号的占空比，以产生比较结 果； 第一占空比校准模块，用于根据所述比较结果校准所述输出信号的占空比；以及 第二占空比校准模块，用于根据所述比较结果校准所述反相输出信号的占空比。6. 如权利要求5所述的信号产生系统，其特征在于， 所述第一占空比校准模块包括： 第一下降时间调谐电路，用于接收所述输出组合信号以产生第一调整后输出组合信 号； 缓冲器，用于缓冲所述第一调整后输出组合信号以产生所述输出信号； 所述第二占空比校准模块包括： 第七反相器，用于接收所述反相输出组合信号； 第二下降时间调谐电路，用于接收来自所述第七反相器的输出以产生第二调整后输出 组合信号；以及 第八反相器，用于反相所述第二调整后输出组合信号以产生所述反相输出信号。7. 如权利要求6所述的信号产生系统，其特征在于，所述第一下降时间调谐电路包括： 第一反相器，接收所述输出组合信号； 第二类型的晶体管，包括第一端子、第二端子、以及控制端子，其中所述第一端子耦接 于第一电压电平，以及所述控制端子耦接于所述第一反相器的输出端子； 第一类型的第一晶体管，包括第一端子、第二端子、以及控制端子，其中所述第一类型 的第一晶体管的第一端子耦接于所述第二类型的晶体管的第二端子，以及所述第一类型的 第一晶体管的控制端子耦接于所述第一反相器的输出端子； 第一类型的第二晶体管，包括第一端子、第二端子、以及控制端子，其中所述第一类型 的第二晶体管的第一端子耦接于所述第一类型的第一晶体管的第二端子，所述第一类型的 第二晶体管的第二端子耦接于第二电压电平。8. 如权利要求6所述的信号产生系统，其特征在于，所述第二下降时间调谐电路包括： 第五反相器，接收来自所述第七反相器的输出； 第二类型的晶体管，包括第一端子、第二端子、以及控制端子，其中所述第一端子耦接 于第一电压电平，以及所述控制端子耦接于所述第五反相器的输出端子； 第一类型的第一晶体管，包括第一端子、第二端子、以及控制端子，其中所述第一类型 的第一晶体管的第一端子耦接于所述第二类型的晶体管的第二端子，以及所述第一类型的 第一晶体管的控制端子耦接于所述第五反相器的输出端子； 第一类型的第二晶体管，包括第一端子、第二端子、以及控制端子，其中所述第一类型 的第二晶体管的第一端子耦接于所述第一类型的第一晶体管的第二端子，所述第一类型的 第二晶体管的第二端子耦接于第二电压电平。9. 如权利要求5所述的信号产生系统，其特征在于， 所述第一占空比校准模块包括： 第七反相器，用于接收所述输出组合信号； 第二上升时间调谐电路，用于接收来自所述第七反相器的输出，以产生第一调整后输 出组合信号；以及 第八反相器，用于反相所述第一调整后输出组合信号以产生所述输出信号； 所述第二占空比校准模块包括： 第一上升时间调谐电路，用于接收所述反相输出组合信号，以产生第二调整后输出组 合信号；以及 缓冲器，用于缓冲所述第二调整后输出组合信号，以产生所述反相输出信号。10. 如权利要求5所述的信号产生系统，其特征在于， 所述第一占空比校准模块包括： 第一下降时间调谐电路，用于接收所述输出组合信号，以产生第一调整后输出组合信 号； 缓冲器，用于缓冲所述第一调整后输出组合信号以产生所述输出信号； 所述第二占空比校准模块包括： 第一上升时间调谐电路，用于接收所述反相输出组合信号，以产生第二调整后输出组 合信号；以及 缓冲器，用于缓冲所述第二调整后输出组合信号，以产生所述反相输出信号。11. 如权利要求5所述的信号产生系统，其特征在于， 所述第一占空比校准模块包括： 第七反相器，用于接收所述输出组合信号； 第二上升时间调谐电路，用于接收来自所述第一占空比校准模块的所述第七反相器的 输出，以产生第一调整后输出组合信号；以及 第八反相器，用于反相所述第一调整后输出组合信号以产生所述输出信号； 所述第二占空比校准模块包括： 第七反相器，用于接收所述反相输出组合信号； 第二下降时间调谐电路，用于接收来自所述第二下降时间调谐电路的所述第七反相器 的输出，以产生第二调整后输出组合信号；以及 第八反相器，用于反相所述第二调整后输出组合信号，以产生所述反相输出信号。12. 如权利要求1所述的信号产生系统，其特征在于，所述信号组合模块包括异或电 路，用于对所述输出组合信号执行异或操作以产生所述输出信号。13. 如权利要求1所述的信号产生系统，其特征在于，所述信号组合模块用于组合至少 两个所述分频信号，以在输出端子产生所述输出组合信号，其中所述信号组合模块包括： 第一初始组合电路，用于接收多个所述分频信号，以产生第一输出组合信号； 第二初始组合电路，用于接收多个所述分频信号，以产生第二输出组合信号； 第一边缘校准装置，耦接在第一电压电平与所述第一初始组合电路之间；以及 第二边缘校准装置，耦接在第二电压电平与所述第二初始组合电路； 其中，所述第一边缘校准装置和所述第二边缘校准装置整合所述第一输出组合信号和 所述第二输出组合信号中的至少一个边缘以产生所述输出组合信号。14. 如权利要求13所述的信号产生系统，其特征在于，所述第一初始组合电路包括： 第一类型的第一晶体管，包括第一端子、第二端子和控制端子，其中所述第一端子耦接 于所述输出端子，所述控制端子用于接收其中之一所述分频信号； 第一类型的第二晶体管，包括第一端子、第二端子和控制端子，其中所述第一类型的第 二晶体管的第一端子耦接于所述第一类型的第一晶体管的第二端子，所述第一类型的第二 晶体管的控制端子用于接收其中之一所述分频信号，以及所述第一类型的第二晶体管的第 二端子耦接于第二电压电平； 第一类型的第三晶体管，包括第一端子、第二端子和控制端子，其中所述第一类型的第 三晶体管的第一端子耦接于所述输出端子，所述第一类型的第三晶体管的控制端子用于接 收其中之一所述分频信号； 第一类型的第四晶体管，包括第一端子、第二端子和控制端子，其中所述第一类型的第 四晶体管的第一端子耦接于所述第一类型的第三晶体管的第二端子，所述第一类型的第四 晶体管的控制端子用于接收其中之一所述分频信号，以及所述第一类型的第四晶体管的第 二端子耦接于所述第二电压电平； 第二类型的第一晶体管，包括第一端子、第二端子和控制端子，其中所述第二类型的第 一晶体管的第二端子耦接于所述输出端子，所述第二类型的第一晶体管的控制端子用于接 收其中之一所述分频信号； 第二类型的第二晶体管，包括第一端子、第二端子和控制端子，其中所述第二类型的第 二晶体管的第二端子耦接于所述第二类型的第一晶体管的第一端子，所述第二类型的第二 晶体管的控制端子用于接收其中之一所述分频信号，以及第二类型的第二晶体管的第一端 子耦接于所述第一边缘校准装置； 第二类型的第三晶体管，包括第一端子、第二端子和控制端子，其中所述第二类型的第 三晶体管的第二端子耦接于所述输出端子，所述第二类型的第三晶体管的控制端子用于接 收其中之一所述分频信号；以及 第二类型的第四晶体管，包括第一端子、第二端子和控制端子，其中所述第二类型的第 四晶体管的第二端子耦接于所述第二类型的第三晶体管的第一端子，所述第二类型的第四 晶体管的控制端子用于接收其中之一所述分频信号，以及所述第二类型的第四晶体管的第 一端子耦接于所述第一边缘校准装置。15. 如权利要求14所述的信号产生系统，其特征在于，所述第二初始组合电路包括所 述第一类型的第一晶体管、所述第一类型的第三晶体管、所述第二类型的第一晶体管、所述 第二类型的第三晶体管，其中所述第二初始组合电路还包括： 第一类型的第五晶体管，包括第一端子、第二端子和控制端子，其中所述第一类型的第 五晶体管的第一端子耦接于所述第一类型的第一晶体管的第二端子，所述第一类型的第五 晶体管的控制端子用于接收其中之一所述分频信号，以及所述第一类型的第五晶体管的第 二端子耦接于所述第二边缘校准装置； 第一类型的第六晶体管，包括第一端子、第二端子和控制端子，其中所述第一类型的第 六晶体管的第一端子耦接于所述第一类型的第三晶体管的第二端子，所述第一类型的第六 晶体管的控制端子用于接收其中之一所述分频信号，以及所述第一类型的第六晶体管的第 二端子耦接于所述第二边缘校准装置； 第二类型的第五晶体管，包括第一端子、第二端子和控制端子，其中所述第二类型的第 五晶体管的第二端子耦接于所述第二类型的第二晶体管的第二端子，所述第二类型的第五 晶体管的控制端子用于接收其中之一所述分频信号，以及所述第二类型的第五晶体管的第 一端子耦接于所述第一电压电平；以及 第二类型的第六晶体管，包括第一端子、第二端子和控制端子，其中所述第二类型的第 六晶体管的第二端子耦接于所述第二类型的第四晶体管的第二端子，所述第二类型的第六 晶体管的控制端子用于接收其中之一所述分频信号，以及所述第二类型的第六晶体管的第 一端子耦接于所述第一电压电平。16. 如权利要求15所述的信号产生系统，其特征在于， 所述第一类型的第一晶体管、所述第一类型的第二晶体管、所述第一类型的第三晶体 管、所述第一类型的第四晶体管、所述第一类型的第五晶体管、所述第一类型的第六晶体管 是N型场效应晶体管，其中它们的第一端子是漏极端子、第二端子是源极端子、以及控制端 子是栅极端子； 所述第二类型的第一晶体管、所述第二类型的第二晶体管、所述第二类型的第三晶体 管、所述第二类型的第四晶体管、所述第二类型的第五晶体管、所述第二类型的第六晶体管 是P型场效应晶体管，其中它们的第一端子是源极端子、第二端子是漏极端子、以及控制端 子是栅极端子。17. 如权利要求1所述的信号产生系统，其特征在于，所述信号组合模块用于组合至少 两个所述分频信号，以在输出端子产生所述输出组合信号，其中所述信号组合模块包括： 能量存储电路，耦接于所述输出端子； 充电电路，用于接收至少两个所述分频信号以输出充电电流到所述能量存储电路； 放电电路，用于接收至少两个所述分频信号以从所述能量存储电路吸取放电电流； 其中所述能量存储电路根据所述充电电流和所述放电电流产生所述输出组合信号到 所述输出端子。18. 如权利要求17所述的信号产生系统，其特征在于，所述放电电路包括： 第一类型的第一晶体管，包括第一端子、第二端子和控制端子，其中所述第一类型的第 一晶体管的第一端子耦接于所述输出端子，所述第一类型的第一晶体管的控制端子接收其 中之一所述分频信号； 第一类型的第二晶体管，包括第一端子、第二端子和控制端子，其中所述第一类型的第 二晶体管的第一端子耦接于所述第一类型的第一晶体管的第二端子，所述第一类型的第二 晶体管的第二端子耦接于所述第二电压电平，以及所述第一类型的第二晶体管的控制端子 接收其中之一所述分频信号； 第一类型的第三晶体管，包括第一端子、第二端子和控制端子，其中所述第一类型的第 三晶体管的第一端子耦接于所述输出端子，所述第一类型的第三晶体管的控制端子接收其 中之一所述分频信号； 第一类型的第四晶体管，包括第一端子、第二端子和控制端子，其中所述第一类型的第 四晶体管的第一端子耦接于所述第一类型的第三晶体管的第二端子，所述第一类型的第四 晶体管的第二端子耦接于所述第二电压电平，以及所述第一类型的第四晶体管的控制端接 收其中之一所述分频信号。19. 如权利要求17所述的信号产生系统，其特征在于，所述充电电路包括： 第二类型的第一晶体管，包括第一端子、第二端子和控制端子，其中所述第二类型的第 一晶体管的第二端子耦接于所述输出端子，所述第二类型的第一晶体管的控制端子接收其 中之一所述分频信号； 第二类型的第二晶体管，包括第一端子、第二端子和控制端子，其中所述第二类型的第