半导体开关装置的制作方法

文档序号:12750571阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种半导体开关装置,其特征在于,具备:

开关电路部,其具备并联连接的、导通截止动作特性不同的多种半导体开关元件,使主电流接通或断开;

驱动电路,其具备拉电流端子和灌电流端子,按照对所述主电流的接通或断开进行控制的控制信号,从所述拉电流端子输出使各所述半导体开关元件导通的第一驱动电压,并且从所述灌电流端子输出使各所述半导体开关元件截止的第二驱动电压;以及

阻抗元件,其插入安装于该驱动电路中的所述拉电流端子与所述灌电流端子之间,使将各所述半导体开关元件导通或截止的动作定时互不相同。

2.根据权利要求1所述的半导体开关装置,其特征在于,

所述驱动电路具备:第一输出开关电路,其按照所述控制信号来从所述拉电流端子输出所述第一驱动电压;以及第二输出开关电路,其按照所述控制信号来从所述灌电流端子输出所述第二驱动电压。

3.根据权利要求1所述的半导体开关装置,其特征在于,

并联设置的、被所述驱动电路一并进行导通截止驱动的所述多种半导体开关元件之一是IGBT即绝缘栅双极型晶体管,其它半导体开关元件是MOS-FET即金属氧化物半导体场效应晶体管。

4.根据权利要求1所述的半导体开关装置,其特征在于,

所述第一驱动电压是使所述多种半导体开关元件中的各个半导体开关元件导通所需的高电位的栅极驱动电压,所述第二驱动电压是使所述多种半导体开关元件中的各个半导体开关元件截止所需的比所述第一驱动电压低的低电位的栅极驱动电压。

5.一种半导体开关装置,其特征在于,具备:

开关电路部,其具备并联连接的、导通截止动作特性不同的第一半导体开关元件和第二半导体开关元件,使主电流接通或断开;

驱动电路,其具备拉电流端子和灌电流端子,按照对所述主电流的接通或断开进行控制的控制信号,从所述拉电流端子输出使所述第一半导体开关元件和所述第二半导体开关元件分别导通的第一驱动电压,并且从所述灌电流端子输出使所述第一半导体开关元件和所述第二半导体开关元件分别截止的第二驱动电压;以及

定时调整用电阻元件,其插入安装于该驱动电路中的所述拉电流端子与所述灌电流端子之间,使将所述第一半导体开关元件和所述第二半导体开关元件导通或截止的动作定时互不相同。

6.根据权利要求5所述的半导体开关装置,其特征在于,

所述第一半导体开关元件和所述第二半导体开关元件的一方是IGBT即绝缘栅双极型晶体管,另一方是MOS-FET即金属氧化物半导体场效应晶体管。

7.根据权利要求5所述的半导体开关装置,其特征在于,

所述驱动电路具备:

第一输出开关电路,其按照所述控制信号来向所述拉电流端子输出所述第一驱动电压;以及

第二输出开关电路,其按照所述控制信号来与所述第一输出开关电路相反地向所述灌电流端子输出所述第二驱动电压。

8.根据权利要求5所述的半导体开关装置,其特征在于,

所述第一驱动电压是使所述第一半导体开关元件和所述第二半导体开关元件分别导通所需的高电位的栅极驱动电压,所述第二驱动电压是使所述第一半导体开关元件和所述第二半导体开关元件分别截止所需的比所述第一驱动电压低的低电位的栅极驱动电压。

9.根据权利要求5所述的半导体开关装置,其特征在于,

所述驱动电路具备:

第一输出开关电路,其按照所述控制信号来向所述拉电流端子输出所述第一驱动电压;

第二输出开关电路,其按照所述控制信号来与所述第一输出开关电路相反地向所述灌电流端子输出所述第二驱动电压;以及

第三输出开关电路,其按照所述控制信号来与所述第一输出开关电路相反地向所述拉电流端子输出所述第二驱动电压。

10.根据权利要求9所述的半导体开关装置,其特征在于,

在随着从所述灌电流端子输出所述第二驱动电压而使得所述第一半导体开关元件被截止之前,所述第三输出开关电路向所述拉电流端子输出所述第二驱动电压。

11.根据权利要求9所述的半导体开关装置,其特征在于,

在随着所述第二输出开关电路导通而使得所述第一半导体开关元件被截止之后,所述第三输出开关电路从所述拉电流端子输出所述第二驱动电压,以将该第一半导体开关元件保持为截止状态。

12.一种半导体开关装置,其特征在于,具备:

开关电路部,其具备并联连接的、导通截止动作特性不同的第一半导体开关元件和第二半导体开关元件,使主电流接通或断开;

第一驱动电路,其按照对所述第一半导体开关元件和所述第二半导体开关元件的导通或截止进行控制的控制信号来从第一输出端子输出使所述第一半导体开关元件导通或截止的驱动电压;

第二驱动电路,其按照所述控制信号来从第二输出端子输出使所述第二半导体开关元件导通或截止的驱动电压;以及

定时调整用电容元件,其插入安装于所述第一驱动电路所具备的第一输出端子与所述第二驱动电路所具备的第二输出端子之间,使将所述第一半导体开关元件和所述第二半导体开关元件导通或截止的动作定时互不相同。

13.根据权利要求12所述的半导体开关装置,其特征在于,

所述第一驱动电路具备:第一开关电路,其按照所述控制信号来从所述第一输出端子输出使所述第一半导体开关元件导通所需的第一驱动电压;以及第二开关电路,其从所述第一输出端子输出使所述第一半导体开关元件截止所需的第二驱动电压来代替所述第一驱动电压,

所述第二驱动电路具备:第三开关电路,其按照所述控制信号来从所述第二输出端子输出使所述第二半导体开关元件导通所需的第三驱动电压;以及第四开关电路,其从所述第二输出端子输出使所述第二半导体开关元件截止所需的第四驱动电压来代替所述第三驱动电压。

14.根据权利要求13所述的半导体开关装置,其特征在于,

所述第一驱动电压是使所述第一半导体开关元件导通所需的高电位的栅极驱动电压,

所述第二驱动电压是使所述第一半导体开关元件截止所需的比所述第一驱动电压低的低电位的栅极驱动电压,

所述第三驱动电压是使所述第二半导体开关元件导通所需的高电位的栅极驱动电压,

所述第四驱动电压是使所述第二半导体开关元件截止所需的比所述第三驱动电压低的低电位的栅极驱动电压。

15.根据权利要求12所述的半导体开关装置,其特征在于,

所述第一半导体开关元件是IGBT即绝缘栅双极型晶体管,所述第二半导体开关元件是MOS-FET即金属氧化物半导体场效应晶体管。

16.根据权利要求13所述的半导体开关装置,其特征在于,

所述第三开关电路经由逆流防止用二极管来向所述第二驱动电路的所述第二输出端子输出所述第三驱动电压,该逆流防止用二极管用于阻止所述定时调整用电容元件中蓄积的电荷的逆流。

17.根据权利要求13所述的半导体开关装置,其特征在于,

所述定时调整用电容元件被设置成能够通过第五开关电路而选择性地从所述第一驱动电路的所述第一输出端子与所述第二驱动电路的所述第二输出端子之间断开。

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