专利名称：一种单端转差分电路及射频功率放大器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及无线通信领域，尤其是涉及一种单端转差分电路及射频功率放大器。
背景技术：
射频功率放大器主要用于无线通讯系统中，是各种无线发射机的重要组成部分。射频功率放大器通常采用单端方式或差分方式实现，单端方式实现的射频功率放大器具有结构简单的特点，但是其需要有良好的接地，因此容易受到电源和地上信号的干扰，从而易产生杂波和震荡。而差分方式实现的射频功率放大器对接地的要求较低，不易受到电源和地上信号的干扰。但是由于射频功率放大器的输入信号是单端周期信号，因此差分方式实现的射频功率放大器中需要一个单端转差分电路，实现将单端周期信号转换成相位相差180°的差分信号。在现有技术中，一种单端转差分电路采用如图1所示的第一级变压器，由于单端转差分电路通常通过芯片实现，变压器结构往往占用面积很大，因此增加了芯片的成本。为了节约成本，现有技术中还提供了另一种单端转差分的实现方式，如图2所示，单端转差分电路由LC-CL网络组成，这种单端转差分电路的不再需要变压器，因此成本较低。但是由于LC-CL网络的频点固定，即只能将特定频率的单端周期信号转成差分信号，因此对于不同频率的单端周期信号需要设计不同频点的LC-CL网络，从而造成了应用的不便。
实用新型内容本实用新型解决的技术问题在于提供一种单端转差分电路及射频功率放大器，使得同一单端转差分电路能够实现将一定范围内频率的单端周期信号转成差分信号，从而应用起来更加便利。为此，本实用新型解决技术问题的技术方案是:本实用新型提供了一种单端转差分电路，所述电路包括:(2n_l)个反相器，其中n ≥ I ；单端周期信号分成第一输出信号和第二输出信号；第一输出信号经过η个反相器后作为第一差分信号输出；所述第二输出信号经过(η-l)个反相器后作为第二差分信号输出。优选地,所述第一输出信号经过第一反相器后作为第一差分信号输出，所述第二输出信号作为第二差分信号输出。优选地，所述第一输出信号经过的η个反相器中的m个反相器为放大反相器；所述第二输出信号经过的(η-l)个反相器中的m个反相器为放大反相器，所述第一输出信号经过的m个放大反相器的放大系数与所述第二输出信号经过的m个放大反相器的放大系数相同；其中，(η-l)≥m≥I。优选地，所述第一输出信号依次经过第二反相器和第三反相器后作为第一差分信号输出，所述第二输出信号经过第四反相器后作为第二差分信号输出；所述第二反相器和第四反相器为放大反相器，且所述第二反相器和第四反相器的放大系数相同。优选地，所述放大反相器包括第二 NMOS管、第二 PMOS管和第一电阻，所述第二NMOS管的源极接地电平，所述第二 PMOS管的源极接电源电压，所述第二 NMOS管的栅极和第二 PMOS管的栅极相连并作为所述放大反相器的输入端，所述第二 NMOS管的漏极和第二PMOS管的漏极相连并作为所述放大反相器的输出端，所述放大反相器的输入端和输出端之间串联第一电阻。优选地，所述放大反相器包括第三NMOS管和第二电阻，所述第三NMOS管的源极接地电平，所述第三NMOS管的漏极通过第二电阻接电源电压；所述第三NMOS管的栅极作为所述放大反相器的输入端，所述第三NMOS管的漏极作为所述放大反相器的输出端。优选地，放大反相器包括第四NMOS管和第五NMOS管，所述第四NMOS管的源极接地电平，所述第四NMOS管的漏极接第五NMOS管的源极，所述第五NMOS管的漏极和栅极均接电源电压；所述第四NMOS管的栅极作为所述放大反相器的输入端，所述第四NMOS管的漏极作为所述放大反相器的输出端。优选地，所述电路还包括放大系数相同的第一放大级和第二放大级；所述第一输出信号经过第一放大级和η个反相器后作为第一差分信号输出，所述第二输出信号经过第二放大级和(η-l)个反相器作为第二差分信号输出。优选地，所述反相器包括第一 NMOS管和第一 PMOS管，所述第一 NMOS管的源极接地电平，所述第一 PMOS管的源极接电源电压，所述第一 NMOS管的栅极和第一 PMOS管的栅极相连并作为反相器的输入端，所述第一 NMOS管的漏极和第一 PMOS管的漏极相连并作为反相器的输出端。优选地，所述电路还包括延时电路；所述第二输出信号经过(η-l)个反相器和延时电路后作为第二差分信号输出；所述延时电路的延时时间等于所述第一输出信号经过η个反相器的延时时间与所述第二输出信号经过(η-l)个反相器的延时时间的差。本实用新型还提供了一种射频功率放大器，所述放大器包括:交流电源、输出电阻、驱动级、功率级、变压器、天线以及如权利要求1至10任意一项所述的单端转差分电路；所述交流电源输出的电源电压经过输出电阻后作为单端周期信号发送至单端转差分电路；所述单端转差分电路输出的第一差分信号和第二差分信号依次经过驱动级、功率级后串联所述变压器的原边，所述变压器的副边串联在天线和地电平之间；所述驱动级用于放大第一差分信号和第二差分信号，以使得放大后的第一差分信号和第二差分信号能够驱动所述功率级；所述功率级用于向所述驱动级输出的信号提供足够的功率增益。通过上述技术方案可知，本实用新型中的单端转差分电路中将单端周期信号分成第一和第二输出信号，第一输出信号经过η个反相器,即相位反转180° η次后作为第一差分信号输出，第二输出信号经η-l个反相器，即相位反转180° (η-l)次后作为第二差分信号输出，可以看出，第一差分信号和第二差分信号为相位相差180°的差分信号。并且由于反相器通常由功率器件组成，因此不具有单一的固定频点，能够将一定范围内频率的信号进行反相，因此本实用新型提供的单端转差分电路能够实现将一定范围内频率的单端周期信号转成差分信号，从而应用起来更加便利。
图1为一种现有技术中的单端转差分电路的结构示意图；图2为另一种现有技术中的单端转差分电路的结构示意图；图3为本实用新型提供的单端转差分电路的一具体实施例的结构示意图；图4为本实用新型提供的一反相器的具体结构图；图5为本实用新型提供的另一反相器的具体结构图；图6为本实用新型提供的另一反相器的具体结构图；图7为本实用新型提供的另一反相器的具体结构图； 图8为本实用新型提供的单端转差分电路另一具体实施例的结构示意图；图9为本实用新型提供的单端转差分电路另一具体实施例的结构示意图；图10为本实用新型提供的单端转差分电路另一具体实施例的结构示意图；图11为本实用新型提供的单端转差分电路另一具体实施例的结构示意图；图12为本实用新型提供的一延时电路的具体结构图；图13为本实用新型提供的功率射频放大器的具体实施例的结构示意图；图14为图13所示的功率射频放大器中的驱动级或功率级的结构示意图。
具体实施方式
请参阅图3，本实用新型提供了一种单端转差分电路的具体实施例，所述电路包括:(2n-l)个反相器301和302，其中η彡1，也就是说η为大于或等于I的整数。单端周期信号分成第一输出信号和第二输出信号输出。这里，单端周期信号可以是等分成第一输出信号和第二输出信号。第一输出信号经过η个反相器301后作为第一差分信号输出，第二输出信号经过(η-l)个反相器302后作为第二差分信号输出。其中，单端周期信号可以为周期性的方波信号或者周期性的正弦波信号。在射频功率放大器中，单端周期信号可以由射频信号源产生。通过上述技术方案可知，该实施例中的单端转差分电路中单端周期信号分成第一输出信号和第二输出信号，第一输出信号经过η个反相器,即相位反转180° η次后作为第一差分信号输出，第二输出信号经η-l个反相器,即相位反转180° (η-1)次后作为第二差分信号输出，可以看出，第一差分信号和第二差分信号为相位相差180°的差分信号。并且由于反相器通常由功率器件组成，能够将一定范围内频率的信号进行反相，因此本实用新型提供的单端转差分电路能够实现将一定范围内频率的单端周期信号转成差分信号，从而应用起来更加便利。在该实施例中，η个反相器301和(η_1)个反相器302可以直接接单端周期信号。实际上，本实用新型提供的单端转差分电路还可以包括功分器，即功率分配器，通过功分器将单端周期信号分成第一输出信号和第二输出信号。反相器是一种能将信号的相位反转180°的器件，通常由功率器件组成。图4至图7提供了四种反相器的组成形式。图4中提供的反相器包括第一 NMOS管NI和第一 PMOS管P1，第一 NMOS管NI的源极接地电平，第一 PMOS管Pl的源极接电源电压，第一 NMOS管NI的栅极和第一 PMOS管Pl的栅极相连并作为该反相器的输入端，第一 NMOS管NI的漏极和第一 PMOS管Pl的漏极相连并作为该反相器的输出端。当图4中的反相器处于工作状态时，当其输入信号为低电平时，则第一 NMOS管NI处于截止区，第一 PMOS管Pl处于线性区，当其输入信号为高电平时，则第一 NMOS管NI处于线性区，第一 PMOS管Pl处于截止区。图5至图7中提供的反相器均为具有放大功能的反相器，即放大反相器，图5中的放大反相器包括第二 NMOS管N2、第二 PMOS管P2和第一电阻R1，第二 NMOS管N2的源极接地电平，第二 PMOS管P2的源极接电源电压，第二 NMOS管N2的栅极和第二 PMOS管P2的栅极相连并作为该放大反相器的输入端，第二 NMOS管N2的漏极和第二 PMOS管P2的漏极相连并作为该放大反相器的输出端，该放大反相器的输入端和输出端之间串联第一电阻Rl。由于第一电阻Rl的存在，图5中提供的反相器工作时，第二 NMOS管N2和第二 PMOS管P2均处于放大区。图6中的放大反相器包括第三NMOS管N3和第二电阻R2，第三NMOS管N3的源极接地电平，第三NMOS管N3的漏极通过第二电阻R2接电源电压。第三NMOS管N3的栅极作为该放大反相器的输入端，第三NMOS管N3的漏极作为该放大反相器的输出端。图7中的放大反相器包括第四NMOS管N4和第五NMOS管N5，第四NMOS管N4的源极接地电平，第四NMOS管N4的漏极接第五NMOS管N5的源极，第五NMOS管N5的漏极和栅极均接电源电压。第四NMOS管N4的栅极作为该放大反相器的输入端，第四NMOS管N4的漏极，即第五NMOS管N5的源极，作为该放大反相器的输出端。除图4至图7提供的反相器外，现有技术中还提供了多种形式的反相器，均可以用于本实用新型提供的实施例中，在此不再一一赘述。下面通过一个实施例说明采用图4提供的反相器的单端转差分电路。请参阅图8，本实用新型提供了单端转差分电路的另一具体实施例，在该实施例中，η= I。该电路包括:第一反相器801。其中第一反相器801为图4所示的反相器。单端周期信号分成第一输出信号和第二输出信号输出。第一输出信号经过第一反相器801后作为第一差分信号输出，所述第二输出信号直接作为第二差分信号输出。其中，单端周期信号可以为周期性的方波信号或者周期性的正弦波信号。在射频功率放大器中，单端周期信号可以由射频信号源产生。该实施例中的第一输出信号经过第一反相器801，即相位反转180° I次后作为第一差分信号输出，第二输出信号直接输出，即相位不变直接作为第二差分信号输出，因此，第一差分信号和第二差分信号为相位相差180°的差分信号。实际上，第一反相器801还可以采用其他任意形式的反相器。在该实施例中，第一反相器801和第二差分信号的输出端可以直接接单端周期信号。在本实用新型提供的实施例中，当单端周期信号较小时，第一输出信号和第二输出信号也较小，因此可以通过图5至图7提供的放大反相器或放大级对第一输出信号和第二输出信号进行放大。下面分别通过两个实施例加以说明。[0058]请参阅图9，本实用新型提供了单端转差分电路的另一具体实施例，在该实施例中，η = 2。该电路包括:第二反相器901、第三反相器902和第四反相器903。其中第二反相器902为图4所示的反相器，第二反相器901和第四反相器903为图5所示的放大反相器。并且第二反相器901和第四反相器903的放大系数相同。单端周期信号分成第一输出信号和第二输出信号输出。第一输出信号经过第二反相器901和第三反相器902后作为第一差分信号输出。其中，第一输出信号可以如图9所示依次经过第二反相器901和第三反相器902，也可以依次经过第三反相器902和第二反相器901。第二输出信号经过第四反相器903后作为第二差分信号输出。其中，单端周期信号可以为周期性的方波信号或者周期性的正弦波信号。在射频功率放大器中，单端周期信号可以由射频信号源产生。在该实施例中，第二反相器901和第四反相器903可以直接接单端周期信号。该实施例中的第一输出信号经过第二反相器901和第三反相器902,因此第一输出的信号相位反转180° 2次后作为第一差分信号输出，第二输出信号经过第四反相器903，因此第二输出的信号相位反转180° I次后作为第二差分信号输出，因此，第一差分信号和第二差分信号为相位相差180°的差分信号。并且由于第二反相器901和第四反相器903的放大系数相同， 因此第一输出信号和第二输出信号被放大的倍数相同。该实施例中的第二反相器901和第四反相器903还可以采用图6或图7等任意形式的放大反相器。在其他实施例中，第二反相器和第四反相器的放大系数可以不同，并且两者也可以采用不同结构的放大反相器。实际上,在其他实施例中，可以用多个放大反相器对第一输出信号和第二信号进行放大。具体地，在图3所示的实施例中，第一输出信号经过的η个反相器中的ml个反相器为放大反相器。第二输出信号经过的(η-l)个反相器中的m2个反相器为放大反相器。其中，(η-l)彡ml彡l，(n-l)彡ml彡I。并且放大反相器可以采用图5至图7等任意形式的放大反相器。优选地，ml = m2 = m，第一输出信号经过的m个放大反相器的放大系数与所述第二输出信号经过的m个放大反相器的放大系数相同。请参阅图10，本实用新型提供了单端转差分电路的另一具体实施例，在该实施例中，η = 2。该电路包括:第五反相器1001、第一放大级1002和第二放大级1003。第一放大级1002和第二放大级1003的放大系数相同。第五反相器1001为图4所示的反相器。单端周期信号分成第一输出信号和第二输出信号输出。第一输出信号经过第一放大级1002和第五反相器1001后作为第一差分信号输出。其中，第一输出信号可以如图10所示依次经过第一放大级1002和第五反相器1001，也可以依次经过第五反相器1001和第一放大级1002。第二输出信号经过第二放大级1003后作为第二差分信号输出。其中，单端周期信号可以为周期性的方波信号或者周期性的正弦波信号。在射频功率放大器中，单端周期信号可以由射频信号源产生。实际上，第五反相器1001还可以采用其他任意形式的反相器。在该实施例中，第一放大级1002和第二放大级1003可以直接接单端周期信号。该实施例中的第一放大级对第一放大级的输入信号进行放大，第二放大级对第二放大级的输入信号进行放大。并且第一放大级和第二放大级的放大系数相同，因此该实施例中第一输出信号和第二输出信号被放大的倍数相同。在其他实施例中，第一放大级1002和第二放大级1003的放大系数也可以不相同。在其他实施例中，可以采用不止一个反相器。具体地，第一输出信号经过第一放大级和η个反相器后作为第一差分信号输出，所述第二输出信号经过第二放大级和(η-l)个反相器作为第二差分信号输出。其中，第一输出信号经过第一放大级和η个反相器的具体顺序不受限定。第二输出信号经过第二放大级和(η-l)个反相器的具体顺序也不受限定。其中η彡I。由于反相器会产生一定的延时，对于一些高频的单端周期信号来说，对延时的要求会比较高。因此可以通过延时电路补偿反相器造成的延时，下面通过一个实施例加以说明。请参阅图11，本实用新型提供了单端转差分电路的另一具体实施例，在该实施例中，η = I。该电路包括:第六反相器1101和延时电路1102。其中第六反相器1101为图4所示的反相器。单端周期信号分成第一输出信号和第二输出信号输出。第一输出信号经过第六反相器1101后作为第一差分信号输出。第二输出信号经过延时电路1102后作为第二差分信号。延时电路1102的延时时间与第六反相器1101的延时时间相同。其中，单端周期信号可以为周期性的方波信号或者周期性的正弦波信号。在射频功率放大器中，单端周期信号可以由射频信号源产生。实际上，第六反相器1101可以采用其他形式的反相器。在该实施例中，第六反相器1101和延时电路1102可以直接接单端周期信号。该实施例中第六反相器1101对第一输出信号造成了一定的相位延时,延时电路1102恰好补偿了该延时。因此最终输出的第一差分信号和第二差分信号为相位正好相差180°的差分信号。实际上，在 其他实施例中，可以包括(2η_1)个反相器。具体地，第一输出信号经过η个反相器后作为第一差分信号输出，第二输出信号经过(η-l)个反相器和延时电路后作为第二差分信号输出。其中，第二输出信号经过(η-l)个反相器和延时电路的具体顺序不受限定。并且延时电路的延时时间等于第一输出信号经过η个反相器的延时时间与第二输出信号经过(η-l)个反相器的延时时间的差。延时电路可以由两个快速反相器组成，也可以采用如图12所示的结构。只需能够实现延时功能即可。如图12所示的延时电路包括延时电阻R3和接地电容Cl，延时电阻R3的第一端作为延时电路的输入端，延时电阻R3的第二端作为延时电路的输出端，延时电阻R3的第二端通过接地电容Cl接地。如图13所示，本实用新型还提供了一种射频功率放大器的具体实施例。该实施例中，所述放大器包括:射频信号源1301、如图8所示的实施例中的单端转差分电路1302、驱动级1303、功率级1304、变压器1305、以及天线1306。单端转差分电路1303包括第一反相器601。其中第一反相器601为图4所示的反相器。射频信号源1301输出单端周期信号。所述单端周期信号分成第一输出信号和第二输出信号输出。第一输出信号经过第一反相器601后作为第一差分信号输出，所述第二输出信号直接作为第二差分信号输出。单端转差分电路1302输出的第一差分信号和第二差分信号依次经过驱动级1303、功率级1304后串联变压器1305的原边，变压器1305的副边串联在天线1306和地电平之间。驱动级1303用于放大第一差分信号和第二差分信号，以使得放大后的第一差分信号和第二差分信号能够驱动功率级1304。功率级1304用于向驱动级1303输出的信号提供足够的功率增益，以使得天线1306的输入为大功率信号。其中，单端转差分电路1102还可以采用本实用新型中的单端转差分电路的实施例中的任意一个。其中，驱动级1303和功率级1304均可以采用如图14所示的结构。驱动级1303采用图14所示的结构时，驱动级1303包括:第六NMOS管N6、第七NMOS管N7、第八NMOS管N8、第九NMOS管N9、第一电感LI和第二电感L2。第七NMOS管N7的栅极为驱动级1303的第一输入端，第七NMOS管N7的源极接地，第七NMOS管N7的漏极接第六NMOS管N6的源极，第六NMOS管N6的栅极为第一输出端，第六NMOS管N6的漏极通过第一电感LI接电源电压。第九NMOS管N9的栅极为驱动级1303的第二输入端，第九NMOS管N9的源极接地，第九NMOS管N9的漏极接第八NMOS管N8的源极，第八NMOS管N8的栅极为第二输出端，第八NMOS管NS的漏极通过第二电感L2接电源电压。当第一输入端的输入信号为第一差分信号时，第二输入端的输入信号为第二差分信号。当第一输入端的输入信号为第二差分信号时，第二输入端的输入信号为第一差分信号。第一输出端和第二输出端连接功率级1304。当功率级1304采用图14所示的结构时，与驱动级1303采用图14所示的结构时的连接方式类似，区别仅为功率级1304的第一输入端和第二输入端的输入信号不再为第一差分信号和第二差分信号，而是第一差分信号和第二差分信号的经驱动级1303后的输出信号，功率级1304的第一输入端和第二输入端串联变压器1305的原边。以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。
权利要求1.一种单端转差分电路，其特征在于，所述电路包括:(2n-l)个反相器，其中η > I ； 单端周期信号分成第一输出信号和第二输出信号；第一输出信号经过η个反相器后作为第一差分信号输出；所述第二输出信号经过(η-l)个反相器后作为第二差分信号输出。
2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一输出信号经过第一反相器后作为第一差分信号输出，所述第二输出信号作为第二差分信号输出。
3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一输出信号经过的η个反相器中的m个反相器为放大反相器；所述第二输出信号经过的(η-l)个反相器中的m个反相器为放大反相器，所述第一输出信号经过的m个放大反相器的放大系数与所述第二输出信号经过的m个放大反相器的放大系数相同；其中，(η-l)彡m彡I。
4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述第一输出信号依次经过第二反相器和第三反相器后作为第一差分信号输出，所述第二输出信号经过第四反相器后作为第二差分信号输出； 所述第二反相器和第四反相器为放大反相器，且所述第二反相器和第四反相器的放大系数相同。
5.根据权利要求3或4所述的电路，其特征在于，所述放大反相器包括第二NMOS管、第二 PMOS管和第一电阻，所述第二 NMOS管的源极接地电平，所述第二 PMOS管的源极接电源电压，所述第二 NMOS管的栅极和第二 PMOS管的栅极相连并作为所述放大反相器的输入端，所述第二 NMOS管的漏极和第二 PMOS管的漏极相连并作为所述放大反相器的输出端，所述放大反相器的输入端和输出端之间串联第一电阻。
6.根据权利要求3或4所述的电路，其特征在于，所述放大反相器包括第三NMOS管和第二电阻，所述第三NMOS管的源极接地电平，所述第三NMOS管的漏极通过第二电阻接电源电压；所述第三NMOS管 的栅极作为所述放大反相器的输入端，所述第三NMOS管的漏极作为所述放大反相器的输出端。
7.根据权利要求3或4所述的电路，其特征在于，放大反相器包括第四NMOS管和第五NMOS管，所述第四NMOS管的源极接地电平，所述第四NMOS管的漏极接第五NMOS管的源极，所述第五NMOS管的漏极和栅极均接电源电压；所述第四NMOS管的栅极作为所述放大反相器的输入端，所述第四NMOS管的漏极作为所述放大反相器的输出端。
8.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述电路还包括放大系数相同的第一放大级和第二放大级； 所述第一输出信号经过第一放大级和η个反相器后作为第一差分信号输出，所述第二输出信号经过第二放大级和(η-l)个反相器作为第二差分信号输出。
9.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述反相器包括第一NMOS管和第一 PMOS管，所述第一 NMOS管的源极接地电平，所述第一 PMOS管的源极接电源电压，所述第一 NMOS管的栅极和第一 PMOS管的栅极相连并作为反相器的输入端，所述第一 NMOS管的漏极和第一 PMOS管的漏极相连并作为反相器的输出端。
10.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述电路还包括延时电路； 所述第二输出信号经过(η-l)个反相器和延时电路后作为第二差分信号输出； 所述延时电路的延时时间等于所述第一输出信号经过η个反相器的延时时间与所述第二输出信号经过(η-l)个反相器的延时时间的差。
11.一种射频功率放大器，其特征在于，所述放大器包括:交流电源、输出电阻、驱动级、功率级、变压器、天线以及如权利要求1至10任意一项所述的单端转差分电路； 所述交流电源输出的电源电压经过输出电阻后作为单端周期信号发送至单端转差分电路； 所述单端转差分电路输出的第一差分信号和第二差分信号依次经过驱动级、功率级后串联所述变压器的原边，所述变压器的副边串联在天线和地电平之间； 所述驱动级用于放大第一差分信号和第二差分信号，以使得放大后的第一差分信号和第二差分信号能够驱动所述功率级； 所述功率级用于向所述驱 动级输出的信号提供足够的功率增益。
专利摘要本实用新型提供了一种单端转差分电路，包括(2n-1)个反相器。单端周期信号分成第一输出信号和第二输出信号输出，第一输出信号经过n个反相器后作为第一差分信号输出；第二输出信号经过(n-1)个反相器后作为第二差分信号输出。可知，本实用新型中的第一输出信号相位反转180°n次后作为第一差分信号输出，第二输出信号相位反转180°(n-1)次后作为第二差分信号输出，第一和第二差分信号为相位相差180°的差分信号。并且由于反相器通常由功率器件组成，不具有单一的固定频点，故本实用新型提供的单端转差分电路能够将一定频率范围的单端周期信号转成差分信号，从而应用更加便利。本实用新型还提供了一种射频功率放大器。
文档编号H03F3/189GK203039666SQ20122063192
公开日2013年7月3日 申请日期2012年11月26日 优先权日2012年11月26日
发明者杨清华, 刘海玲 申请人:贵州中科汉天下电子有限公司