一种采用CMOS工艺实现的太赫兹振荡器的制作方法

技术特征：

1.一种采用CMOS工艺实现的太赫兹振荡器，其特征在于，包括有由第一MOS管(M1)、第二MOS管(M2)和第一电感(L1)构成的交叉耦合震荡电路，以及由第三MOS管(M3)、第四MOS管(M4)和第二电感(L2)构成的频率选择负阻结构，其中，所述的第二电感(L2)的一端连接第三MOS管(M3)的栅极，另一端连接第四MOS管(M4)的栅极，第三MOS管(M3)和第四MOS管(M4)的漏极均连接供电电源(Vdd)，第三MOS管(M3)的源极分别连接第一电感(L1)的一端、第一MOS管(M1)的漏极以及第二MOS管(M2)的栅极，所述第四MOS管(M4)的源极分别连接第一电感(L1)的另一端、第二MOS管(M2)的漏极以及第一MOS管(M1)的栅极，所述第一MOS管(M1)和第二MOS管(M2)的源极接地。

2.根据权利要求1所述的一种采用CMOS工艺实现的太赫兹振荡器，其特征在于，所述的第一MOS管(M1)和第二MOS管(M2)的栅宽w₁的限制条件：

$\frac{1}{{\mathrm{\ω}}^2\left(L_1\right|\left|L_2\right){\mathrm{lC}}_{ox}}\>w_1\>\frac{4l}{2R_{eq}^2{\mathrm{I\μ}}_n{C}_{ox}}$

所述的第三MOS管(M3)和第四MOS管(M4)的栅宽w₃需要满足的限制条件：

${\left(\frac{R_{eq}}{{\mathrm{\ω}}^2{L}_2}\sqrt{\frac{{\mathrm{I\μ}}_n}{2l^3{C}_{ox}}}\right)}^2\>w_3\>\frac{1}{{\mathrm{\ω}}^2{L}_2{\mathrm{lC}}_{ox}}$

式中w₁表示交叉对管结构中的第一MOS管(M1)和第二MOS管(M2)的栅宽，w₂表示交叉对管结构中的第三MOS管(M3)和第四MOS管(M4)的栅宽，l表示MOS管的特征尺寸，即沟道长度，C_ox表示单位栅氧化层电容，μ_n表示器件电子迁移率，I表示偏置电流，ω表示振荡器的工作频率，R_eq表示电路的寄生电阻。