技术总结
一种采用CMOS工艺实现的太赫兹振荡器，有由第一MOS管M1、第二MOS管M2和第一电感L1构成的交叉耦合震荡电路，第三MOS管M3、第四MOS管M4和第二电感L2构成的频率选择负阻结构，第二电感L2的一端连接第三MOS管M3的栅极，另一端连接第四MOS管M4的栅极，第三MOS管M3和第四MOS管M4的漏极均连接供电电源Vdd，第三MOS管M3的源极连接第一电感L1的一端、第一MOS管M1的漏极以及第二MOS管M2的栅极，第四MOS管M4的源极连接第一电感L1的另一端、第二MOS管M2的漏极以及第一MOS管M1的栅极，第一MOS管M1和第二MOS管M2的源极接地。本发明集成度高、成本低、易于大规模生产。
技术研发人员：毛陆虹;王阳;谢生;肖谧
受保护的技术使用者：天津大学
文档号码：201610919573
技术研发日：2016.10.21
技术公布日：2017.03.15