1.基于碳化硅MOSFET和JFET的混合高压器件，其特征在于：包括MOSFET、N个JFET、N个JFET驱动电路、混合高压器件的源极、混合高压器件的栅极以及混合高压器件的漏极；
MOSFET的源极与混合高压器件的源极连接，MOSFET的栅极与混合高压器件的栅极连接，N个JFET依次串联，第i个JFET的漏极与其相邻的第i+1个JFET的源极连接，i为整数，0<i<N，第1个JFET的源极与MOSFET的漏极连接，第N个JFET的漏极与混合高压器件的漏极连接；
N个JFET驱动电路依次串联，第i个JFET驱动电路的输出端与其相邻的第i+1个JFET驱动电路的输入端连接，第1个JFET驱动电路的输入端与混合高压器件的栅极连接，N个JFET驱动电路的输出端分别与N个JFET的栅极连接。
2.根据权利要求1所述的基于碳化硅MOSFET和JFET的混合高压器件，其特征在于：还包括MOSFET驱动电阻和N个JFET驱动电阻；MOSFET驱动电阻的一端与MOSFET的栅极连接，另一端与混合高压器件的栅极连接，JFET驱动电阻两端分别与JFET驱动电路的输出端以及该JFET驱动电路驱动的JFET栅极连接。
3.根据权利要求1或2所述的基于碳化硅MOSFET和JFET的混合高压器件，其特征在于：JFET驱动电路包括并联的稳压管串、二极管以及电阻电容串联回路，稳压管串的阳极、二极管的阳极以及电阻电容串联回路的一端连接成第一节点，第一节点为JFET驱动电路的输入端，稳压管串的阴极、二极管的阴极以及电阻电容串联回路的另一端连接成第二节点，第二节点为JFET驱动电路的输出端。
4.根据权利要求3所述的基于碳化硅MOSFET和JFET的混合高压器件，其特征在于：稳压管串包括若干个串联的稳压管，第一个稳压管的阳极作为稳压管串的阳极，最后一个稳压管的阴极作为稳压管串的阴极，两个相邻稳压管的阳极与阴极连接。
5.根据权利要求1所述的基于碳化硅MOSFET和JFET的混合高压器件，其特征在于：N＝5。