一种声表芯片的封装方法和声表器件与流程

本发明实施例涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种声表芯片的封装方法和声表器件。

背景技术：

声表面波是一种在固体表面传播的弹性波，声表面波的能量大部分集中在固体表面以下深度约为几个波长的范围内。声表面波的传播速度较慢，比相同波长的电磁波的传播速度慢约十万倍，从而在声表面波的传播路径上容易取样和进行信号处理。由于电子装置(器件)的尺寸与波长是相比拟的，因此，利用声表面波模拟电子学的各种功能时，能使电子装置(或器件)的尺寸较小，易于实现电子装置(器件)的小型化和多功能化。声表装置(器件)在雷达、通讯和电子对抗中应用广泛。

声表器件的工作原理要求声表芯片的表面必须是自由表面，即完成封装后的声表器件内部在声表芯片与保护外壳之间必须是一个中空腔室。通常，声表器件的中空腔室是在声表芯片的制备过程中形成，此后，需要对声表器件进一步封装，导致最终形成的声表器件的体积较大且成本较高。

技术实现要素：

本发明提供一种声表芯片的封装方法和声表器件，用以减小声表器件的体积且降低声表器件的成本。

本发明实施例提供一种声表芯片的封装方法，该方法包括：

提供第一基板和第二基板；其中，所述第一基板包括第一区域和至少一个第二区域，所述第一区域包围各所述第二区域；所述第二基板包括第三区域和至少一个第四区域，所述第三区域包围各所述第四区域，所述第四区域中设置有声表芯片，所述第三区域中设置有至少一个内联导电端子，且所述声表芯片与所述内联导电端子电连接；

利用胶膜将所述第一基板的所述第一区域和所述第二基板的所述第三区域粘合，以使所述第一基板的所述第二区域、所述第二基板的所述第四区域以及所述胶膜共同围成中空腔室，所述声表芯片位于所述中空腔室内，所述胶膜覆盖所述内联导电端子；

去除部分位于所述第一区域处的所述第一基板与所述胶膜，以露出所述内联导电端子；

在所述第一基板远离所述第二基板的一侧形成导电层，所述导电层与所述内联导电端子电连接；

在所述导电层远离所述第二基板的一侧形成绝缘层，所述绝缘层包括至少一个镂空区，所述镂空区露出至少部分所述导电层；

在所述导电层未被所述绝缘层覆盖的位置处，形成外联导电结构。

进一步地，所述利用胶膜将所述第一基板的所述第一区域和所述第二基板的所述第三区域粘合包括：

提供所述胶膜；

在所述第一基板的一侧贴附所述胶膜；

刻蚀所述第一基板的所述第二区域对应位置处的所述胶膜，保留所述第一区域对应位置处的所述胶膜；

在刻蚀后的所述胶膜远离所述第一基板的一侧贴附所述第二基板。

进一步地，在所述第一基板的一侧贴附胶膜之前还包括：

调整所述胶膜的厚度为预设厚度值。

进一步地，在所述第一基板的一侧贴附胶膜之前还包括：

烘烤所述胶膜。

进一步地，所述第一基板为硅片或玻璃片，所述胶膜包括双面胶。

进一步地，去除部分位于所述第一区域处的所述第一基板与所述胶膜，以露出所述内联导电端子包括：

采用硅通孔工艺去除部分位于所述第一区域处的所述第一基板与所述胶膜，以露出所述内联导电端子。

进一步地，在所述导电层未被所述绝缘层覆盖的位置处，形成外联导电结构之前还包括：

在所述导电层未被所述绝缘层覆盖的位置处，形成过渡结构。

进一步地，所述过渡结构的材料包括镍或镍金合金；所述导电层的材料包括铜；所述外联导电结构的材料包括锡。

本发明实施例还提供了一种声表器件，该声表器件由上述封装方法中的任意一种形成，该声表器件包括：所述第一基板、所述胶膜、所述第二基板、所述导电层、所述绝缘层和所述外联导电结构；

所述第一基板的所述第一区域与所述第二基板的所述第三区域通过所述胶膜粘合，以使所述第一基板的所述第二区域、所述第二基板的所述第四区域以及所述胶膜共同围成中空腔室，所述声表芯片位于所述中空腔室内；

所述导电层位于所述第一基板远离所述第二基板的一侧，并通过所述第一基板与所述胶膜内的过孔与所述第二基板的所述内联导电端子电连接；

所述绝缘层位于所述导电层远离所述第二基板的一侧，所述绝缘层包括至少一个镂空区，在所述镂空区位置处，所述绝缘层未覆盖所述导电层；

所述外联导电结构位于所述导电层远离所述第二基板的一侧，且在所述镂空区位置处与所述导电层电连接。

进一步地，该声表器件还包括过渡结构；

所述过渡结构位于所述导电层与所述外联导电结构之间。

本发明提供的声表芯片的封装方法通过设置第一基板包括第一区域和至少一个第二区域，第一区域包围各第二区域；第二基板包括第三区域和至少一个第四区域，第三区域包围各第四区域，第四区域中设置有声表芯片，第三区域中设置有至少一个内联导电端子，且声表芯片与内联导电端子电连接；利用胶膜将第一基板的第一区域和第二基板的第三区域粘合，以使第一基板的第二区域、第二基板的第四区域以及胶膜共同围成中空腔室，声表芯片位于中空腔室内，胶膜覆盖内联导电端子；去除部分位于第一区域处的第一基板与胶膜，以露出内联导电端子；在第一基板远离第二基板的一侧形成导电层，导电层与内联导电端子电连接；在导电层远离第二基板的一侧形成绝缘层，绝缘层包括至少一个镂空区，镂空区露出至少部分导电层；在导电层未被绝缘层覆盖的位置处，形成外联导电结构。由此，可在声表芯片的封装过程中形成中空腔室，从而无需再进行额外的器件的封装，因此，可减小声表器件的尺寸，且降低声表芯片的封装成本。

附图说明

图1是本发明实施例提供的一种声表芯片的封装方法的流程示意图；

图2是本发明实施例提供的一种第一基板的结构示意图；

图3是本发明实施例提供的一种第二基板的结构示意图；

图4是图1中步骤s12后的声表器件的结构示意图；

图5是图1中步骤s13后的声表器件的结构示意图；

图6是图1中步骤s14后的声表器件的结构示意图；

图7是图1中步骤s15后的声表器件的结构示意图；

图8是图1中步骤s16后的声表器件的结构示意图；

图9是本发明实施例提供的一种声表器件的结构示意图；

图10是本发明实施例提供的另一种声表芯片的封装方法的流程示意图；

图11是图10中步骤s222后的第一基板与胶膜的结构示意图；

图12是图10中步骤s223后的第一基板与胶膜的结构示意图；

图13是本发明实施例提供的另一种声表器件的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。

图1是本发明实施例提供的一种声表芯片的封装方法的流程示意图。参照图1，该封装方法包括：

s11、提供第一基板和第二基板。

其中，第一基板包括第一区域和至少一个第二区域，第一区域包围各第二区域；第二基板包括第三区域和至少一个第四区域，第三区域包围各第四区域，第三区域中设置有至少一个内联导电端子，第四区域中设置有声表芯片，且声表芯片与内联导电端子电连接。

示例性的，第一基板可为陶瓷基板、玻璃基板或者硅片。第二基板可为产线中的整片晶圆。如此，通过对整片晶圆直接作业，可提高封装效率，降低封装成本。

示例性的，声表芯片可包括叉指换能器(inter-digitaltransducer，idt，也可称为插齿换能器)或滤波器芯片，形成声表芯片的材料可为胆酸锂，内联导电端子可为衬垫(pad)。

示例性地，图2是本发明实施例提供的一种第一基板的结构示意图。参照图2，该第一基板01包括第一区域011和40个第二区域012(示例性的，第二区域012呈5列8行的矩阵形式排列)，且第一区域011包围各第二区域012。

示例性地，图3是本发明实施例提供的一种第二基板的结构示意图。参照图3，该第二基板02包括第三区域023和40个第四区域024(示例性的，第四区域024呈5列8行的矩阵形式排列，第四区域024的位置与第二区域012的位置相对应)，且第四区域024中设置有声表芯片022，第三区域023中设置有40个内联导电端子021，各声表芯片022与各内联导电端子021一一对应电连接。

需要说明的是，图2和图3中示例性的示出了第一基板01的第二区域012和第二基板02的第四区域024一一对应，此仅为示例性的说明，如此设置，可充分利用第一基板01和第二基板02，避免第二基板上的第四区域024无与之对应的第二区域012时，需要再执行此封装方法导致的工序的增加。在其他实施方式中，还可以根据声表芯片的封装方法的实际需求，设置第二区域012的数量多于第四区域024的数量，本发明实施例对此不作限定。

其次，需要说明的是，图2中仅示例性的示出了第二区域012的数量为40个，且呈5列8行的形式排列，图3中仅示例性的示出了第四区域024的数量为40个，且呈5列8行的形式排列，此均仅为示例性的说明，而非限定。在其他实施方式中，可根据声表芯片的封装方法的实际需求设置第二区域012和第四区域024的数量和排列方式，本发明实施例对此不作限定。

再次，需要说明的是，图2和图3中仅示例性的示出了第一基板01和第二基板02的形状为矩形，此仅为示例性的说明。在其他实施方式中，可根据声表芯片的封装方法的实际需求设置第一基板01和第二基板02的形状，示例性的，可为椭圆形、圆形、或其他多边形，二者的形状可相同，也可不同，本发明实施例对此不作限定。

此外，需要说明的是，图3中仅示例性的示出了声表芯片022与内联导电端子021一一对应电连接，此仅为示例性的说明。在其他实施方式中，可根据声表芯片的封装方法的实际需求，设置一个声表芯片022与多个内联导电端子021电连接，或者多个声表芯片022与一个内联导电端子021电连接，本发明实施例对此不作限定。

s12、利用胶膜将第一基板的第一区域和第二基板的第三区域粘合，以使第一基板的第二区域、第二基板的第四区域以及胶膜共同围成中空腔室，声表芯片位于中空腔室内，胶膜覆盖内联导电端子。

示例性地，图4是图1中步骤s12后的声表器件的结构示意图。参照图4，第一基板01和第二基板02通过胶膜03粘合，从而，第一基板01的第二区域012、第二基板02的第四区域024以及胶膜03共同围成中空腔室035，声表芯片022位于中空腔室035中，内联导电端子021被胶膜03覆盖。

需要说明的是，图4中仅示例性的示出了中空腔室035的数量为5个，此仅为对应图2中示出的第一基板01的结构和图3中示出的第二基板02的结构的示例性说明(示例性地示出了步骤s12后某一行的5个中空腔室035)，而非限定。在其他实施方式中，可根据声表芯片的封装方法，设置中空腔室035的个数，本发明实施例对此不作限定。

s13、去除部分位于第一区域处的第一基板与胶膜，以露出内联导电端子。

其中，此步骤后，将第二基板02中的内联导电端子021暴露出来，以使声表芯片022通过内联导电端子021与其他导电结构电连接。

示例性地，图5是图1中步骤s13后的声表器件的结构示意图。参照图5，对应于每个内联导电端子021的位置，去除覆盖在其上的部分第一基板01和胶膜03，形成过孔015，过孔015的底部，露出内联导电端子021。

需要说明的是，图5中仅示例性的示出了内联导电端子021的数量为5个，对应的过孔015的数量也为5个，且过孔015的剖面形状为上宽下窄的倒梯形，此仅为示例性的说明，而非限定。在其他实施方式中，可根据声表芯片的封装方法的实际需求设置内联导电端子021的数量、过孔015的数量以及过孔015的形状，内联导电端子021和过孔的数量相同，也可不同，本发明实施例对此不作限定。

s14、在第一基板远离第二基板的一侧形成导电层，导电层与内联导电端子电连接。

其中，导电层可为再分布层(re-distributionlayer,rdl)，用于与内联导电端子一起，将声表芯片与其他导电结构电连接。

示例性地，图6是图1中步骤s14后的声表器件的结构示意图。参照图6，导电层04覆盖第一基板01远离第二基板02的一侧表面，且覆盖过孔015的内侧壁表面。

需要说明的是，图6中仅示例性的示出了导电层04覆盖过孔015的内侧壁表面，此仅为示例性的说明，而非限定。在其他实施方式中，还可以根据声表芯片的封装方法的实际需求，设置导电层04填充部分过孔015或填充满过孔015，本发明实施例对此不作限定。

s15、在导电层远离第二基板的一侧形成绝缘层，绝缘层包括至少一个镂空区，镂空区露出至少部分导电层。

其中，绝缘层用于进行电绝缘，还用于隔绝水氧，延缓各功能层(包括第二基板02中的声表芯片022、内联导电端子021、导电层04和本领域技术人员可知的声表器件可包括的功能层结构)的性能的衰减，从而延长最终形成的声表器件的使用寿命。

示例性的，绝缘层材料可为绿漆，还可为本领域技术人员可知的其他材料，本发明实施例对此不作限定。

示例性地，图7是图1中步骤s15后的声表器件的结构示意图。参照图7，绝缘层05位于导电层04远离第二基板02的一侧，且该绝缘层05包括10个镂空区051，每个声表芯片022的对应位置处包括两个镂空区051。

需要说明的是，图7中仅示例性的示出了镂空区051的数量为10个，且每个声表芯片022的对应位置处的镂空区051的数量为2个，此仅为示例性的说明，而非限定。在其他实施方式中，可根据声表芯片的封装方法设置镂空区051的总数量，以及每个声表芯片022的对应位置处的镂空区051的数量，各声表芯片022的对饮位置处的镂空区051的数量可以相同，也可以不同，本发明实施例对此不作限定。

此外，需要说明的是，图7中仅示例性的示出了镂空区051的形状为上宽下窄的倒梯形，此仅为示例性的说明，而非限定。在其他实施方式中，可根据声表芯片的封装方法的实际需求，设置镂空区051的形状，本发明实施例对此不作限定。

s16、在导电层未被绝缘层覆盖的位置处，形成外联导电结构。

其中，该外联导电结构，上述导电层以及内联导电端子共同形成电连接通路，将声表芯片与外部电路(示例性的，可为信号处理电路)电连接。

示例性地，外联导电结构可为锡球或铜柱凸块(copperpillarbump)。

示例性地，图8是图1中步骤s16后的声表器件的结构示意图。参照图8，外联导电结构06填充于绝缘层05的镂空区中，并且外联导电结构06的部分结构暴露于绝缘层05外部，如此，可方便外联导电结构06与外部电路电连接。

需要说明的是，图8中仅示例性的示出了外联导电结构06的形状为倒梯形与长方形结合后形状，此仅为示例性的说明，而非限定。在其他实施方式中，可根据声表器件的封装方法的实际需求，设置外联导电结构06的形状，且各外联导电结构06的形状可相同，也可不同，本发明实施例对此不作限定。

随后，执行划片等制程，将各声表器件10分隔开，即形成独立的封装好的声表器件。

示例性地，图9是本发明实施例提供的一种声表器件的结构示意图。参照图9，该声表芯片包括第一基板01和第二基板02，第一基板01和第二基板02通过胶膜03粘合，形成中空腔室035；第二基,02包括声表芯片022和内联导电端子021，声表芯片022位于中空腔室035中，内联导电端子021与声表芯片022电连接；在第一基板01远离第二基板02一侧还包括导电层04，导电层04和内联导电端子021通过胶层03中的过孔电连接；在导电层04远离第二基板02的一侧还包括绝缘层05，绝缘层包括至少一个镂空区051(图9中示例性的示出了镂空区051的数量为2个)，外联导电结构06形成于镂空区051，且与导电层04电连接。

需要说明的是，图9中仅示例性的示出了外联导电结构06的形状为圆形，此仅为示例性的说明，而非对本发明实施例提供的声表芯片的封装方法的限定。

本发明实施例提供的声表芯片的封装方法，通过设置第一基板01包括第一区域011和至少一个第二区域012，第一区域011包围各第二区域012；第二基板02包括第三区域023和至少一个第四区域024，第三区域023包围各第四区域024，第四区域024中设置有声表芯片022，第三区域023中设置有至少一个内联导电端子021，且声表芯片022与内联导电端子021电连接；利用胶膜03将第一基板01的第一区域011和第二基板02的第三区域023粘合，以使第一基板01的第二区域012、第二基板02的第四区域024以及胶膜03共同围成中空腔室035，声表芯片022位于中空腔室035内，胶膜03覆盖内联导电端子021；去除部分位于第一区域011处的第一基板01与胶膜03，以露出内联导电端子021；在第一基板01远离第二基板02的一侧形成导电层04，导电层04与内联导电端子021电连接；在导电层04远离第二基板02的一侧形成绝缘层05，绝缘层05包括至少一个镂空区054，镂空区054露出至少部分导电层04；在导电层04未被绝缘层05覆盖的位置处，形成外联导电结构06。由此，可在声表芯片022的封装过程中形成中空腔室035，从而无需再进行额外的器件的封装制程，相对于现有的利用盖帽等结构对声表芯片进行封装的方案而言，封装工艺简单，且不增加声表芯片封装后形成的声表器件的尺寸，即封装后形成的声表器件的尺寸与被封装的声表芯片的尺寸一致。因此，本发明实施例提供的声表芯片的封装方法可减小声表器件的尺寸，且降低声表芯片的封装成本。

在上述声表芯片的封装方法的基础上，可选的，图10是本发明实施例提供的另一种声表芯片的封装方法的流程示意图。参照图10，该声表芯片的封装方法可包括：

s21、提供第一基板和第二基板。

步骤s22可包括：

s221、提供胶膜。

其中，该胶膜用于粘合第一基板和第二基板。

可选的，第一基板为硅片或玻璃片，胶膜包括双面胶。

其中，第一基板还可以为陶瓷基板或本领域技术人员可知的其他可用于形成中空腔室的第一基板的材料，胶膜还可以为本领域技术人员可知的其他可将第一基板和第二基板粘合的材料，本发明实施例对此不作限定。

s222、在第一基板的一侧贴附胶膜。

其中，该胶膜可整面覆盖第一基板的一侧表面。

示例性地，图11是图10中步骤s222后的第一基板与胶膜的结构示意图。参照图11，胶膜03贴附于第一基板01的一侧表面。

需要说明的是，图11中仅示例性的示出了胶膜03的宽度略小于第一基板01的宽度，此仅为示例性的说明，而非限定。在其他实施方式中，可根据声表芯片的封装方法的实际需求，设置胶膜03和第一基板01的面积的相对大小关系，示例性的，胶膜03的面积可等于第一基板01的面积，本发明实施例对此不作限定。

可选的，步骤s222之前还可包括：调整胶膜的厚度为预设厚度值。

其中，胶膜的厚度值决定了中空腔室的高度值，由此，通过调整胶膜的厚度为预设厚度值，可将中空腔室的高度调整为预设高度。

示例性地，胶膜的预设厚度值可在3-20μm范围内取值，对应的，中空腔室的高度值在3-20μm的范围取值。

可选的，步骤s222之前还可包括：烘烤胶膜。

执行此步骤，可去胶膜中的挥发物，避免封装过程中，该挥发物对声表芯片的表面或其他功能层的表面产生污染。

s223、刻蚀第一基板的第二区域对应位置处的胶膜，保留第一区域对应位置处的胶膜。

其中，保留的第一区域对应位置处的胶膜，用作包围中空腔室的挡墙结构。

示例性地，图12是图10中步骤s223后的第一基板与胶膜的结构示意图。参照图12，第一区域011对应位置处的胶膜03被保留，第二区域012对应位置处的胶膜03被刻蚀掉，为下一步中形成中空腔室做准备。

s224、在刻蚀后的胶膜远离第一基板的一侧贴附第二基板。

其中，第一基板的第一区域和第二基板的第三区域通过胶膜粘合，第一基板的第二区域、第二基板的第四区域和胶膜共同围城中空腔室，声表芯片位于中空腔室内，胶膜覆盖内联导电端子。

示例性地，可参照图4，此处不再赘述。

s23、去除部分位于第一区域处的第一基板与胶膜，以露出内联导电端子。

示例性地，可参照图5，此处不再赘述。

可选的，步骤s23可包括：采用硅通孔工艺去除部分位于第一区域处的第一基板与胶膜，以露出内联导电端子。

其中，利用硅通孔工艺(throughsiliconvias，tsv)技术实现不同导电结构(示例性的，本实施例中的导电结构是指内联导电端子和导电层)之间的电连接，可缩短两个导电结构之间电连接的路径，有利于减小声表芯片的厚度，从而减小声表芯片的封装尺寸。

需要说明的是，步骤s23还可以包括本领域技术人员可知的其他去除第一区域处的第一基板与胶膜的工艺，本发明实施例对此不作限定。

s24、在第一基板远离第二基板的一侧形成导电层，导电层与内联导电端子电连接。

示例性地，可参照图6，此处不再赘述。

s25、在导电层远离第二基板的一侧形成绝缘层，绝缘层包括至少一个镂空区，镂空区露出至少部分导电层。

示例性地，可参照图7，此处不再赘述。

s26、在导电层未被绝缘层覆盖的位置处，形成外联导电结构。

示例性地，可参照图8，此处不再赘述。

可选的，在步骤s26之前还可包括：在导电层未被绝缘层覆盖的位置处，形成过渡结构。

其中，过渡结构可增强导电层与外联导电结构之间的电连接稳定性，从而提高声表器件的稳定性。

可选的，过渡结构的材料包括镍或镍金合金；导电层的材料包括铜；外联导电结构的材料包括锡。

需要说明的是，上述具体材料仅为示例性的说明，而非限定。在其他实施方式中，还可以根据声表器件的封装方法的实际需求，设置过渡结构、导电层和外联导电结构的材料为本领域技术人员可知的其他材料，本发明实施例对此不作限定。

基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种声表器件，该声表器件采用上述实施方式提供的声表芯片的封装方法中的任一种形成。示例性地，可继续参照图9，该声表器件10包括：第一基板01、胶膜03、第二基板02、导电层04、绝缘层05和外联导电结构06；第一基板01的第一区域与第二基板02的第三区域通过胶膜03粘合，以使第一基板01的第二区域、第二基板02的第四区域以及胶膜03共同围成中空腔室035，声表芯片022位于中空腔室035内；导电层04位于第一基板01远离第二基板02的一侧，并通过第一基板01与胶膜03内的过孔015与第二基板01的内联导电端子021电连接；绝缘层05位于导电层04远离第二基板02的一侧，绝缘层05包括至少一个镂空区051，在镂空区051位置处，绝缘层05未覆盖导电层04；外联导电结构06位于导电层04远离第二基板02的一侧，且在镂空区051位置处与导电层04电连接。

可选的，图13是本发明实施例提供的另一种声表器件的结构示意图。参照图13，在图9的基础上，该声表器件10还可包括过渡结构07，过渡结构07位于导电层04与外联导电结构06之间。

其中，过渡结构07可增强导电层04与外联导电结构06之间的电连接稳定性，从而提高声表器件的稳定性。

本发明实施例提供的声表器件通过上述任一种声表器件的封装方法形成，即通过设置第一基板包括第一区域和至少一个第二区域，第一区域包围各第二区域；第二基板包括第三区域和至少一个第四区域，第三区域包围各第四区域，第四区域中设置有声表芯片，第三区域中设置有至少一个内联导电端子，且声表芯片与内联导电端子电连接；利用胶膜将第一基板的第一区域和第二基板的第三区域粘合，以使第一基板的第二区域、第二基板的第四区域以及胶膜共同围成中空腔室，声表芯片位于中空腔室内，胶膜覆盖内联导电端子；去除部分位于第一区域处的第一基板与胶膜，以露出内联导电端子；在第一基板远离第二基板的一侧形成导电层，导电层与内联导电端子电连接；在导电层远离第二基板的一侧形成绝缘层，绝缘层包括至少一个镂空区，镂空区露出至少部分导电层；在导电层未被绝缘层覆盖的位置处，形成外联导电结构。由此，可在声表芯片的封装过程中形成中空腔室，从而无需再进行额外的器件的封装制程，从而无需再进行额外的器件的封装制程，相对于现有的利用盖帽等结构对声表芯片进行封装的方案而言，不增加声表芯片封装后形成的声表器件的尺寸，即封装后形成的声表器件的尺寸与被封装的声表芯片的尺寸一致。因此，本发明实施例提供的声表器件的封装尺寸较小。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互结合和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。