区域2-2中的上述最好区域中，当电气机械结合系数k2是0.4％以上时，与ST水晶相比、具有十分大的φ、θ、 组合。
φ＝10°～20°(不包含10°)θ＝30°～60° ＝-75°～-30°区域3-1内的最好区域是如下所述。
φ＝10°～20°(不包含10°)θ＝35°～55° ＝-65°～-40°在区域3-1中，当基片1的SAW速度是3100m/s以下时，与ST水晶相比、具有较小的φ、θ、 组合；当基片1的电气机械结合系数k2是0.2％以上时，具有十分大的φ、θ、 组合。在区域3-1中的上述最好区域中，当电气机械结合系数k2是0.4％以上时，与ST水晶相比、具有十分大的φ、θ、 组合。
φ＝10°～20°(不包含10°)θ＝110°～150° ＝-85°～-65°区域3-2内的最好区域是如下所述。
φ＝10°～20°(不包含10°)θ＝125°～150°
＝-80°～-65°在区域3-2中，当基片1的SAW速度是3200m/s以下时，具有与ST水晶相同程度的φ、θ、 组合；当基片1的电气机械结合系数k2是0.2％以上时，具有十分大的φ、θ、 组合。在区域3-2中的上述最好区域中，当电气机械结合系数k2是0.4％以上时，与ST水晶相比、具有十分大的φ、θ、 组合。
φ＝20°～30°(不包含20°)θ＝30°～60° ＝-80°～-40°区域4-1内的最好区域是如下所述。
φ＝20°～30°(不包含20°)θ＝30°～55° ＝-75°～-50°在区域4-1中，当基片1的SAW速度是3200m/s以下时，具有与ST水晶相同程度的φ、θ、 组合；当基片1的电气机械结合系数k2是0.2％以上时，具有十分大的φ、θ、 组合。在区域4-1中的上述最好区域中，当电气机械结合系数k2是0.5％以上时，与ST水晶相比、具有十分大的φ、θ、 组合。
φ＝20°～30°(不包含20°)θ＝110°～155° ＝-75°～-55°区域4-2内的最好区域是如下所述。
φ＝20°～30°(不包含20°)θ＝125°～150° ＝-75°～-60°在区域4-2中，当基片1的SAW速度是3200m/s以下时，具有与ST水晶相同程度的φ、θ、 组合；当基片1的电气机械结合系数k2是0.2％以上时，具有十分大的φ、θ、 组合。在区域4-2中的上述最好区域中，当电气机械结合系数k2是0.4％以上时，与ST水晶相比、具有十分大的φ、θ、 组合。
φ＝5°～30°(不包含5°)θ＝30°～90° ＝-30°～30°在区域5中，当基片1的SAW速度是3100m/s以下时，具有与ST水晶相同程度的φ、θ、 组合；当基片1的电气机械结合系数k2是0.2％以上时，具有十分大的φ、θ、 组合。
由于Ca3NbGa3Si2O14单晶体是三方晶体，从结晶的对称性来看、具有结晶学上相互等价的欧拉角的组合。譬如区域1-1中所含的(0°、90°、17°)与(0°、90°、-17°)、(60°、90°、±17°)和(120°、90°、±17°)是等价的。而且，(0°、90°、17°)与(240°、90°、±17°)和(360°、90°、±17°)是等价的。
Ca3NbGa3Si2O14也可以是具有氧缺陷的。而且，这种单晶体也可以含有不可避免的不纯物，譬如可以含有Al、Zr、Fe、Ce、Nd、La、Pt、Ca等。
下面，对本实施方式的弹性表面波装置的实施例进行说明。首先，说明本实施例的弹性表面波装置用压电基片1的制作方法。压电基片1的材料是使用属于点群32、具有Ca3Ga2Ge4O14型结晶结构；其主要成分由Ca、Nb、Ga、Si和O构成，是由化学式Ca3NbGa3Si2O14表示的单晶体。单晶体的养成是用高频加热的CZ方法、即回转拉升方法进行的。用下述的切出角、从制得的单晶体上切出基片，作成弹性表面波装置用的基片1。
接着、说明试验用的弹性表面波装置的制作方法。如图1所示，试验用的弹性表面波装置是在从上述单晶体切出的压电基片1的表面上形成输出、输入用的手指交错状电极2。手指交错状电极2是借助光刻技术、把利用蒸镀工艺形成的铝(A1)膜加工成规定的形状。与弹性表面波的波长入相当的电极指的周期作成60μm、电极对数取成20对、交错幅度(交错部分的长度)作成60λ(3600μm)、膜厚作成0.3μm。
接着、对为了验证区域1-1、1-2、2-1、2-2、3-1、3-2、4-1、4-2和5等的妥当性而进行的试验进行说明。在这个试验中，制作多个使基片1的切出角和弹性表面波的传输方向改变了的试验用弹性表面波装置；对各个试验用弹性表面波装置的SAW速度和电气机械结合系数k2进行了调研。其中、SAW速度是在具有如上所述结构的手指交错状电极2的弹性表面波装置中、由滤波器特性的中心频率的测定值乘以弹性表面波的波长而求得。而电气机械结合系数k2是测定上述输入输出用手指交错状电极2中的一方、譬如测定输入用的手指交错状电极2的两个端子导纳、从这个导纳的实部(电导)和虚部(电纳)、使用史密斯等价回路导出的方法求得。这个方法在例如刊物「表面波装置及其应用」(电子材料工业会编、日刊工业新闻社刊、1978年)的I、基础编、4.1.2“表面波的实际有效的电气机械结合系数”一章中详细说明过。以上特性是将装置周围的温度保持在25℃时测定的。
图2是表示与区域1-1相对应的试验结果的说明图。图11是根据图2所示的试验结果、2维地表示θ、 和SAW速度的关系的说明图。图12是根据图2所示的试验结果、2维地表示θ、 和电气机械结合系数k2的关系的说明图。
从图2、图11和图12可知，在角φ是0°的场合下、角θ是从30°到90°、角 是从0°到75°的范围中，具有电气机械结合系数k2为0.2％以上、SAW速度为3100m/s以下的φ、θ、 组合。即使φ在0±5°范围内变化，也具有与上述同样的组合。而且，在角φ是0°的场合下、角θ是从6 °到75°、角 是从0°到10°的范围中，具有电气机械结合系数k2为0.3％以上的φ、θ、 组合。即使φ在0±5°范围内变化，也具有与上述同样的组合。
其中，显示了即使φ发生一些变化，基片1和弹性表面波装置的特性也不会发生太大的变化。从图2可见，当(φ、θ、 )＝(0°、70°、0°)时、SAW速度是2928m/s，电气机械结合系数k2是0.41％。而当(φ、θ、 )＝(±5°、70°、0°)时、SAW速度是2929 m/s，电气机械结合系数k2是0.40％。对下面所说明的其他区域也是同样的。
图3是表示与区域1-2相对应的试验结果的说明图。图13是根据图3所示的试验结果、2维地表示θ、 和SAW速度的关系的说明图。图14是根据图2所示的试验结果、2维地表示θ、 和电气机械结合系数k2的关系的说明图。
从图3、图13和图14可知，在角φ是0°的场合下、角θ是从110°到155°、角 是从60°到80°的范围中，具有电气机械结合系数k2为0.2％以上、SAW速度为3200m/s以下的φ、θ、 组合。即使φ在0±5°范围内变化，也具有与上述同样的组合。
图4是表示与区域2-1相对应的试验结果的说明图。图15是根据图4所示的试验结果、2维地表示θ、 和SAW速度的关系的说明图。图16是根据图4所示的试验结果、2维地表示θ、 和电气机械结合系数k2的关系的说明图。
从图4、图15和图16可知，在角φ是10°的场合下、角θ是从30°到60°角 是从-75°到-30°的范围中，具有电气机械结合系数k2为0.2％以上、SAW速度为3200m/s以下的φ、θ、 组合。即使φ在7.5±2.5°范围内变化，也具有与上述同样的组合。而且，在角φ是10°的场合下、角θ是从35°到55°、角 是从-60°到-35°的范围中，具有电气机械结合系数k2为0.4％以上的φ、θ、 组合。即使φ在7.5±2.5°范围内变化，也具有与上述同样的组合。
图5是表示与区域2-2相对应的试验结果的说明图。图17是根据图5所示的试验结果、2维地表示θ、 和SAW速度的关系的说明图。图18是根据图5所示的试验结果、2维地表示θ、 和电气机械结合系数k2的关系的说明图。
从图5、图17和图l8可知，在角φ是10°的场合下、角θ是从110°到155°、角 是从-85°到-65°的范围中，具有电气机械结合系数k2为0.2％以上、SAW速度为3l00m/s以下的φ、θ、 组合。即使φ在7.5±2.5°范围内变化，也具有与上述同样的组合。而且，在角φ是10°的场合下、角θ是从120°到150°、角 是从-80°到-70°的范围中，具有电气机械结合系数k2为0.4％以上的φ、θ、 组合。即使φ在7.5±2.5°范围内变化，也具有与上述同样的组合。
图6是表示与区域3-1相对应的试验结果的说明图。图19是根据图6所示的试验结果、2维地表示θ、 和SAW速度的关系的说明图。图20是根据图6所示的试验结果、2维地表示θ、 和电气机械结合系数k2的关系的说明图。
从图6、图19和图20可知，在角φ是15°的场合下、角θ是从30°到60°、角 是从-75°到-30°的范围中，具有电气机械结合系数k2为0.2％以上、SAW速度为3100m/s以下的φ、θ、 组合。即使φ在15±5°范围内变化，也具有与上述同样的组合。而且，在角φ是15°的场合下、角θ是从35°到55°、角 是从-60°到-40°的范围中，具有电气机械结合系数k2为0.4％以上的φ、θ、 组合。即使φ在15±5°范围内变化，也具有与上述同样的组合。
图7是表示与区域3-2相对应的试验结果的说明图。图21是根据图7所示的试验结果、2维地表示θ、 和SAW速度的关系的说明图。图22是根据图7所示的试验结果、2维地表示θ、 和电气机械结合系数k2的关系的说明图。
从图7、图21和图22可知，在角φ是15°的场合下、角θ是110°到155°、角 是从-85°到-65°的范围中，具有电气机械结合系数k2为0.2％以上、SAW速度为3200m/s以下的φ、θ、 组合。即使φ在15±5°范围内变化，也具有与上述同样的组合。而且，在角φ是15°的场合下、角θ是从125°到150°、角 是从-80°到-65°的范围中，具有电气机械结合系数k2为0.4％以上的φ、θ、 组合。即使φ在15±5°范围内变化，也具有与上述同样的组合。
图8是表示与区域4-1相对应的试验结果的说明图。图23是根据图8所示的试验结果、2维地表示θ、 和SAW速度的关系的说明图。图24是根据图8所示的试验结果、2维地表示θ、 和电气机械结合系数k2的关系的说明图。
从图8、图23和图24可知，在角φ是25°的场合下、角θ是30°到60°、角 是从-80°到-40°的范围中，具有电气机械结合系数k2为0.2％以上、SAW速度为3200m/s以下的φ、θ、 组合。即使φ在25±5°范围内变化，也具有与上述同样的组合。而且，在角φ是25°的场合下、角θ是从30°到55°、角 是从-75°到-50°的范围中，具有电气机械结合系数k2为0.5％以上的φ、θ、 组合。即使φ在25±5°范围内变化，也具有与上述同样的组合。
图9是表示与区域4-2相对应的试验结果的说明图。图25是根据图9所示的试验结果、2维地表示θ、 和SAW速度的关系的说明图。图26是根据图9所示的试验结果、2维地表示θ、 和电气机械结合系数k2的关系的说明图。
从图9、图25和图26可知，在角φ是25°的场合下、角θ从110°到155°、角 是从-75°到-55°的范围中，具有电气机械结合系数k2为0.2％以上、SAW速度为3200m/s以下的φ、θ、 组合。即使φ在25±5°范围内变化，也具有与上述同样的组合。而且，在角φ是25°的场合下、角θ是从125°到150°、角 是从-75°到-60°的范围中，具有电气机械结合系数k2为0.4％以上的φ、θ、 组合。即使φ在25±5°范围内变化，也具有与上述同样的组合。
图10是表示与区域5相对应的试验结果的说明图。从图10可知，在角φ是从10～30°、角θ是从30°到90°、角 是从-30°到30°的范围中，具有电气机械结合系数k2为0.2％以上、SAW速度为3100m/s以下的φ、θ、 组合。即使φ在5～10°范围内变化，也具有与上述同样的组合。
这样，由上述说明可见、压电基片1的从单晶体的切出角和弹性表面波传输方向如果在区域1-1、1-2、2-1、2-2、3-1、3-2、4-1、4-2和5中的任意一个范围内，则能得到电气机械结合系数十分大、SAW速度很小的弹性表面波装置。
如上所述，根据本实施方式，能实现这样的压电基片1，即、它具有能使通频带有效地宽带化的大的电气机械结合系数、和能使弹性表面波装置有效地小型化的小的SAW速度。而使用这样的压电基片1来构成弹性表面波装置，则能使弹性表面波装置宽带化和小型化。
本发明并不局限于上述实施方式、它是能以种种变更的方式加以实施的。
如上所述，如果采用本发明的弹性表面波装置用的压电基片，就能得到能有效地使通频带宽带化的大的电气机械结合系数和能有效地使弹性表面波装置小型化的小的SAW速度。
如果采用本发明的弹性表面波装置，由于可采用具有大的电气机械结合系数和小的SAW速度的压电基片，因而能使弹性表面波装置宽带化和小型化。
根据上面的说明可知，本发明能以种种方式或变形例加以实施。因此，在与以下权利要求范围相等的范围中，即使用上述最佳方式以外的方式、也能实施本发明。
权利要求
1.一种弹性表面波装置用的压电基片，用于在压电基片上设有手指状交错电极的弹性表面波装置中，其特征在于，由单晶体构成，所述单晶体属于点群32、具有Ca3Ga2Ge4O14型结晶结构；其主要成分由Ca、Nb、Ga、Si和O构成，是由化学式Ca3NbGa3Si2O14表示的。
2.如权利要求1所述的弹性表面波装置用的压电基片，其特征在于，在用欧拉角表示将上述压电基片的从单晶体切出的切出角和弹性表面波传输方向表示为(φ、θ、 )时，φ、θ和 存在于下述的区域中。φ＝-5°～5°θ＝30°～90° ＝0°～75°
3.如权利要求1所述的弹性表面波装置用的压电基片，其特征在于，在用欧拉角表示将上述压电基片的从单晶体切出的切出角和弹性表面波传输方向表示为(φ、θ、 )时，φ、θ和 存在于下述的区域中。φ＝-5°～5°θ＝110°～155° ＝60°～80°
4.如权利要求1所述的弹性表面波装置用的压电基片，其特征在于，在用欧拉角表示将上述压电基片的从单晶体切出的切出角和弹性表面波传输方向表示为(φ、θ、 )时，φ、θ和 存在于下述的区域中。φ＝5°～10°(不包含5°)θ＝30°～60° ＝-75°～-30°
5.如权利要求1所述的弹性表面波装置用的压电基片，其特征在于，在用欧拉角表示将上述压电基片的从单晶体切出的切出角和弹性表面波传输方向表示为(φ、θ、 )时，φ、θ和 存在于下述的区域中。φ＝5°～10°(不包含5°)θ＝110°～155° ＝-85°～-65°
6.如权利要求1所述的弹性表面波装置用的压电基片，其特征在于，在用欧拉角表示将上述压电基片的从单晶体切出的切出角和弹性表面波传输方向表示为(φ、θ、 )时，φ、θ和 存在于下述的区域中。φ＝10°～20°(不包含10°)θ＝30°～60° ＝-75°～-30°
7.如权利要求1所述的弹性表面波装置用的压电基片，其特征在于，在用欧拉角表示将上述压电基片的从单晶体切出的切出角和弹性表面波传输方向表示为(φ、θ、 )时，φ、θ和 存在于下述的区域中。φ＝10°～20°(不包含10°)θ＝110°～155° ＝-85°～-65°
8.如权利要求1所述的弹性表面波装置用的压电基片，其特征在于，在用欧拉角表示将上述压电基片的从单晶体切出的切出角和弹性表面波传输方向表示为(φ、θ、 )时，φ、θ和 存在于下述的区域中。φ＝20°～30°(不包含20°)θ＝30°～60° ＝-80°～-40°
9.如权利要求1所述的弹性表面波装置用的压电基片，其特征在于，在用欧拉角表示将上述压电基片的从单晶体切出的切出角和弹性表面波传输方向表示为(φ、θ、 )时，φ、θ和 存在于下述的区域中。φ＝20°～30°(不包含20°)θ＝110°～155° ＝-75°～-55°
10.如权利要求1所述的弹性表面波装置用的压电基片，其特征在于，在用欧拉角表示将上述压电基片的从单晶体切出的切出角和弹性表面波传输方向表示为(φ、θ、 )时，φ、θ和 存在于下述的区域中。φ＝5°～30°(不包含5°)θ＝30°～90° ＝-30°～30°
11.一种弹性表面波装置，它是在压电基片上设有手指状交错电极的弹性表面波装置，其特征在于，上述压电基片由单晶体构成，所述单晶体属于点群32、具有Ca3Ga2Ge4O14型结晶结构；其主要成分由Ca、Nb、Ga、Si和O构成，是由化学式Ca3NbGa3Si2O14表示的。
12.如权利要求11所述的弹性表面波装置，其特征在于，在用欧拉角表示将上述压电基片的从单晶体切出的切出角和弹性表面波传输方向表示为(φ、θ、 )时，φ、θ和 存在于下述的区域中。φ＝-5°～5°θ＝30°～90° ＝0°～75°
13.如权利要求11所述的弹性表面波装置，其特征在于，在用欧拉角表示将上述压电基片的从单晶体切出的切出角和弹性表面波传输方向表示为(φ、θ、 )时，φ、θ和 存在于下述的区域中。φ＝-5°～5°θ＝110°～155° ＝60°～80°
14.如权利要求11所述的弹性表面波装置，其特征在于，在用欧拉角表示将上述压电基片的从单晶体切出的切出角和弹性表面波传输方向表示为(φ、θ、 )时，φ、θ和 存在于下述的区域中。φ＝5°～10°(不包含5°)θ＝30°～60°和 ＝-75°～-30°
15.如权利要求11所述的弹性表面波装置，其特征在于，在用欧拉角表示将上述压电基片的从单晶体切出的切出角和弹性表面波传输方向表示为(φ、θ、 )时，φ、θ和 存在于下述的区域中。φ＝5°～10°(不包含5°)θ＝110°～155° ＝-85°～-65°
16.如权利要求11所述的弹性表面波装置，其特征在于，在用欧拉角表示将上述压电基片的从单晶体切出的切出角和弹性表面波传输方向表示为(φ、θ、 )时，φ、θ和 存在于下述的区域中。φ＝10°～20°(不包含10°)θ＝30°～60° ＝-75°～-30°
17.如权利要求11所述的弹性表面波装置，其特征在于，在用欧拉角表示将上述压电基片的从单晶体切出的切出角和弹性表面波传输方向表示为(φ、θ、 )时，φ、θ和 存在于下述的区域中。φ＝10°～20°(不包含10°)θ＝110°～155° ＝-85°～-65°
18.如权利要求11所述的弹性表面波装置，其特征在于，在用欧拉角表示将上述压电基片的从单晶体切出的切出角和弹性表面波传输方向表示为(φ、θ、 )时，φ、θ和 存在于下述的区域中。φ＝20°～30°(不包含20°)θ＝30°～60° ＝-80°～-40°
19.如权利要求11所述的弹性表面波装置，其特征在于，在用欧拉角表示将上述压电基片的从单晶体切出的切出角和弹性表面波传输方向表示为(φ、θ、 )时，φ、θ和 存在于下述的区域中。φ＝20°～30°(不包含20°)θ＝110°～155° ＝-75°～-55°
20.如权利要求11所述的弹性表面波装置，其特征在于，在用欧拉角表示将上述压电基片的从单晶体切出的切出角和弹性表面波传输方向表示为(φ、θ、 )时，φ、θ和 存在于下述的区域中。φ＝5°～30°(不包含5°)θ＝30°～90° ＝-30°～30°
全文摘要
本发明的目的是提供一种能宽频带化及小型化的弹性表面波装置。弹性表面波装置具有压电基片(1)、设置在该压电基片(1)的一方主面上的一对手指交错状电极(2)。压电基片(1)的材料由单晶体构成，它是属于点群32、具有Ca
文档编号H03H9/00GK1439194SQ01811997
公开日2003年8月27日 申请日期2001年12月6日 优先权日2001年3月7日
发明者井上宪司, 佐藤胜男, 守越广树, 佐藤淳 申请人:Tdk株式会社