一种高效率高性能抗跌的石英晶体谐振器的制作方法

文档序号:12006634阅读:363来源:国知局

本实用新型属于谐振器技术领域,尤其涉及一种高效率高性能抗跌的石英晶体谐振器。



背景技术:

石英晶体谐振器又称为石英晶体,俗称晶振。是利用石英晶体的压电效应而制成的谐振元件。与半导体器件和阻容元件一起使用,便可构成石英晶体振荡器。石英晶体谐振器是应用压电效应:对某些电介质施加机械力而引起它们内部正负电荷中心相对位移,产生极化,从而导致介质两端表面内出现符号相反的束缚电荷,在一定应力范围内,机械力与电荷呈线性可逆关系,这种现象称为压电效应。石英晶体谐振器作用是提供系统振荡脉冲,稳定频率,选择频率。

现有的石英晶体谐振器一般采用金属外壳封装,因内部晶体的振荡频率受环境因素影响,而金属外壳的热传导系数高、效率快,往往会对内部晶体的工作造成影响,现有技术还存在着稳定性差,晶振频率易跌落、效率低的问题。

因此,发明一种高效率高性能抗跌的石英晶体谐振器显得非常必要。



技术实现要素:

为了解决上述技术问题,本实用新型提供一种高效率高性能抗跌的石英晶体谐振器,以解决现有的石英晶体谐振器稳定性差,晶振频率易跌落、效率低的问题。一种高效率高性能抗跌的石英晶体谐振器,包括基座,固定座,晶体,外壳,开口和晶体引脚,所述的固定座固定在基座的上表面并固定安装所述的晶体;所述的外壳包覆在基座的上部;所述的开口设置在基座内部;所述的晶体引脚通过开口与固定座连通。

优选的,所述的基座和外壳由热塑性材料灌封并形成空腔,所述的固定座和晶体设置在空腔内。

优选的,所述的基座采用陶瓷座。

优选的,所述的外壳采用陶瓷外壳。

优选的,所述的空腔为真空状态。

优选的,所述的基座内部还设置有热敏电阻,所述的热敏电阻底部设置有开口并延伸出电阻引脚,所述的电阻引脚与热敏电阻连接。

优选的,所述的热敏电阻设置于晶体的正下方,所述的热敏电阻与空腔不直接接触。

优选的,所述的固定座采用弹簧座,所述的固定座采用两个。

与现有技术相比,本实用新型具有如下有益效果:由于本实用新型的一种高效率高性能抗跌的石英晶体谐振器广泛应用于谐振器技术领域。同时,本实用新型的有益效果为:

1.本实用新型中,所述的基座和外壳由热塑性材料灌封并形成空腔,所述的固定座和晶体设置在空腔内,所述的空腔为真空状态,有利于提高内部环境的稳定性。

2.本实用新型中,所述的基座和外壳采用陶瓷材质,利用陶瓷热稳定性高,热传导均匀的特点,保障内部晶体温度的相对恒定,防止晶体产生振动频率的较大变化。

3.本实用新型中,所述的基座内部还设置有热敏电阻,所述的热敏电阻底部设置有开口并延伸出电阻引脚,所述的电阻引脚与热敏电阻连接,通过热敏电阻检测该谐振器的工作温度并向外部发出反馈,便于根据实际温度情况进行外部干扰,使用精度更高。

4.本实用新型中,所述的热敏电阻设置于晶体的正下方,所述的热敏电阻与空腔不直接接触,可防止热敏电阻对晶体内部环境造成影响。

5.本实用新型中,所述的固定座采用弹簧座,所述的固定座采用两个,可更好的固定晶体,提高放置的稳定性。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图。

图中:

1-基座,2-固定座,3-晶体,4-外壳,5-开口,6-晶体引脚,7-热敏电阻,8-电阻引脚,9-空腔。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型做进一步描述:

实施例:

如附图1所示

本实用新型提供一种高效率高性能抗跌的石英晶体谐振器,包括基座1,固定座2,晶体3,外壳4,开口5和晶体引脚6,所述的固定座2固定在基座1的上表面并固定安装所述的晶体3;所述的外壳4包覆在基座1的上部;所述的开口5设置在基座1内部;所述的晶体引脚6通过开口5与固定座2连通。

上述实施例中,具体的,所述的基座1和外壳4由热塑性材料灌封并形成空腔9,所述的固定座2和晶体3设置在空腔9内。

上述实施例中,具体的,所述的基座1采用陶瓷座。

上述实施例中,具体的,所述的外壳4采用陶瓷外壳,利用陶瓷热稳定性高,热传导均匀的特点,保障内部晶体3温度的相对恒定,防止晶体3产生振动频率的较大变化。

上述实施例中,具体的,所述的空腔9为真空状态,有利于提高内部环境的稳定性。

上述实施例中,具体的,所述的基座1内部还设置有热敏电阻7,所述的热敏电阻7底部设置有开口5并延伸出电阻引脚8,所述的电阻引脚8与热敏电阻7连接,通过热敏电阻7检测该谐振器的工作温度并向外部发出反馈,便于根据实际温度情况进行外部干扰,使用精度更高。

上述实施例中,具体的,所述的热敏电阻7设置于晶体3的正下方,所述的热敏电阻7与空腔9不直接接触,可防止热敏电阻7对晶体3内部环境造成影响。

上述实施例中,具体的,所述的固定座2采用弹簧座,所述的固定座2采用两个,可更好的固定晶体3,提高放置的稳定性。

利用本实用新型所述的技术方案,或本领域的技术人员在本实用新型技术方案的启发下,设计出类似的技术方案,而达到上述技术效果的,均是落入本实用新型的保护范围。

当前第1页1 2 3 
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1