专利名称：一种抗静电高精度低漂移双运算放大器的制作方法
技术领域：
本实用新型属于模拟电子技术领域，具体涉及一种精密运算放大器抗高静电力的设计。
背景技术：
0P07是一种低噪声、低漂移、高精度的运算放大器。应用于电子系统前置放大、误差放大、直流信号放大、仪表放大器等信号处理的场合。但是，普通的0P07的静电损伤阈值电压约为700-1000V，受静电损伤影响比较大，在应用器件时，要求静电防护比较高。综上所述，针对现有技术的缺陷，特别需要一种抗静电高精度低漂移双运算放大器，以解决以上提到的问题。·
实用新型内容本实用新型的目的在于提供一种抗静电高精度低漂移双运算放大器，克服了因静电力而导致器件损坏不能工作的缺点，采用厚膜混合集成的方式将0P07A芯片、保护二极管、保护电阻和内部调零电阻组成混合电路，封装在F08-04A外壳内，从而实现本实用新型的目的。本实用新型所解决的技术问题可以采用以下技术方案来实现一种抗静电高精度低漂移双运算放大器，包括外壳，外壳内部封装有基片，基片上设置有混合电路。在本实用新型的一个实施例中，所述混合电路包括采用厚膜混合集成方式组成的芯片、8个保护二极管、4个保护电阻和2个内部调零电阻。在本实用新型的一个实施例中，第一保护电阻和第二保护电阻串联于输入端，第一保护二极管和第二保护二极管连接供电电源，第三保护二极管和第四保护二极管连接负电源输入端，第一内部调零电阻和第二内部调零电阻连接正电源。本实用新型的有益效果在于静电阈值电压大于4000V，失调电压为10uV，失调电压温度系数为O. 2uV/°C，长期稳定度为O. 2uV/月，无需调零，无需外补偿和外接保护元件。
图I为本实用新型所述的混合电路结构示意图。图2为本实用新型所述的外壳引出端管脚功能示意图。
具体实施方式
为使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式
，进一步阐述本实用新型。如图I所示，本实用新型所述的一种抗静电高精度低漂移双运算放大器，包括外壳，外壳内部封装有基片，基片上设置有混合电路。所述混合电路包括采用厚膜混合集成方式组成的芯片、8个保护二极管、4个保护电阻和2个内部调零电阻。第一保护电阻Rl和第二保护电阻R2串联于输入端-IN和+IN，第一保护二极管Dl和第二保护二极管D2连接正电源VCC，第三保护二极管D3和第四保护二极管D4连接负电源输入端VEE，有效的减小静电的损伤，提高抗静电能力。第一内部调零电阻R3和第二内部调零电阻连R4接正电源VCC，实现内部调零。如图2所示，所示外壳设置有引出端管脚，分别连接输入端(-INA、+INA, -INB、+INB、)输出端OUTA和OUTB，正电源VCC、负电源VEE。以上显示和描述了本实用新型的基本原理和主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
权利要求1.一种抗静电高精度低漂移双运算放大器，其特征在于，包括外壳，外壳内部封装有基片，基片上设置有混合电路。
2.根据权利要求I所述的一种抗静电高精度低漂移双运算放大器，其特征在于，所述混合电路包括采用厚膜混合集成方式组成的芯片、8个保护二极管、4个保护电阻和2个内部调零电阻。
3.根据权利要求2所述的一种抗静电高精度低漂移双运算放大器，其特征在于，第一保护电阻和第二保护电阻串联于输入端，第一保护二极管和第二保护二极管连接供电电源，第三保护二极管和第四保护二极管连接负电源输入端，第一内部调零电阻和第二内部调零电阻连接正电源。
专利摘要本实用新型公开了一种抗静电高精度低漂移双运算放大器，包括外壳，外壳内部封装有基片，基片上设置有混合电路；所述混合电路包括采用厚膜混合集成方式组成的芯片、8个保护二极管、4个保护电阻和2个内部调零电阻。本实用新型的有益效果在于静电阈值电压大于4000V，失调电压为10μV，失调电压温度系数为0.2μV/℃，长期稳定度为0.2μV/月，无需调零，无需外补偿和外接保护元件。
文档编号H03F1/26GK202663361SQ20122003054
公开日2013年1月9日 申请日期2012年1月31日 优先权日2012年1月31日
发明者沈文娟, 李翔, 赵伟红 申请人:陕西航晶微电子有限公司