技术总结
一种柔性薄膜射频开关，包括衬底，所述的衬底为柔性衬底，所述衬底上设置有SU8粘合层，所述SU8粘合层的上面分别设置有：第一PIN二极管、第二PIN二极管、输入端、输出端和接地端，其中，所述第一PIN二极管的一端通过金属互联线连接所述的输入端，所述第一PIN二极管的另一端通过金属互联线分别连接输出端和第二PIN二极管的一端，所述第二PIN二极管的另一端通过金属互联线连接接地端。本发明是结合薄膜转移工艺，利用柔性PIN二极管开发出的可应用于柔性射频领域的开关。本发明制作工艺与柔性薄膜晶体管、PIN二极管等完全兼容。其可应用于许多无线便携设备，如手机和雷达系统。通过结合使用单晶硅薄膜转移工艺实现低寄生电阻、高射频特性的开关。
技术研发人员：秦国轩;黄治塬;刘昊;靳萌萌;党孟娇;王亚楠
受保护的技术使用者：天津大学
文档号码：201611047627
技术研发日：2016.11.23
技术公布日：2017.02.22