专利名称：弹性表面波装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及具有弹性表面波滤波器与弹性表面波谐振器连接的结构的弹性表面波装置，尤其涉及具有在压电基板上形成有正的频率温度特性的膜的结构的弹性表面波装置及其频率调整方法。
背景技术：
近年来，在移动电话系统中，随着加入者的增加和服务的多样化，发送频带和接收频带的宽度变宽，并且发送侧频带与接收侧频带靠近的系统增加起来。随之，对通频带宽且就在通频带近旁的衰减量大的带通滤波器的需求变得强烈。
作为移动电话用RF滤波器广泛使用弹性表面波滤波器。在这种弹性表面滤波器中，为了实现宽频带化，使用机电耦合系数大的36°～44°Y切割X传送的LiTaO3基板。但是36°～44°Y切割X传送的LiTaO3基板的频率温度依存性较大，为-30～-35ppm/℃，因此，在使用该基板的弹性表面波滤波器中，必须较多地确保相对温度变化的余量。因此，要增大非常靠近通频带处的衰减量是困难的。
作为补偿36°～44°Y切割X传送的LiTaO3基板的频率温度特性的方法，在日本特开平2-37815号公报中提出了在基板上形成铝电极后再层叠SiO2膜的方法。其中，通过在具有负的温度系数的36°～44°Y切割X传送的LiTaO3基板上形成具有正的温度系数的SiO2膜，使温度系数的绝对值减小。
但是，当层叠SiO2膜时，存在弹性表面波滤波器的传送损耗变大、机电耦合系数变小的问题。
例如，在36°Y切割X传送的LiTaO3基板上构成纵耦合3IDT型谐振器滤波器时的频率特性如图16所示。又，图中“用放大比例表示的特性”，表示利用在纵轴右侧的放大比例所示的特性。在该谐振器滤波器上，将SiO2膜层叠成由电极指间距所确定的波长的15％的厚度后的频率特性如图17所示。
从图16和图17的比较清楚地可知，由于因SiO2膜的形成引起传送损耗的恶化，并由于频带内插入损耗较大地恶化以及机电耦合系数变小而使滤波器的通频带的中央部呈现较大的凹陷。
因形成上述那样的SiO2膜引起传送损耗的恶化，滤波器的中心频率越高就越大，在作为移动电话用RF滤波器所使用的频带中，达到成为不能使用的程度，频带内插入损耗恶化。
又，由于机电耦合系数变小，滤波器的宽频带化变得困难，因此，利用形成SiO2膜来改善频率温度特性的方法，对用于RF滤波器是困难的。
发明内容
本发明的目的在于，消除上述以往技术的缺点，提供能通过形成具有正的频率温度特性的膜来改善频率温度特性、并能抑制频带内插入损耗的恶化、且能实现宽频带化的弹性表面波装置。
采用本发明的范围宽的技术方案，提供一种弹性表面波装置，具有压电基板、构成于所述压电基板上的至少一个弹性表面波滤波器、构成于所述压电基板上并与所述弹性表面波滤波器串联及/或并联连接的至少1个一端子对弹性表面波谐振器，在所述压电基板上，除了构成所述弹性表面波滤波器的区域外，具有对至少1个所述一端子对弹性表面波谐振器中的至少一个以覆盖状态形成的具有正的频率温度特性的膜。
在本发明的特定的技术方案中，对与所述弹性表面波滤波器串联连接的所述一端子对弹性表面波谐振器的至少1个以覆盖状态形成有所述具有正的频率温度特性的膜，所述一端子对弹性表面波谐振器的反谐振频率存在于所述通频带高频侧的衰减区域中。
在本发明的另一特定的技术方案中，对与所述弹性表面波滤波器并联连接的所述一端子对弹性表面波谐振器的至少一个以覆盖状态形成有所述具有正的频率温度特性的膜，所述一端子对弹性表面波谐振器的谐振频率存在于所述弹性表面波滤波器的通频带低频侧的衰减区域中。
在本发明的弹性表面波装置的又一特定技术方案中，在所述一端子对弹性表面波谐振器中，对与弹性表面波滤波器串联连接的至少1个一端子对弹性表面波谐振器以覆盖状态形成有所述具有正的频率温度特性的膜，该一端子对弹性表面波谐振器的反谐振频率存在于所述弹性表面波滤波器的通频带高频侧的衰减区域中，对与所述弹性表面波滤波器并联连接的至少1个一端子对弹性表面波谐振器以覆盖状态形成有所述具有正的频率温度特性的膜，该并联连接的一端子对弹性表面波谐振器的谐频频率存在于所述弹性表面波滤波器的通频带低频侧的衰减区域中。
采用本发明的另一范围宽的技术方案，提供一种弹性表面波装置，具有压电基板、构成于所述压电基板上的至少1个弹性表面波滤波器、构成于所述压电基板上并与所述弹性表面波滤波器串联及/或并联连接的至少1个一端子对弹性表面波谐振器，具有在所述基板上对所述至少1个一端子对弹性表面波谐振器以覆盖状态形成的至少1个具有第1正的频率温度特性的膜、在所述压电基板上对所述弹性表面波滤波器以覆盖状态形成的具有第2正的频率温度特性的膜，并使具有所述第2正的频率温度特性的膜的厚度比具有第1正的频率温度特性的膜的厚度要薄。
在第2发明的特性的技术方案中，对与所述弹性表面波滤波器串联连接的所述一端子对弹性表面波谐振器的至少1个以覆盖状态形成具有所述第1正的频率温度特性的膜，使所述一端子对弹性表面波谐振器的反谐振频率存在于所述弹性表面波滤波器的通频带高频侧的衰减区域中。
在第2发明的另一特定的技术方案中，对与所述弹性表面波滤波器并联连接的所述一端子对弹性表面波谐振器的至少1个以覆盖状态形成有所述具有第1正的频率温度特性的膜，所述一端子对弹性表面波谐振器的谐振频率存在于所述弹性表面波滤波器的通频带低频侧的衰减区域中。
在第2发明的弹性表面波装置中又一特定的技术方案中，在所述一端子对弹性表面波谐振器中，对与弹性表面波滤波器串联连接的至少1个一端子对弹性表面波谐振器以覆盖状态形成有所述具有第1正的频率温度特性的膜，使该一端子对弹性表面波谐振器的反谐振频率存在于所述弹性表面波滤波器的通频带高频侧的衰减区域中，对与所述弹性表面波滤波器并联连接的一端子对弹性表面波谐振器以覆盖状态形成有所述具有第1正的频率温度特性的膜，使该并联连接的一端子对弹性表面波谐振器的谐振频率存在于所述弹性表面波滤波器的通频带低频侧的衰减区域中。
本发明(第1、第2发明)中，作为具有上述正的频率温度特性的膜较好的是使用氧化硅膜或氮化硅膜，更好的是使用SiO2膜。
本发明(第1、第2发明)中，作为压电基板最好使用36°～44°Y切割X传送的LiTaO3基板。
本发明的弹性表面波装置的频率调整方法，其特征是，在对根据本发明所构成的弹性表面波装置的频率进行调整时，在形成具有正的频率温度特性的膜的一端子对弹性表面波谐振器中的至少1个一端子对弹性表面波谐振器上对所述具有正的频率特性的膜进行腐蚀加工。
图1是本发明第1实施例的弹性表面波装置的模式平面图。
图2是表示用于比较而准备的弹性表面波装置、未对一端子对弹性表面波谐振器形成涂覆SiO2膜的弹性表面波装置的模式平面图。
图3是第1实施例的弹性表面波装置的频率特性的示图。
图4是比较例1的弹性表面波装置的频率特性的示图。
图5是在第1实施例中使温度在-25℃～+75℃范围中变化时的频率特性变化的示图。
图7是在第1实施例中所用的弹性表面波滤波器单体中使温度在从-25℃至+75℃变化时的频率特性变化的示图。
图8是在第1实施例中所用的一端子对弹性表面波谐振器单体中使温度从-25℃至+75℃变化时的频率特性变化的示图。
图9是在用于比较例1的弹性表面波装置的一端子对弹性表面波谐振器单体中使温度从-25℃至+75℃变化时的频率特性变化的示图。
图10是用于说明第2实施例的弹性表面波装置的电路结构的模式平面图。
图11是用于说明比较例2的弹性表面波装置的图、是未对一端子对弹性表面波谐振器形成覆盖状态的SiO2膜的弹性表面波装置的模式平面图。
图12是表示在第2实施形态中使温度从-25℃至75℃变化时的频率特性变化的示图。
图13是在比较例2中使温度从-25℃至+75℃变化时的频率特性变化的示图。
图14是用于说明本发明第3实施例的弹性表面波装置的模式平面图。
图15是在本发明的第3实施例的弹性表面波装置中使温度从-25℃至+75℃变化时的频率特性变化的示图。
图16是表示以往例的频率特性的图、是表示在36°Y切割X传送的LiTaO3基板上构成纵耦合型3IDT型的谐振器滤波器时的频率特性的图。
图17是在图16所示的弹性表面波滤波器上、层叠用电极指间距所确定的波长的15％厚度的SiO2膜时的频率特性的图。
具体实施例方式
下面，通过对本发明具体实施例的说明来弄清本发明。
图1是本发明第1实施例的弹性表面波装置的模式平面图。在本实施例的弹性表面波装置1中，使用由36°Y切割X传送的LiTaO3基板构成的压电基板2。
在压电基板2上利用铝电极形成3 IDT型的弹性表面波滤波器3和一端子对弹性表面波谐振器4。
并且，将铝电极的膜厚制成用电极指间距所确定的波长的8％。可是，铝电极的膜厚根据频率及必需的频带宽度其最佳值是不同的。
弹性表面波滤波器3具有沿表面传送方向配置的3个IDT11～13和设置于设有IDT11～13的区域的两侧上的反射器14、15。也就是说，弹性表面波滤波器3是纵耦合的3IDT型的弹性表面波谐振器滤波器。可是，在本实施例中，上述弹性表面波滤波器3不限于该纵耦合型3IDT型弹性表面波谐振器滤波器，也可以是其他结构的。
一端子对弹性表面波谐振器4具有IDT16和配置于IDT16两侧的反射器17、18。可是，也可不设反射器17、18。
将IDT11、13的一端连接在一起、再与一端子对弹性表面波谐振器4的IDT16连接。并且，一端子对弹性表面波谐振器4的IDT16的另一端与输入端子5连接。IDT12的一端与输出端子6连接。IDT12的另一端与接地电位连接。并且，IDT11、13的与IDT16连接侧的相反侧的端部与接地电位连接。
也就是说，一端子对弹性表面波谐振器4与弹性表面波滤波器3串联地连接着。
将SiO2膜7形成覆盖一端子对弹性表面波谐振器4的状态。
也就是说，在本实施例中，在压电基板2上，除了设有弹性表面波滤波器3的区域外，至少将SiO2膜7形成覆盖设有一端子对弹性表面波谐振器4的区域的状态。SiO2膜7的膜厚被制成用一端子对弹性表面波谐振器4的电极指间距所确定的波长的15％，但是该SiO2膜7的膜厚，根据弹性表面波滤波器3和一端子对弹性表面波谐振器4的结构及基底的铝电极膜的膜厚，其最佳值是不同的。
在本实施例中，SiO2膜7的形成如下进行。也就是说，在压电基板2上，利用铝电极膜形成弹性表面波滤波器3和一端子对弹性表面波谐振器4后，利用喷镀在整个面上形成SiO2膜。虽然对该喷镀可用任何的装置，但最好使用ECR喷镀装置。然后，用抗蚀剂涂覆设有一端子对弹性表面波谐振器4的区域，通过腐蚀将涂覆抗蚀剂的区域以外的SiO2膜去除。接着，将上述抗蚀剂去除。
SiO2膜7的形成方法，不限于上述方法，可以使用CVD的方法，或代替用腐蚀去除不要的SiO2膜而可用剥离加工(lift off)去除的方法等各种的方法。
并且，仅将一端子对弹性表面波谐振器4上的SiO2膜7必要的部分通过干式腐蚀去除，能对一端子对弹性表面波谐振器4的频率进行调整。在该频率调整中所进行的腐蚀加工也可以是湿式腐蚀。通过进行上述的频率调整，能大幅度地降低弹性表面波装置1的不良率。
为了确认按上述实施例所构成的弹性表面波装置1的效果，准备除了不形成SiO2膜7外、与上述实施例同样构成的如图2所示的比较例的弹性表面波装置1A。而且，测定了弹性表面波装置1、1A的频率特性。并将弹性表面波滤波器3和一端子对弹性表面波谐振器4的规格制成如下。
弹性表面波滤波器3IDT11～13的电间指间距为1.02μm；IDT11～13的电极指的对数为13.5/20.5/13.5对；反射器14、15的电极指的根数为100根。一端子对弹性表面波谐振器4的IDT16的电极指间距为0.96μm；电极指的对数为150对；反射器17、18的电极指的根数为30根。
从图3和图4可知，第1实施例的弹性表面波装置1的频率特性与比较例1的弹性表面波装置1A相比，通频带高频侧(2010～2030MHz附近)的衰减量及频带内插入损耗稍差。这是由于形成SiO2膜7而一端子对弹性表面波谐振器4的传送损失增大的缘故。
但是，该频带内插入损耗的变差，并未大到不能用作RF滤波器的程度。并且，在弹性表面波装置1中的非常靠近通频带高频侧的陡削性与在弹性表面波装置1A中的陡削性大致相同。
接着，对弹性表面波装置1、1A测定使温度在-25℃～+75℃范围中变化时的频率特性的变化。其结果示于图5和图6。
在图5所示的弹性表面波装置1的频率特性中，与图6所示的弹性表面波装置1A的频率特性相比，可知在非常靠近通频带的频率中，相对于温度的变化减小。对该变化若用温度系数进行比较时可知在通频带高频侧，从通过电平(0dB)至5dB的衰减量的位置中的温度系数，相对在弹性表面波装置1A中为-35.1ppm/℃来说，在实施例的弹性表面波装置1中改进至-23.8ppm/℃。并且在本说明书中，所谓温度系数，是将相对于温度的频率的变化量用ppm来表示，之所以用ppm来表现，是由于当频率变化时间距发生变化、而相对于温度的变化程度也有变化的缘故。由各温度求得从上述通过电平至成为5dB衰减量时的频率，通过将该数据作直线近似，故能求得相对于温度的频率变化的系数。通过将相对于该温度的频率变化的系数除以滤波器的中心频率(1960MHz)能求得温度系数(ppm)。
从上述可知，采用实施例的弹性表面波装置1，在将使用温度范围制成-25℃～+75℃的场合，能使存在于非常靠近通频带的衰减区域中的频率变化减小约1.1MHz。
为了更清楚地说明上述温度特性的改善效果，将弹性表面波装置1中的弹性表面波滤波器3和一端子对弹性表面波谐振器4、以及弹性表面波装置1A中的一端子对弹性表面波谐振器对各自单体中使温度从-25℃变化至+75℃时的频率特性示于图7～图9。另外，在弹性表面波滤波器1A中的弹性表面波谐振器中，如所述那样未层叠SiO2膜7。
从图7～图9可知，弹性表面波滤波器3的通频带高频侧的衰减区域的频率与一端子对弹性表面波谐振器4的反谐振频率大致一致。由此，在弹性表面波装置1中非常靠近通频带高频侧的频率温度特性，当使一端子对弹性表面波谐振器4与弹性表面波滤波器3串联时，频率温度特性成为两者的中间的频率温度特性。也就是说，如上述实施例那样，在弹性表面波滤波器3的通频带高频侧的衰减区域，通过设定一端子对弹性表面波谐振器的反谐频频率，可改善一端子对弹性表面波谐振器的频率温度特性，并可改善在通频带高频侧的频率温度特性。
若比较图8和图9，图8所示的特性的弹性表面波谐振器的一方比图9所示的特性的弹性表面波谐振器相对于温度的频率变化减小。因此，在将图8所示的特性的弹性表面波谐振器或图9所示的特性的弹性表面波谐振器与图7所示的弹性表面波滤波器串联连接时，在通频带高频侧的相对于温度的频率变化，是使用图8所示的特性的弹性表面谐振器时的一方较小。
该场合，由于在弹性表面波滤波器3上未形成SiO2膜，故传送损耗未很大恶化、且机电耦合系数不会减小。也就是说，在与弹性表面波滤波器3串联连接的一端子对弹性表面波谐振器中，使形成有SiO2膜时的该一端子对弹性表面波谐振器的反谐振频率存在于弹性表面波滤波器3的通频带高频侧的衰减区域，可抑制频带内插入损耗的较大恶化，能够制成在通频带高频侧具有良好的频率温度特性的宽频带的弹性表面波装置1。
图10是本发明第2实施例的弹性表面波装置21的模式平面图。在第2实施例的弹性表面波装置21中，在36°Y切割X传送的LiTaO3基板22上，利用铝电极形成弹性表面波滤波器23和一端子对弹性表面波谐振器24。将铝电极的膜厚制成由电极指间距所确定的波长的8％。
在弹性表面波滤波器23中，沿表面波传送方向配置有3个IDT31～33。并且，在设置着IDT31～33的区域的两侧配置有反射器34、35。也就是说，弹性表面波滤波器23是纵耦合型的3IDT型弹性表面波谐振器滤波器。
在一端子对弹性表面波谐振器24中，在IDT36的两侧配置着反射器37、38。形成着SiO2膜27覆盖在一端子对弹性表面波谐振器24上的状态。
将SiO2膜27的膜厚制成由电极指间距所确定的波长的15％。该SiO2膜的形成方法与第1实施例相同。
在本实施例中，上述弹性表面波滤波器23的IDT31、33的一端共同地连接、再与输入端子25连接。并且，IDT31、33的另一端与接地电位连接。IDT32的一端与输出端子26连接，另一端与接地电位连接。而且，一端子对弹性表面波谐振器24的IDT36的一端与输入端子25连接，另一端与接地电位连接。因此，一端子对弹性表面波谐振器24与弹性表面波滤波器23并联连接着。
为了弄清第2实施例的弹性表面波装置21的效果，准备了作为比较例2如图11模式地表示的弹性表面波装置21A。该弹性表面波装置21A，除了未形成SiO2膜涂覆在一端子对弹性表面波谐振器24上外，结构是与弹性表面波装置21同样的。
并且，弹性表面波滤波器23和一端子对弹性表面波谐振器24的规格制成与第1实施例的弹性表面波滤波器3和一端子对弹性表面波谐振器4相同。
图12和图13对弹性表面波装置21、21A分别表示在-25℃～+75℃的范围中使温度变化时的频率特性的变化。从图12和图13可知，在第2实施例的弹性表面波装置21的频率特性中，相对于非常靠近通频带低频侧的温度的变化与比较例2的弹性表面波装置21A的频率特性的场合相比是变小。若用温度系数对其进行比较时，相对在比较例2的弹性表面波装置21A中、在通频带低频侧中从通过电平(0dB)至衰减量为5dB的位置的温度系数为-35.7ppm/℃来说，在第2实施例的弹性表面波装置21中改善至-25.6ppm/℃。
因此，在第2实施例中，即使在位于非常靠近通频带低频侧的衰减区域中的频率变化在使使用温度范围为-25℃～+75℃时减小约1.0MHz。
上述效果，通过层叠SiO2膜的一端子对弹性表面波谐振器24与弹性表面波滤波器23并联连接、一端子对弹性表面波谐振器24的谐振频率被构成存在于通频带低频侧的衰减区域，弹性表面波装置21的通频带低频侧的频率温度特性成为弹性表面波滤波器23的频率温度特性与一端子对弹性表面波谐振器24的频率温度特性的中间的频率温度特性。也就是说，通过与弹性表面波滤波器23并联连接并使层叠着SiO2膜的一端子对弹性表面波谐振器24的谐振频率存在于弹性表面波滤波器23的通频带低频侧的衰减区域，不会导致频带内插入损耗的大幅度的劣化，能提供在通频带低频侧中具有良好的频率温度特性的、宽频带的弹性表面波装置21。
图14是本发明第3实施例的弹性表面波装置的简略的平面图。在弹性表面波装置41中，在由36°Y切割X传送的TiTaO3基板构成的压电基板(未图示)上，形成弹性表面波滤波器43和与弹性表面波滤波器43串联连接的一端子对弹性表面波谐振器44及并联连接的一端子对弹性表面波谐振器45。弹性表面波滤波器43、一端子对弹性表面波谐振器44、45，用铝电极构成，该铝电极的膜厚，被制成由电极指间距所确定的波长的8％。
并且，形成SiO2膜48涂覆在一端子对弹性表面波谐振器44、45上的状态。在弹性表面波滤波器43上未形成SiO2膜。
因此，弹性表面波装置41相当于使第1、第2实施例的弹性表面波装置1、21组合的结构。弹性表面波滤波器43被作成与弹性表面波滤波器3、23同样的结构。并且，一端子对弹性表面波谐振器44被做成与第1实施例中所用的一端子对弹性表面波谐振器4同样的结构、一端子对弹性表面波谐振器45被作成与第2实施例中所用的一端子对弹性表面波谐振器24同样的结构。
在图14中，46为输入端子，47为输出端子。
在本实施例中，SiO2膜48、48A的膜厚作成由电极指间距所确定的波长的15％。并且，SiO2膜的形成方法是与第1实施例同样的。
对本实施例的弹性表面波装置41使在-25℃～+75℃的范围中温度变化时的频率特性的变化示于图15。并且弹性表面波滤波器43、一端子对弹性表面波谐振器44、45作成与第2实施例同样的结构。
从图15可知，在第3实施例的频率特性中，在非常靠近通频带低频侧和高频侧的频率中相对于温度的变化减小。或用温度系数评价时，在通频带低频侧中从通过电平(0dB)至衰减量为5dB的频率中的温度系数为-25.3ppm/℃，在通频带高频侧中从通过电平至衰减为5dB的频率中的温度系数为-25.7ppm/℃。因此，可知，在第1、第2实施例中，与用于比较而准备的比较例1、2的弹性表面波装置相比，在本实施例中，能改善在通频带整体中的频率温度特性。
在第3实施例中，由于作成将第1、第2实施例组合的结构，与弹性表面波滤波器33串联连接的一端子对弹性表面波谐振器34的反谐振频率被构成存在于通频带高频侧的衰减区域的状态，并联连接的一端子对弹性表面波谐振器45的谐频频率被构成存在于通频带低频侧的衰减区域的状态。故能获得第1、第2实施例的双方的效果。因此，不会致致在通频带内的插入损耗的大幅度的劣化。在通频带内整体中，能提供具有良好的频率温度特性、宽频带的弹性表面波装置41。
又，在第1～第3实施例中，虽然在弹性表面波滤波器3、23、43上未形成SiO2膜，但也可如图1中用虚线模式地表示的范围中，对弹性表面波滤波器3以覆盖状态形成第2 SiO2膜7A。该场合，若将覆盖一端子对弹性表面波谐振器4的SiO2膜设定为第1 SiO2膜时，只要使第2 SiO2膜7A的厚度比第1 SiO2膜7的厚度来得薄即可。也就是说，为了防止例如金属粉的附着，作为保护膜也可对弹性表面波滤波器3以覆盖状态形成第2 SiO2膜7A，在该场合，只要将第2 SiO2膜7A的厚度制成比第1 SiO2膜7薄即可，即，也可以形成弹性表面波滤波器3的特性不劣化程度的薄的SiO2膜7A。即使是形成这样的厚度薄的第2 SiO2膜膜7A的场合，也与第1实施例同样，由于第1 SiO2膜膜7的形成，与第1实施例同样地不会导致频带内插入损耗的较大的劣化，能改善频率温度特性。同样，即使在第2、第3实施例中，也可对弹性表面波滤波器23、43以覆盖状态形成厚度比覆盖一端子对弹性表面波谐振器的第1 SiO2膜要薄的、特性不劣化程度的第2 SiO2膜，与第2、第3实施例同样能在不会导致频带内插入损耗较大劣化的情况下改善频率温度特性。
又，在第1实施例中，与弹性表面波滤波器3串联地连接着1个VZQ4，在第2实施例中，与弹性表面波滤波器3并联地连接着1个一端子对弹性表面波谐振器4。然而，也可分别连接多个一端子对弹性表面波谐振器。该场合，若对多个一端子对弹性表面波谐振器中至少1个一端子对弹性表面波谐振器以覆盖状态形成SiO2膜，则与第1、第2实施例同样，能改善频率温度特性。
又，在第3实施例中，虽然是将1个一端子对弹性表面波谐振器44串联地、1个一端子对弹性表面波谐振器45并联地与弹性表面波滤波器43连接着，但串联连接的一端子对弹性表面波谐振器也可以是多个、并联连接的一端子对弹性表面波谐振器也可以是多个、也可以它们的双方都是多个。即使在该场合，若至少在1个一端子对弹性表面波谐振器中形成SiO2膜，就能与第1实施例或第2实施例同样地改善频率温度特性，最好是，在串联连接的一端子对弹性表面波谐振器和并联连接的一端子对弹性表面波谐振器的双方上，如第3实施例那样形成SiO2膜，由此能改善通频带在宽的范围内的频率温度特性。
象第1实施例中说明的那样，在本发明的弹性表面波装置中，对上述那样对一端子对弹性表面波谐振器以覆盖状态形成的具有正的频率特性的膜，至少在1个一端子对弹性表面波谐振器中通过腐蚀加工能进行频率调整，由此能容易地提供所希望的接收频率的弹性表面波装置。
又，在上述实施例中，作为具有正的频率温度特性的膜，使用了SiO2膜，但也可以使用SiO2膜以外的氧化硅膜或氮化硅膜等其他的具有正的频率温度特性的膜。
又，在上述实施例中，作为压电基板使用了36°Y切割X传送的LiTaO3基板，但在本发明中，不限于此，也能将36°～44°Y切割X传送的LiTaO3基板、即，将具有负的温度系数的上述压电基板应用于所用的弹性表面波装置上。
又，本发明中，压电基板上构成的弹性表面波滤波器也可以有多个。
发明的效果在第1发明的弹性表面波装置中，至少在1个弹性表面波滤波器上串联及/或并联连接着至少1个一端子对弹性表面波谐振器，除了构成弹性表面波滤波器的区域以外，对至少1个的一端子对弹性表面波谐振器中的至少1个以覆盖状态形成具有正的频率温度特性的膜。SiO2膜具有正的温度系数，因此，虽然作为压电基板使用具有负的温度系数的压电基板，但非常靠近弹性表面波装置的通频带的高频侧或低频侧的频率温度特性，呈现弹性表面波滤波器和串联或并联连接的一端子对弹性表面波谐振器的频率温度特性的中间性频率温度特性，所以，能改善作为弹性表面波装置整体的频率温度特性。并且，对于弹性表面波滤波器自身，由于未形成具有正的频率温度特性的膜，故不会导致传送损耗的大幅度的劣化及机电耦合系数的降低。
也就是说，以往，为了改善温度特性未在整个面上设有SiO2膜，而在该场合存在机电耦合系数变小的问题。对此，在第1发明中，通过将一端子对弹性表面波谐振器与弹性表面波滤波器连接能获得足够的衰减量。而且，通过仅在一端子对弹性表面波谐振器上形成具有一定的频率温度特性的膜，能改善温度特性。即，既保护滤波器特性、又能改善温度特性。因此，能提供不会导致频带内插入损耗的劣化的、具有良好的频率温度特性的宽频带的弹性表面波装置。
在第1发明的第1特定的技术方案中，对与弹性表面波滤波器串联连接的一端子对弹性表面波谐振器的至少1个以覆盖状态形成上述SiO2膜，构成使一端子对弹性表面波谐振器的反谐振频率存在于弹性表面波滤波器的通频带高频侧的衰减区域中。因此，可改善在通频带高频侧的频率温度特性、即能提供不会导致通频带内插入损耗大劣化的、在通频带高频侧具有良好的频率温度特性的、宽频带的弹性表面波装置。
在第1发明的第2特定的技术方案中，由于对与弹性表面波滤波器并联连接的一端子对弹性表面波谐振器中至少1个以覆盖状态形成具有正的频率温度特性的膜，使一端子对弹性表面波谐振器的谐振频率存在于弹性表面波滤波器的通频带低频侧的衰减区域，故能改善通频带低频侧的频率温度特性，能提供不会使频带内插入损耗大幅度劣化的、在通频带低频侧具有良好的频率温度特性的、宽频带的弹性表面波装置。
在第1发明中，在将由上述第1、第2的特定技术方案所提供的结构进行组合的场合，能改善通频带的高频侧及低频侧的双方的频率温度特性，由此能提供不会导致频带内插入损耗大幅度劣化的、具有涉及通频带的整个区域的良好的频率温度特性的、宽频带的弹性表面波装置。
在第2发明的弹性表面波装置中，由于在压电基板上构成有至少1个弹性表面波滤波器，在该弹性表面波滤波器上串联和/或并联连接着至少1个一端子对弹性表面波谐振器，对至少1个一端子对弹性表面波谐振器以覆盖状态形成至少1个具有第1正的频率温度特性的膜，对弹性表面波滤波器以覆盖状态形成具有第2正的频率温度系数的膜，将具有第2正的频率温度特性的膜制成比具有第1正的频率温度特性的膜来得薄，即，在第2发明中，由于将具有第1正的频率温度特性的膜涂覆在至少1个一端子对弹性表面波谐振器上，故通过一端子对弹性表面波谐振器的负荷能获得足够的衰减量，并通过具有该第1正的频率温度特性的膜来改善温度特性。由于形成具有上述第1正的频率温度特性的膜，故能提供不会导致频带内插入损耗大幅度劣化的、在通频带的低频侧或高频侧可实现良好的频率温度特性的、宽频带的弹性表面波装置。又该场合，由于利用具有第2正的频率温度特性的膜覆盖弹性表面波滤波器，可保护弹性表面波滤波器抵挡金属粉等。
在第2发明的第1特定的技术方案中，由于对与弹性表面波滤波器串联连接的一端子对弹性表面波谐振器中的至少1个以覆盖状态形成上述第1 SiO2膜，构成使一端子对弹性表面波谐振器的反谐振频率存在于弹性表面波滤波器的通频带高频侧的衰减区域中，故能提供改善在通频带高频侧的频率温度特性、即不会导致通频带内插入损耗较大劣化的、在通频带高频侧具有良好的频率温度特性的、宽频带的弹性表面波装置。
在第2发明的第2特定的技术方案中，由于对与弹性表面波滤波器并联连接的一端子对弹性表面波谐振器中的至少1个以覆盖状态形成第1 SiO2膜，构成使一端子对弹性表面波谐振器的谐振频率存在于弹性表面波滤波器的通频带低频侧的衰减区域中，故能改善在通频带低频侧上的频率温度特性，能提供不会导致频带内插入耗损大幅度劣化的、在通频带低频侧上具有良好频率温度特性的、宽频带的弹性表面波装置。
在第2发明，对于将由上述第1、第2特定的技术方案所提供的结构组合的场合，能改善在通频带的高频侧和低频侧双方中的频率温度特性，由此能提供不会导致频带内插入损耗大幅度劣化的、在通频带的整个区域具有良好的频率温度特性的、宽频带的弹性表面波装置。
在本发明中，作为压电基板在使用了36°～44°Y切割X传送的LiTaO3基板的场合，36°～44°Y切割X传送的LiTaO3基板具有负的电阻温度特性，由于通过形成具有上述正的频率温度特性的膜能改善频率温度特性，故根据本发明，能提供频率温度特性良好的宽频带的弹性表面波装置。
在本发明的频率调整方法中，在形成具有上述正的频率温度特性的膜的一端子对弹性表面波谐振器中的至少1个一端子对弹性表面波谐振器中，仅用对SiO2膜进行腐蚀加工的方法，能容易地调整频率，就能容易地提供所希望频带的弹性表面波装置。
权利要求
1.一种弹性表面波装置，其特征在于，具有具有负的频率温度特性的压电基板、构成于所述压电基板上的至少一个弹性表面波滤波器、构成于所述压电基板上并与所述弹性表面波滤波器串联及/或并联连接的至少1个一端子对弹性表面波谐振器，在所述压电基板上，除了构成所述弹性表面波滤波器的区域外，具有对至少1个所述弹性表面波谐振器以覆盖状态形成的具有正的频率温度特性的至少1个膜。
2.如权利要求1所述的弹性表面波装置，其特征在于，对与所述弹性表面波滤波器串联连接的所述一端子对弹性表面波谐振器的至少1个以覆盖状态形成所述具有正的频率温度特性的膜，使所述一端子对弹性表面波谐振器的反谐振频率存在于所述弹性表面波滤波器的通频带高频侧的衰减区域中。
3.如权利要求1所述的弹性表面波装置，其特征在于，对与所述弹性表面波滤波器并联连接的所述一端子对弹性表面波谐振器的至少一个以覆盖状态形成所述具有正的频率温度特性的膜，使所述一端子对弹性表面波谐振器的谐振频率存在于所述弹性表面波滤波器的通频带低频侧的衰减区域中。
4.如权利要求1所述的弹性表面波装置，其特征在于，对所述一端子对弹性表面波谐振器中的、与弹性表面波滤波器串联连接的至少1个一端子对弹性表面波谐振器以覆盖状态形成所述具有正的频率温度特性的膜，使该一端子对弹性表面波谐振器的反谐振频率存在于所述弹性表面波滤波器的通频带高频侧的衰减区域中，对与所述弹性表面波滤波器并联连接的至少1个一端子对弹性表面波谐振器以覆盖状态形成所述具有正的频率温度特性的膜，该并联连接的一端子对弹性表面波谐振器的谐振频率存在于所述弹性表面波滤波器的通频带低频侧的衰减区域中。
5.一种弹性表面波装置，其特征在于，具有压电基板、构成于所述压电基板上的至少1个弹性表面波滤波器、构成于所述压电基板上并与所述弹性表面波滤波器串联及/或并联连接的至少1个弹性表面波谐振器，还具有在所述基板上对所述至少1个一端子对弹性表面波谐振器以覆盖状态形成的至少1个具有第1正的频率温度特性的膜、以及在所述压电基板上对所述弹性表面波滤波器以覆盖状态形成的具有第2正的频率温度特性的膜，所述具有第2正的频率温度特性的膜的厚度比具有第1正的频率温度特性的膜的厚度要薄。
6.如权利要求5所述的弹性表面波装置，其特征在于，对与所述弹性表面波滤波器串联连接的所述一端子对弹性表面波谐振器的至少1个以覆盖状态形成有所述具有第1正的频率温度特性的膜，所述一端子对弹性表面波谐振器的反谐振频率存在于所述弹性表面波滤波器的通频带高频侧的衰减区域中。
7.如权利要求5所述的弹性表面波装置，其特征在于，对与所述弹性表面波滤波器并联连接的所述一端子对弹性表面波谐振器的至少1个以覆盖状态形成有所述具有第1正的频率温度特性的膜，所述一端子对弹性表面波谐振器的谐振频率存在于所述弹性表面波滤波器的通频带低频侧的衰减区域中。
8.如权利要求5所述的弹性表面波装置，其特征在于，对所述一端子对弹性表面波谐振器中的、与弹性表面波滤波器串联连接的至少1个一端子对弹性表面波谐振器以覆盖状态形成有所述具有第1正的频率温度特性的膜，该一端子对弹性表面波谐振器的反谐振频率存在于所述弹性表面波滤波器的通频带高频侧的衰减区域中，对与所述弹性表面波滤波器并联连接的一端子对弹性表面波谐振器以覆盖状态形成有所述所述第1正的频率温度特性的膜，该并联连接的一端子对弹性表面波谐振器的谐振频率存在于所述弹性表面波滤波器的通频带低频侧的衰减区域中。
9.如权利要求1或5的任一项所述的弹性表面波装置，其特征在于，所述具有正的频率温度特性的膜是氧化硅膜。
10.如权利要求9所述的弹性表面波装置，其特征在于，所述氧化硅膜是SiO2膜。
11.如权利要求1或5的任一项所述的弹性表面波装置，其特征在于，所述压电基板由36°～44°Y切割X传送的LiTaO3基板构成。
12.一种弹性表面波装置的频率调整方法，是如权利要求1或5的任一项所述的弹性表面波装置的频率调整方法，其特征在于，在形成有所述具有正的频率温度特性的膜的一端子对弹性表面波谐振器中的至少1个一端子对弹性表面波谐振器上，通过对具有正的频率温度特性的膜进行腐蚀加工来进行频率调整。
全文摘要
本发明提供一种不会导致频带内插入损耗大幅度劣化的、不会导致机电耦合系数大幅度降低的、具有良好的频率温度特性的、宽频带的弹性表面波装置。该弹性表面波装置(1)在压电基板(2)上形成有至少1个弹性表面波滤波器(3)和与弹性表面波滤波器(3)串联及/或并联连接的至少1个一端子对弹性表面波谐振器(4)、除了构成弹性表面波滤波器(3)的区域外、在至少1个一端子对弹性表面波谐振器中的至少1个上以覆盖状态形成有具有正的频率温度特性的膜(7)。
文档编号H03H9/64GK1389984SQ0212281
公开日2003年1月8日 申请日期2002年6月6日 优先权日2001年6月6日
发明者高峰裕一 申请人:株式会社村田制作所