的输入驱动器300的示例。匹配网络304包括电容Cin和电感器L 3。储能电路306包括电感器L4和电容C 3。输入信号Vin被输入到晶体管1的栅极。储能电路306和匹配网络304将输入信号耦合到晶体管T i的源极和晶体管T2的源极。
[0055]现在参照图8，其示出了用于差分放大器350的输入驱动器340的示例。放大器350包括放大器50的部件。放大器350还包括串联连接的第三电感器L3、第三晶体管T3、第四晶体管T4和第四电感器L 4。晶体管10TpTdP T 4的输入可以连接到AC接地或者另一偏置或者参考信号。可变电容C3和可变电容C 4可以分别与电感器L 3和电感器L 4并联连接。电感器L4可以连接到参考电势V ddo电感器L3可以连接到接地电势Vss。
[0056]电容C5、电感器Lin和电容C6串联连接于晶体管T 源极和晶体管T 2的源极与晶体管T3的源极和晶体管1\的源极之间。晶体管T JPT6的漏极(或者源极)分别连接于电感器Lin与电容C 5和电容C 6之间。晶体管T 5和T 6的源极(或者漏极)连接到V sso差分输入信号的一个极性Vin+親合到晶体管T 5的栅极，并且差分输入信号的另一极性V in_耦合到晶体管！^的栅极。电感器Lin可以具有连接到偏置信号、参考电势或者接地电势的中心抽头O
[0057]由电容(:5和C 6以及电感器L in提供的连接提供源退化。连接提供在中心频率的低阻抗连接(比如短路)和在其它频率的更高阻抗连接。例如，连接在二次谐波频率和三次谐波频率具有高阻抗。
[0058]现在参照图9，另一推挽AB类放大器600被示出并且包括功率组合器630。放大器600包括串联连接的第一电感器L1、第一晶体管T1、第二晶体管T2和第二电感器L 2。放大器600还包括串联连接的第三电感器L3、第三晶体管T3、第四晶体管T4和第四电感器L 4。第一电容C1、电感器Lin和第二电容C 2串联连接。第一电容C i也连接到第一晶体管T i的源极端子和第二晶体管T2的源极端子。第二电容C2也连接到第三晶体管T 3的源极端子和第四晶体管T4的源极端子。电容C3连接到晶体管T 漏极和晶体管T 3的漏极。电容(:4连接到晶体管1~2的漏极和晶体管T 4的漏极。向晶体管T 栅极和晶体管T 3的栅极输入差分信号的第一极性Vin+。向晶体管1~2的栅极和晶体管T 4的栅极输入差分信号的第二极性V in_。
[0059]功率组合器630分别包括分别耦合到第一电感器L1、第二电感器L2、第三电感器L3和第四电感器L 4以创建第一变压器、第二变压器、第三变压器和第四变压器的第一电感器S1、第二电感器S2、第三电感器S3和第四电感器S 4。在一些示例中，输出可以耦合到天线(未不出)或者另一负载。
[0060]现在参照图10，其示出了放大器600和功率组合器630的示例布局。第一回路704分别包括第一电感器S1、第二电感器S2、第三电感器S3和第四电感器S 4。第二回路708提供到晶体管对的连接Vdd和V ss。第一回路704和第二回路708可以具有圆形、椭圆形、矩形、方形或者其它大体上闭合的形状。电感器Lin可以布置于第一回路704和第二回路708以内或者以外。电感器Lin可以具有数字“8”形状。第一回路704可以在平面图中布置于第二回路708以内或者以外。第一回路704中的电流可以在相同方向上流过电感器S1、S2、S3和S40
[0061]尽管例如在图5和图6中示出了两个支路，但是可以使用具有附加晶体管对的附加支路。现在参照图11，其示出了用于四对晶体管的放大器730和功率组合器740的示例布局。第一回路744包括与第二回路748中的电感器耦合的电感器。仅为举例，第一回路744和第二回路748可以具有圆形、椭圆形、矩形、方形或者其它大体上闭合的形状。电感器Lin可以布置于第一回路744和第二 748以内或者以外。第一回路744可以在平面图中布置于第二回路748以内或者以外。
[0062]可以用多种形式实施公开内容的宽泛教导。因此，尽管本公开内容包括具体示例，但是不应这样限制本公开内容的真实范围，因为其它修改将在研读附图、说明书和所附权利要求时变得清楚。
【主权项】
1.一种AB类放大器，包括: 第一电感器，具有与电压源端子连通的第一端子； 第一晶体管，具有与所述第一电感器的第二端子连通的漏极端子； 第二晶体管，具有与所述第一晶体管的源极端子连通的源极端子； 第二电感器，具有与所述第二晶体管的漏极端子连通的第一端子和与参考电势连通的ΛΑ- _-丄山弟一栖子； 第三电感器，具有与所述电压源端子连通的第一端子； 第三晶体管，具有与所述第三电感器的第二端子连通的漏极端子； 第四晶体管，具有与所述第三晶体管的源极端子连通的源极端子；以及第四电感器，具有与所述第四晶体管的漏极端子连通的第一端子和与参考电势连通的第二端子，其中: 电容性地耦合所述第一晶体管的所述漏极端子和所述第三晶体管的所述漏极端子， 电容性地耦合所述第二晶体管的所述漏极端子和所述第四晶体管的所述漏极端子，以及 向所述第一晶体管的栅极和所述第三晶体管的栅极输入差分信号的第一极性，并且向所述第二晶体管的栅极和所述第四晶体管的栅极输入所述差分信号的第二极性。
2.根据权利要求1所述的AB类放大器，还包括功率组合器以及连接到所述功率组合器的天线，所述功率组合器包括分别耦合到所述第一电感器、所述第二电感器、所述第三电感器和所述第四电感器的第五电感器、第六电感器、第七电感器和第八电感器。
3.根据权利要求1所述的AB类放大器，其中所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管以及所述第一电感器、所述第二电感器、所述第三电感器和所述第四电感器连接于第一回路中，并且其中所述第五电感器、所述第六电感器、所述第七电感器和所述第八电感器连接于在所述第一回路以内或者以外布置的第二回路中。
4.根据权利要求1所述的AB类放大器，还包括: 第一电容，具有与所述第一晶体管的所述源极端子和所述第二晶体管的所述源极端子连通的第一端子； 第二电容，具有与所述第三晶体管的所述源极端子和所述第四晶体管的所述源极端子连通的第一端子；以及 第九电感器，与所述第一电容的第二端子和所述第二电容的第二端子连通，其中: 所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管以及所述第一电感器、所述第二电感器、所述第三电感器和所述第四电感器连接于第一回路中，并且其中所述第五电感器、所述第六电感器、所述第七电感器和所述第八电感器连接于在所述第一回路以内或者以外布置的第二回路中， 所述第五电感器布置成数字“8”形状，以及 所述第九电感器位于所述第一回路和所述第二回路以内。
【专利摘要】一种AB类放大器，包括：第一电感器(L1)，具有与电压源端子(Vdd)连通的第一端子。第一晶体管(T1)具有与第一电感器(L1)的第二端子连通的漏极端子。第二晶体管(T2)具有与第一晶体管(T2)的源极端子连通的源极端子。第二电感器(L2)具有与第二晶体管(T2)的漏极端子连通的第一端子和与参考电势(Vss)连通的第二端子。第一晶体管(T1)的漏极端子和第二晶体管(T2)的漏极端子电容地耦合(Ccm)在一起。
【IPC分类】H03F3-191, H03F3-26
【公开号】CN104796095
【申请号】CN201510188804
【发明人】S·苏塔德加, F·阿拉姆
【申请人】马维尔国际贸易有限公司
【公开日】2015年7月22日
【申请日】2011年3月9日