一种小型化低噪声放大器的制作方法

本发明涉及微波技术领域，具体涉及一种小型化低噪声放大器。

背景技术：

低噪声放大器是现代微波/毫米波通信、雷达、电子战系统等应用中一个非常重要的部分，常用于接收系统的前端，在放大接收信号的同时抑制噪声干扰，提高系统灵敏度。如果在接收系统的前端连接高性能的低噪声放大器，在低噪声放大器增益足够大的情况下，就能够抑制后级电路的噪声，则整个接收机系统的噪声将主要取决于放大器的噪声。如果低噪声放大器的噪声系数降低，接收机系统的噪声系数也会变小，信噪比得到改善，灵敏度大大提高。由此可见微波低噪声放大器的性能制约了整个接收系统的性能，对于整个接收系统技术水平的提高，也起了决定性的作用。

微波低噪声放大器是雷达、电子对抗及遥测遥控接收系统等的关键部件。L、S波段低噪声放大器一般用于遥测、遥控系统。在电子对抗、雷达侦察中，由于要接收的信号的频率范围未知，其实频率范围也是要侦察的内容之一，所以要求接收机的频率足够的宽，那么放大器的频率也要求足够宽。而且，雷达侦察接收的是雷达发射的直射波，是单程接收；而雷达接收的是目标回波，从而使侦察机远在雷达作用距离之外就能提早发现雷达目标。灵敏度高的接收机侦察距离就远，如高灵敏度的超外差式接收机可以实现超远程侦察，用以监视敌远程导弹的发射，所以，要增加侦察距离，就要提高接收机灵敏度，就要求高性能的低噪声放大器。为了满足上述条件，低噪声放大器在造时其体积都较大，成本较高。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种小型化低噪声放大器，该放大器能够保证低噪声和高增益性能的同时，具有体积小、成本低等特点，满足用户对小型化的要求。

为实现上述目的，本发明采用了以下技术方案：

一种小型化低噪声放大器，包括壳体及置于壳体内的基板，所述基板上安装有低噪声放大管、与低噪声放大管电连接的第一级带通滤波器、与第一级带通滤波器电连接的单片放大器及与单片放大器电连接的第二级带通滤波器，所述壳体上设有与低噪声放大管电连接的输入连接器及与第二级带通滤波器电连接的输出连接器，所述壳体的上端设有与其相配合的盖板。

还包括直流馈电电路，所述直流馈电电路通过导带分别与低噪声放大管、第二级单片放大器电连接。

所述基板通过螺栓与壳体固定连接。

所述盖板与壳体通过激光焊接为一体。

所述输入连接器和输出连接器均与壳体螺纹配合。

所述基板采用LTCC基板，所述第一级带通滤波器和第二级带通滤波器均采用嵌入式LTCC滤波器。

所述第一级带通滤波器和第二级带通滤波器均嵌入基板中与基板构成一整体。

由上述技术方案可知，本发明所述的小型化低噪声放大器，保证低噪声和高增益的同时，具有体积小、成本低等特点，满足用户对小型化的要求，为高性能接收前端产品提供基础模块。采用LTCC工艺实现了带通滤波器的小型化、高性能，并有效降低了成本。

附图说明

图1是本发明的主视图；

图2是本发明不带盖板时的俯视图；

图3是本发明基板电路及信号走向示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明做进一步说明：

如图1～3所示，本实施例的小型化低噪声放大器，包括壳体1及置于壳体1内的LTCC基板2，该LTCC基板2通过螺栓11固定在壳体1的底部，在基板2上安装有低噪声放大管3、与噪声放大管3电连接的第一级嵌入式LTCC带通滤波器4、与第一级嵌入式LTCC带通滤波器4电连接的单片放大器5及与单片放大器5电连接的第二级嵌入式LTCC带通滤波器6。在壳体1上设有与低噪声放大管3电连接的输入连接器7及与第二级嵌入式LTCC带通滤波器6电连接的输出连接器8，该输入连接器7和输出连接器8均与壳体1螺纹配合。在壳体1的上端设有与其相配合的盖板10，该盖板10可与壳体1采用卡接、焊接、螺纹连接或其他固定连接，本实施例中，优选于盖板10与壳体1采用激光焊接，壳体1作为低噪声放大器主体，具有电磁信号屏蔽的作用。

本实施例中，还包括直流馈电电路9，该直流馈电电路9通过导带分别与低噪声放大管3、单片放大器5电连接。第一级嵌入式LTCC带通滤波器4和第二级嵌入式LTCC带通滤波器6内埋于LTCC基板2中，与LTCC基板2设计成为一体，采用LTCC工艺实现了带通滤波器的小型化、高性能，并有效降低了成本。

本发明的工作原理为：当本发明所述的小型化低噪声放大器工作时，微波信号经输入连接器7进入LTCC基板2，依次经过LTCC基板2上的低噪声放大管3进行低噪声放大、第一级嵌入式LTCC带通滤波器4、单片放大器5增益放大、第二级嵌入式LTCC带通滤波器6进行带通滤波后，经输出连接器8输出；电源信号经输出连接器8进入LTCC基板2，经过直流馈电电路9分离出直流信号，为低噪声放大管3、单片放大器5供电。

以上所述的实施例仅仅是对本发明的优选实施方式进行描述，并非对本发明的范围进行限定，在不脱离本发明设计精神的前提下，本领域普通技术人员对本发明的技术方案作出的各种变形和改进，均应落入本发明权利要求书确定的保护范围内。