技术总结
本发明涉及一种3G射频功率放大器电路，其包括第一级放大结构以及通过级间匹配电路与所述第一级放大结构连接的第二级放大结构；第一级放大结构包括射频放大管T1、与所述射频放大管T1适配的输入匹配电路以及与所述射频放大管T1适配的放大管T1偏置电路；第二级放大结构包括射频放大管T2、与所述射频放大管T2适配的输出匹配电路以及与所述射频放大管T2适配的放大管T2偏置电路；第一级放大结构通过级间匹配电路与第二级放大结构连接，第一级放大结构的输入匹配电路、第二级放大结构的输出匹配电路以及所述级间匹配电路均不采用SMD电容及SMD电感，能有效提高封装产能，降低封装成本，提高封装的适应性，安全可靠。
技术研发人员：钱永兵;雷良军;何江波
受保护的技术使用者：无锡中普微电子有限公司
文档号码：201611234282
技术研发日：2016.12.28
技术公布日：2017.05.10