封装件及其制造方法、电子装置、电子设备以及移动体的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种封装件、该封装件的制造方法、具备该封装件的电子装置、具备该电子装置的电子设备以及移动体。
【背景技术】
[0002]—直以来，作为在作为封装件的一组容器部件中封入了作为电子部件的水晶片的电子装置，已知一种如下结构的表面安装用水晶振子(以下，称为水晶振子)，即，具有绕一组容器部件的对置的一方的表面外周一周的凹状槽，在包括该凹状槽在内的表面外周上涂布低熔点玻璃，通过该低熔点玻璃的烧成而与容器部件的对置的另一方的表面外周接合(例如，参照专利文献I)。
[0003]由于该水晶振子在容器部件的一方上具有凹状槽，因此与没有凹状槽的情况相比，因低熔点玻璃的表面张力而产生的顶端部的圆弧状的曲率半径将增大，从而顶端部维持钝角并近乎于平坦。
[0004]由此，由于与没有凹状槽的情况相比，水晶振子中的低熔点玻璃与容器部件的另一方的表面的接触面积增大，因此能够使容器部件的一方和另一方的接合强度提高。
[0005]但是，虽然在上述水晶振子中，关于容器部件的具有凹状槽的一方与低熔点玻璃之间的接合强度与没有凹状槽的情况相比得到了提高，但是关于容器部件的没有凹状槽的另一方与低熔点玻璃之间的接合强度的提高仍不有不足，因而具有改善的余地。
[0006]专利文献1:日本特开2012 — 4696号公报
【发明内容】
[0007]本发明是为了解决上述课题中的至少一部分而完成的发明，并能够作为以下的方式或应用例而实现。
[0008]应用例I
[0009]本应用例所涉及的封装件的特征在于，具备，底基板；盖体，其以从所述底基板的厚度方向进行俯视观察时与所述底基板重叠的方式被配置，并具有光透过性；低熔点玻璃，其被配置于所述底基板和所述盖体之间，并将所述底基板和所述盖体接合，所述低熔点玻璃具有沿着所述厚度方向的截面上的宽度朝向所述盖体的接合面而扩大的区域。
[0010]由此，封装件具有被配置于底基板(相当于容器部件的一方)和盖体(相当于容器部件的另一方)之间并将底基板和盖体接合的低熔点玻璃的、沿着厚度方向的截面上的宽度朝向盖体的接合面而扩大的区域。
[0011]由此，由于在封装件中，上述截面上的宽度与其他的情况(例如，宽度从盖体的接合面朝向底基板的接合面而扩大的情况或宽度从底基板的接合面起到盖体的接合面为固定的情况)相比，使低熔点玻璃和盖体的接合面积(接触面积)增加，因此能够使低熔点玻璃和盖体的接合强度提高。
[0012]其结果为，封装件能够使底基板和盖体的接合强度提高。
[0013]应用例2
[0014]在上述应用例所涉及的封装件中，优选为，所述盖体为玻璃。
[0015]由此，由于封装件中，盖体为玻璃，因此基于其物性，与低熔点玻璃的兼容性(亲和性)较好，从而能够通过低熔点玻璃而切实地与底基板接合。
[0016]应用例3
[0017]在上述应用例所涉及的封装件中，优选为，所述低熔点玻璃的厚度在ΙΟμπι以上且100 μm以下的范围内。
[0018]由此，由于封装件中，低熔点玻璃的厚度在10 μm以上且100 μm以下的范围内，因此能够形成上述的截面形状，从而确保足够的接合强度。
[0019]另外，在低熔点玻璃的厚度小于10 μm的情况下，由于玻璃成分的不足而无法确保足够的接合强度，而在低熔点玻璃的厚度超过100 μ m的情况下，由于低熔点玻璃的许用剪切应力的降低而无法确保足够的接合强度。
[0020]应用例4
[0021]在上述应用例所涉及的封装件中，优选为，所述低熔点玻璃含有金属。
[0022]由此，由于封装件中，低熔点玻璃含有金属，因此容易吸收例如由激光束等能量束的照射而产生的能量。
[0023]其结果为，封装件能够通过由能量束的照射而产生的低熔点玻璃的熔解，而使底基板和盖体接合。
[0024]应用例5
[0025]在上述应用例所涉及的封装件中，优选为，所述低熔点玻璃在从所述厚度方向进行俯视观察时被收敛于所述盖体的内侧。
[0026]由此，由于封装件中，低熔点玻璃在从厚度方向进行俯视观察时被收敛于盖体的内侧，因此例如通过透过盖体而向低熔点玻璃照射激光束等能量束而使低熔点玻璃熔解从而使底基板和盖体接合时，能够减少所熔解的低熔点玻璃向周围的飞射。
[0027]应用例6
[0028]本应用例所涉及的封装件的制造方法的特征在于，包括:准备配置有低熔点玻璃的底基板和具有光透过性的盖体的工序；在使所述底基板和所述盖体隔着所述低熔点玻璃而重合的状态下，从所述盖体侧向所述低熔点玻璃照射能量束从而使所述底基板和所述盖体接合的接合工序。
[0029]由此，在封装件的制造方法中，在使底基板和盖体隔着低熔点玻璃而重合的状态下，从盖体侧向低熔点玻璃照射能量束从而使底基板和盖体接合。
[0030]由此，封装件的制造方法通过能量束的照射而使盖体的接合面的润湿性提高(使接合面活化)，从而能够提高盖体和低熔点玻璃的接合强度。
[0031]应用例7
[0032]在上述应用例所涉及的封装件的制造方法中，优选为，在所述接合工序中，包括对所述底基板和所述盖体的距离进行控制的步骤。
[0033]由此，由于封装件的制造方法在接合工序中包括对底基板和盖体的距离进行控制的步骤，因此能够对低熔点玻璃的厚度进行控制，从而充分地确保底基板和盖体的接合强度。
[0034]应用例8
[0035]在上述应用例所涉及的封装件的制造方法中，优选为，在所述接合工序中，所述能量束的强度分布在所述能量束的中心部处被平坦化。
[0036]由此，由于封装件的制造方法中，在接合工序中能量束的强度分布在能量束的中心部处被平坦化，因此低熔点玻璃的熔解大致均匀地被实施。
[0037]其结果为，封装件的制造方法能够切实地实施通过低熔点玻璃而进行的底基板和盖体的接合。
[0038]应用例9
[0039]在上述应用例所涉及的封装件的制造方法中，优选为，在所述接合工序中，所述能量束的照射面积与所述低熔点玻璃的平面面积相比较大。
[0040]由此，由于在封装件的制造方法中，在接合工序中能量束的照射面积与低熔点玻璃的平面面积相比而较大，因此能够使盖体的接合面在与低熔点玻璃相比而较广的范围中活化(使润湿性提尚)。
[0041]其结果为，由于封装件的制造方法使低熔点玻璃向盖体的接合面润湿扩散，因此能够使盖体和低熔点玻璃的接合强度提高。
[0042]应用例10
[0043]本应用例所涉及的电子装置的特征在于，具备:上述应用例中任一例所述的封装件；被收容在所述封装件中的电子部件。
[0044]由此，由于本结构的电子装置具备上述应用例中任一例所述的封装件和被收容在封装件中的电子部件，因此可达成上述应用例中任一例所述的效果，从而可靠性提高，由此能够发挥优异的性能。
[0045]应用例11
[0046]本应用例所涉及的电子设备的特征在于，具备上述应用例所述的电子装置。
[0047]由此，由于本结构的电子设备具备上述应用例所述的电子装置，因此可达成上述应用例所述的效果，从而可靠性提高，由此能够发挥优异的性能。
[0048]应用例12
[0049]本应用例所涉及的移动体的特征在于，具备上述应用例所述的电子装置。
[0050]由此，由于本结构的移动体具备上述应用例所述的电子