本公开内容的更多适用领域将从【具体实施方式】、权利要求和附图中变得清楚。【具体实施方式】和具体示例仅旨在于用于举例说明目的而并非旨在于限制本公开内容的范围。
【附图说明】
[0027]本公开内容将从【具体实施方式】和附图中变得更完全被理解，在附图中:
[0028]图1是根据本公开内容的第一推挽AB类放大器的电示意图；
[0029]图2是根据本公开内容的第二推挽AB类放大器的电示意图；
[0030]图3是根据本公开内容的第三推挽AB类放大器的电示意图；
[0031]图4是根据本公开内容的第四推挽AB类放大器的电示意图；
[0032]图5是根据本公开内容的第五推挽AB类放大器的电示意图；
[0033]图6是根据本公开内容的第六推挽AB类放大器的电示意图；
[0034]图7是根据本公开内容的第七推挽AB类放大器的电示意图；
[0035]图8是根据本公开内容的第八推挽AB类放大器的电示意图；
[0036]图9是根据本公开内容的第九推挽AB类放大器的电示意图；
[0037]图10是根据本公开内容的具有功率组合器的推挽AB类放大器的示例部分布局；以及
[0038]图11是根据本公开内容的具有功率组合器的另一推挽AB类放大器的示例部分布局。
【具体实施方式】
[0039]下文描述在性质上仅为例示并且绝非旨在于限制公开内容、其应用或者使用。如这里所用，短语A、B和C中的至少一个应当解释为意味着使用非排他逻辑“或者(OR) ”的逻辑(A或者B或者C)。应当理解，可以按不同顺序执行方法内的步骤而不变化本公开内容的原理。
[0040]现在参照图1和图2，其示出了推挽AB类放大器50的单端布置和推挽AB类放大器100的单端布置。在图1中，在共栅极配置中布置放大器50。放大器50包括串联连接的第一电感器L1、第一晶体管T1、第二晶体管T2和第二电感器L 2。第一晶体管T1可以是NMOS晶体管，并且第二晶体管T2可以是PMOS晶体管，但是也可以使用其它类型的晶体管。晶体管1\的输入和晶体管T 2的输入可以连接到AC接地或者另一偏置或者参考信号。
[0041]可变电容C1和可变电容C2可以分别与电感器L1和电感器L2并联连接。电感器L1可以连接到参考电势Vdd。电感器L2可以连接到接地电势V sso
[0042]电容(^可以连接到第一晶体管T i的漏极端子和第二晶体管T 2的漏极端子。可以经由输入电容Cin向第一晶体管T i的源极端子和第二晶体管T 2的源极端子施加输入信号。可以跨接电容Cm的端子取得输出信号V M和输出信号V。2。
[0043]在图2中，示出了推挽AB类放大器100。在共源极配置中布置放大器100。晶体管T1的源极端子和晶体管T 2的源极端子可以连接到AC接地或者另一偏置或者参考信号。除了向第一晶体管T1的栅极和第二晶体管T2的栅极施加输入信号V in之外，放大器100与放大器50相似。
[0044]在图1和图2 二者中，电容(^由于偶次谐波的相反相位的抵消而去除来自输出信号Vtjl和输出信号V。2的偶次谐波。电容Cm往往帮助晶体管不匹配并且减少失真。不同于常规功率放大器，放大器50和放大器100可以具有比2Vdd更大的电压摆幅。在晶体管T 1与晶体管T2之间的源极节点浮动，并且低侧可以变成接地以下。电容Cm的值可以被选择成大于电容<^和电容C2。可以用任何适当方式组合输出信号Vtjl和输出信号V&。在一个不例中，如下文将描述的那样，经由变压器的电感耦合可以用来再组合输出信号Vtjl和输出信号
V02O
[0045]现在参照图3，其示出了另一推挽AB类放大器150。电容Cm替换为跨第一晶体管T1和第二晶体管T 2并联连接的一个或者多个串联连接电容和电阻对。具体而言，电容C 31、C32、…和C3n分别与电阻Rn、R12、…和Rin串联连接，其中N是大于零的整数。在一些实现方式中，电容C31X32、…和C3n被选择成具有相同或者不同值。在一些实现方式中，电阻R n、R12、…和Rin被选择成具有相同或者不同值。使用电容和电感往往可以减少振荡。
[0046]现在参照图4，其示出了另一推挽AB类放大器200。放大器200是图3的放大器150的差分实现方式。放大器200还包括串联连接的第三电感器L3、第三晶体管T3、第四晶体管T4和第四电感器L 4。第四晶体管T4可以是NMOS晶体管，并且第三晶体管T 3可以是PMOS晶体管，但是也可以使用其它类型的晶体管。晶体管！\和T 2和T 3和T 4的输出可以连接到AC接地或者另一偏置或者参考信号。
[0047]可变电容CJPC4可以分别与电感器L3和电感器L4并联连接。电感器L4可以连接到参考电势Vdd。电感器L3可以连接到接地电势V ss。可以经由输入电容Cin向第三晶体管T3的源极端子和第四晶体管T 4的源极端子施加差分输入信号。可以跨第三晶体管T 3的端子和第四晶体管T4的端子取得输出信号V。3和输出信号V。4。
[0048]电容C51、C52、…和C5n分别与电阻Rn、R12、…和Rin串联连接，其中N是大于零的整数。电容c51、C52,…和C5n和电阻R n、R12,…和Rin中的一对或者多对跨第三晶体管T 3和第四晶体管T4并联连接。电容C61、C62、…和C6n分别与电阻R21、R22、…和R2n串联连接，其中N是大于零的整数。电容C61、C62、…和C6n和电阻R21、R22、…和R2n中的一对或者多对跨第三晶体管T3和第四晶体管T 4并联连接。
[0049]现在参照图5，其示出了另一推挽放大器250。可以提供附加电容(^至^卩电容〇5和C 6替换共模电容C em之一并且相互串联连接而且跨接晶体管T #卩T 2并联连接。电容〇7和C 8替换另一共模电容C em并且相互串联连接而且跨晶体管T 3和T 3并联连接。电容C 10的一端连接到电容C5的第一端子和电容C 6的第一端子以及晶体管T i的源极端子和晶体管T2的源极端子。电容C 1(|的另一端连接到电容C 7的第一端子和电容C8的第一端子以及晶体管T3的源极端子和晶体管T 4的源极端子。
[0050]可变电容C11的一端连接到电容C6的第二端子和晶体管T2的漏极端子。可变电容C11的另一端连接到电容C8的第二端子和晶体管T3的漏极端子。可变电容C9的一端连接到电容C5的第二端子和晶体管T i的漏极端子。可变电容C 9的另一端连接到电容C 7的第二端子和晶体管T4的漏极端子。例如，电感耦合回路可以与电感器L MpLjP L4親合以驱动输出(比如天线)。
[0051]现在参照图6，另一推挽AB类放大器270被示出并且包括功率组合器280。放大器270包括串联连接的第一电感器L1、第一晶体管T1、第二晶体管T2和第二电感器L 2。
[0052]放大器270还包括串联连接的第三电感器L3、第三晶体管T3、第四晶体管T4和第四电感器L4。电容CpCpCjP C 4可以是与电感器LpLp L#P L 4并联布置的可变电容。共模电容(:5和C 6分别与晶体管T T 2和T 3和T 4并联布置。
[0053]功率组合器280分别包括分别耦合到第一电感器L1、第二电感器L2、第三电感器L3和第四电感器L 4以创建第一变压器、第二变压器、第三变压器和第四变压器的第一电感器S1、第二电感器S2、第三电感器S3和第四电感器S 4。在一些示例中，输出可以耦合到天线(未不出)或者另一负载。
[0054]现在参照图7，器示出了用于单端放大器50