封装件、电子装置及其制造方法、电子设备以及移动体的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及封装件、电子装置、电子装置的制造方法、电子设备以及移动体。
【背景技术】
[0002]—直以来，在车辆中的车身控制、汽车导航系统的本车位置检测、数码照相机、摄像机以及移动电话等电子设备或汽车等移动体中，使用了在具有内部空间的封装件中收纳了功能元件的振子、振荡器、加速度传感器、角速度传感器等电子装置。对于这些移动体或电子设备中所使用的电子装置的封装件，为了提高功能元件的性能，要求了较高的气密性。例如，如专利文献I所记载的那样，已知一种封装件，其设置连通内部空间的内部和外部的贯通孔，在贯通孔中配置密封材料，通过使该密封材料熔融而堵塞贯通孔，从而气密性地密封内部空间。
[0003]但是，设置于专利文献I所述的封装件上的贯通孔为，在贯通孔的剖视观察时，从内部空间的外侧趋向内侧，内径逐渐减小的形状(锥形形状)，在贯通孔的整个内周面上设置有金属膜(覆盖金属)。因此，当在贯通孔内使密封部件熔融时，熔融的密封部件会沿着贯通孔的内周面向上爬，从而有可能从贯通孔流出至与收纳空间部(内部空间)相反的一侧的第一基体的表面上。由此，存在如下的课题，即，当贯通孔内的密封部件不足而产生密封不良，或由于被挤出的密封部件的热量而在第一基体上产生裂纹时，将损害收纳空间部的气密性。
[0004]专利文献1:日本特开2004 - 266763号公报
【发明内容】
[0005]本发明是为了解决上述问题的至少一部分而完成的发明，能够作为以下的方式或应用例来实现。
[0006]应用例I
[0007]本应用例所涉及的封装件的特征在于，具备:收纳空间部；第一基体，其形成所述收纳空间部的至少一部分，在所述第一基体上设置有第一贯通孔，所述第一贯通孔从与所述收纳空间部相反的一侧的第一主面朝向所述收纳空间部侧的第二面，所述第一贯通孔具有在所述第一贯通孔的剖视观察时，从所述第二面朝向所述第一主面倾斜的第一倾斜部和从所述第一倾斜部的所述第一主面侧的一端朝向所述第一主面倾斜的第二倾斜部，由所述第二倾斜部和所述第二面形成的第二角大于由所述第一倾斜部和所述第二面形成的第一角，所述第一贯通孔被密封部件密封。
[0008]根据本应用例，在封装件上设置有收纳空间部和用于对收纳空间部进行气密密封的第一贯通孔。收纳空间部例如通过激光照射而使配置于第一贯通孔内的球状的密封部件熔融，从而通过由密封部件堵塞第一贯通孔而使之气密密封。第一贯通孔被设置于形成了收纳空间部的第一基体上，并从与收纳空间部相反的一侧的第一主面朝向收纳空间部侧的第二面而贯通。第一贯通孔包括在第一贯通孔的剖视观察时，从第一基体的第二面朝向第一主面按照第一倾斜部、第二倾斜部的顺序而被设置的两个倾斜部。
[0009]由于由第二倾斜部和第二面形成的第一基体侧的第二角大于由第一倾斜部和第二面形成的第一基体侧的第一角，因此，能够防止在使配置于第一贯通孔的第一倾斜部上的球状的密封部件熔融时，熔融的密封部件沿着第二倾斜部向上爬而从第一贯通孔流出至第一基体的第一主面上的情况。由此，能够抑制因第一贯通孔内的密封部件不足而产生的密封不良或因熔融的密封部件的热量而在第一基体上产生裂纹的情况。因此，能够提供一种提高了收纳空间部的气密性的封装件。
[0010]应用例2
[0011]在上述应用例所述的封装件中，优选为，所述第二角超过90度。
[0012]根据本应用例，由于在第一贯通孔的第二倾斜部中，在第一贯通孔的剖视观察时，由第二倾斜部和第二面形成的第一基体侧的第二角超过90度，因此，能够提高如下的效果，即，防止在使配置于第一贯通孔的第一倾斜部上的球状的密封部件熔融时，熔融的密封部件沿着第二倾斜部向上爬而从第一贯通孔流出至第一基体的第一主面上的情况的效果。
[0013]应用例3
[0014]在上述应用例所述的封装件中，优选为，在所述第一贯通孔上设置有金属膜，所述第二倾斜部的至少一部分露出了所述第一基体。
[0015]根据本应用例，由于在第一贯通孔的第一倾斜部的内壁上设置有金属膜，因此，当使配置于第一倾斜部上的球状的密封部件熔融时，熔融的密封部件将在第一贯通孔的第一倾斜部内润湿并扩散，从而能够通过密封部件可靠地对第一贯通孔进行密封。另外，第二倾斜部的至少一部分露出了第一基体。换言之，由于第二倾斜部具有未设置有金属膜的区域，因此，能够在使配置于第一倾斜部上的球状的密封部件熔融时，在未设置有金属膜的区域内使熔融的密封部件的润湿扩散(向上爬)减弱。由此，能够更加提高如下的效果，即，防止熔融的密封部件沿着第二倾斜部向上爬而从第一贯通孔流出至第一基体的第一主面上的情况。
[0016]应用例4
[0017]在上述应用例所述的封装件中，优选为，所述第一基体以硅为主要材料，所述第一主面沿着所述硅的(100)面的结晶面。
[0018]根据本应用例，第一基体的主要材料使用了在形成第一贯通孔的第一主面上具有
(100)面方位的硅。利用硅的各向异性蚀刻技术，通过从第一主面侧向第二面进行湿法蚀亥IJ，从而能够容易地形成第一倾斜部或第二倾斜部的倾斜。
[0019]应用例5
[0020]本应用例所涉及的电子装置的特征在于，具备:收纳空间部；第一基体，其形成所述收纳空间部的至少一部分；功能元件，其被收纳于所述收纳空间部内，在所述第一基体上设置有第一贯通孔，所述第一贯通孔从与所述收纳空间部相反的一侧的第一主面朝向所述收纳空间部侧的第二面，所述第一贯通孔具有在所述第一贯通孔的剖视观察时，从所述第二面朝向所述第一主面倾斜的第一倾斜部和从所述第一倾斜部的所述第一主面侧的一端朝向所述第一主面倾斜的第二倾斜部，由所述第二倾斜部和所述第二面形成的第二角大于由所述第一倾斜部和所述第二面形成的第一角，所述第一贯通孔被密封部件密封。
[0021 ] 根据本应用例，在电子装置中设置有收纳有功能元件的收纳空间部和用于对收纳空间部进行气密密封的第一贯通孔。收纳空间部例如通过激光照射而使配置于第一贯通孔内的球状的密封部件熔融，从而通过由密封部件堵塞第一贯通孔而使之气密密封。第一贯通孔被设置于形成了收纳空间部的第一基体上，并从与收纳空间部相反的一侧的第一主面朝向收纳空间部侧的第二面而贯通。第一贯通孔包括在第一贯通孔的剖视观察时，从第一基体的第二面朝向第一主面按照第一倾斜部、第二倾斜部的顺序而被设置的两个倾斜部。
[0022]由于由第二倾斜部和第二面形成的第一基体侧的第二角大于由第一倾斜部和第二面形成的第一基体侧的第一角，因此，能够防止在使配置于第一贯通孔的第一倾斜部上的球状的密封部件熔融时，熔融的密封部件沿着第二倾斜部向上爬而从第一贯通孔流出至第一基体的第一主面上的情况。由此，能够抑制由第一贯通孔内的密封部件不足而产生的密封不良或由于熔融的密封部件的热量而在第一基体上产生裂纹的情况。因此，能够提供一种提高了气密性的可靠性较高的电子装置。
[0023]应用例6
[0024]本应用例所涉及的电子装置的制造方法的特征在于，所述电子装置具备:收纳空间部；第一基体，其形成所述收纳空间部的至少一部分；功能元件，其被收纳于所述收纳空间部内，在所述第一基体上设置有第一贯通孔，所述第一贯通孔从与所述收纳空间部相反的一侧的第一主面朝向所述收纳空间部侧的第二面，所述第一贯通孔具有在所述第一贯通孔的剖视观察时，从所述第二面朝向所述第一主面倾斜的第一倾斜部和从所述第一倾斜部的所述第一主面侧的一端朝向所述第一主面倾斜的第二倾斜部，由所述第二倾斜部和所述第二面形成的第二角大于由所述第一倾斜部和所述第二面形成的第一角，所述第一贯通孔被密封部件密封，所述第一基体以硅为主要材料，所述第一主面沿着所述硅的(100)面的结晶面，所述电子装置的制造方法包括:通过干法处理对所述第一基体的所述第一主面进行半蚀刻的干法蚀刻工序；通过湿法处理的蚀刻而形成所述第一贯通孔的所述第一倾斜部和所述第二倾斜部的湿法蚀刻工序。
[0025]根据本应用例，电子装置的制造方法包括通过干法处理对第一基体的第一主面进行半蚀刻的干法蚀刻工序和通过湿法处理蚀刻出第一倾斜部和第二倾斜部的湿法蚀刻工序。
[0026]第一基体的主要材料使用了在形成第一贯通孔的第一主面上具有(100)面的结晶面的硅。通过在第一基体上从第一主面朝向第二面进行利用了干法处理的半蚀刻，从而在第一主面上形成有凹部。接下来，通过从凹部侧至第二面进行利用了硅的各向异性蚀刻技术的湿法蚀刻，从而形成包括第一倾斜部和第二倾斜部的第一贯通孔。
[0027]在第一贯通孔的剖视观察时，由第二倾斜部和第二面形成的第二角大于由第一倾斜部和第二面形成的第一角，并且，第二角大于90度。换言之，第二倾斜部的内壁从第一倾斜部的第一主面侧的一端朝向第一主面而伸出为突出(overhang)状。根据这种形状，能够防止在使配置于第一倾斜部上的球状的密封部件熔融时，熔融的密封部件沿着第二倾斜部向上爬从而从第一贯通孔流出至第一主面上的情况。由此，能够抑制因第一贯通孔内的密封部件不足而产生的密封不良或由于熔融的密封部件的热量而在第一基体上产生裂纹的情况。因此，能够提供一种提高了气密性的电子装置的制造方法。
[0028]应用例7
[0029]本应用例所涉及的电子装置的制造方法的特征在于，所述电子装置具备:收纳空间部；第一基体，其形成所述收纳空间部的至少一部分；功能元件，其被收纳于所述收纳空间部内，在所述第一基体上设置有第一贯通孔，所述第一贯通孔从与所述收纳空间部相反的一侧的第一主面朝向所述收纳空间部侧的第二面，所述第一贯通孔具有在所述第一贯通孔的剖视观察时，从所述第二面朝向所述第一主面倾斜的第一倾斜部和从所述第一倾斜部的所述第一主面侧的一端朝向所述第一主面倾斜的第二倾斜部，由所述第二倾斜部和所述第二面形成的第二角大于由所述第一倾斜部和所述第二面形成的第一角，所述第一贯通孔被密封部件密封，所述第一基体以硅为主要材料，所述第一主面沿着所述硅的(100)面的结晶面，所述电子装置的制造方法包括:通过湿法处理的蚀刻而对所述第一基体的所述第一主面进行蚀刻的湿法蚀刻工序；通过干法处理的蚀刻而形成所述第一贯通孔的所述第二倾斜部的干法蚀刻工序。
[0030]根据本应用例，电子装置的制造方法包括通过湿法处理而从第一基体的第一主面起进行蚀刻的湿法蚀刻工序和通过利用干法处理而从第一主面侧进行蚀刻从而形成第二倾斜部的干法蚀刻工序。
[0031]第一基体的主要材料使用了在形成第一贯通孔的第一主面上具有(100)面的结晶面的硅。通过利用硅的各向异性蚀刻技术从第一主