定在所述PCB上的过孔方式为电镀与背钻结合的过孔方式。
[0060]所述背钻包括从顶层向下的背钻和从底层向上的背钻，所述低电导率金属为电导率低于5.8*107S/m的金属。
[0061]图2显示了本发明实施例提供的一种实现PCB过孔的装置示意图，如图2所示，包括:确定过孔方式模块201、第一过孔方式模块202以及第二过孔方式模块203。其中，所述确定过孔方式模块201，用于根据层压好且需要换层过孔的PCB的厚度，确定在所述PCB上形成过孔的过孔方式；所述第一过孔方式模块202，用于当所确定的过孔方式为全电镀过孔方式，则通过钻孔和电镀处理，在所述PCB上形成具有低电导率金属层的过孔，以便降低四分之一波长谐振点；所述第二过孔方式模块203，用于当所确定的过孔方式为电镀与背钻结合的过孔方式，则通过钻孔和电镀处理后再进行背钻处理，在所述PCB上形成一部分具有低电导率金属层，另一部分无金属层的过孔，以便降低四分之一波长谐振点。
[0062]具体地说，所述确定过孔方式模块201包括:第一确定单元，用于当所述PCB的厚度不大于PCB预置的厚度阈值，则确定在所述PCB上的过孔方式为全电镀过孔方式；第二确定单元，用于当所述PCB的厚度大于PCB预置的厚度阈值，则确定在所述PCB上的过孔方式为电镀与背钻结合的过孔方式。所述第一过孔方式模块202包括:钻孔单元，用于在需要换层过孔的PCB上进行钻孔，形成过孔；电镀单元，用于对所形成的过孔电镀一层低电导率金属，使在所述PCB上形成具有低电导率金属层的过孔。所述第二过孔方式模块203包括:钻孔单元，用于在需要换层过孔的PCB上进行钻孔，形成过孔；电镀单元，用于对所形成的过孔电镀一层低电导率金属，使在所述PCB上形成具有低电导率金属层的过孔。背钻单元，用于在所形成具有低电导率金属层的过孔上进行背钻处理，使在所述PCB上形成的过孔一部分具有低电导率金属层，另一部分无金属层。
[0063]本发明所述背钻包括从顶层向下的背钻和从底层向上的背钻，所述低电导率金属为电导率低于5.8*107S/m的金属。
[0064]下面结合图3至图6来具体说明本发明完成PCB过孔的加工的内容，包括如下步骤:
[0065]步骤SOl:先根据需求选择好相关的半固化片pp和基材core进行层压。
[0066]做多层板时，在一张基材上分别叠加半固化片3，在半固化片3上再叠加铜箔2，根据需求设置好走线I后，对选择好相关的半固化片3和基材的PCB进行层压，如图3所示。
[0067]步骤S02:在层压好的PCB上进行钻孔。
[0068]对层压好的PCB进行钻孔操作，形成如图4中所示的钻孔4。
[0069]步骤S03:对PCB上的钻孔进行电镀，电镀金属选择电导率低于铜的金属。
[0070]对图4中的PCB上的钻孔进行电镀操作，其电镀金属为电导率低于铜的金属，形成如图5所示的钻孔电镀金属5，以及在PCB上所形成的焊盘6。
[0071]步骤S04:对于板厚特别厚的PCB，如果背钻深度大于3_，则可以采用背钻与电镀低电导率金属相结合的方式，如果板厚低于3mm则忽略此步骤。
[0072]如果背钻深度大于3_，则可以采用背钻与电镀低电导率金属相结合的方式，即对所形成的过孔电镀一层低电导率金属，使在所述PCB上形成具有低电导率金属层的过孔，在所形成具有低电导率金属层的过孔上进行背钻处理，使在所述PCB上形成的过孔一部分具有低电导率金属层，另一部分无金属层。所述背钻与电镀低电导率金属相结合的方式包括底层背钻与电镀低电导率金属相结合的方式和顶层背钻与电镀低电导率金属相结合的方式。如图6和图10所示，图6为底层背钻与电镀低电导率金属相结合的方式，图中背钻7为底层向上背钻，图10为顶层背钻与电镀低电导率金属相结合的方式，图中背钻7为顶层向下背钻。
[0073]典型3_板厚，Megtron6板材的PCB，孔间距1_，直径0.25mm的差分过孔，Stub长度lOOmil，在镀铜、镀镍和镀铁情况下的四分之一波长谐振点如图7所示，可以看到，过孔电镀铁比电镀铜可以降低四分之一波长谐振点22dB。
[0074]本发明低电导率金属电镀过孔除了通孔外，还包含盲孔(Blind Via)和埋孔(Buried Via)，如图8和图9所示，盲孔的工艺顺序是完成层压、钻孔和电镀后进行二次层压将两个对称的PCB结构组合到一起形成盲孔，如图8中所示的盲孔8，也就是说如果PCB层数是N的话，上半部分的盲孔就是从顶层到N/2层，下半部分的盲孔就是从(N/2) +1层到底层。埋孔的工艺顺序也是完成层压、钻孔和电镀后进行二次层压，只不过是在包含过孔的PCB上、下两侧都增加叠层，如图9所示的埋孔9，盲孔原则上可以实现PCB上任意两层间的连接。
[0075]综上所述，本发明提出了高速信号换层过孔采用低电导率金属电镀的设计方案，可以在不背钻或者背钻深度不够深的情况下改善过孔的残粧效应。
[0076]综上所述，本发明具有以下技术效果:
[0077]本发明采用在PCB钻孔上电镀电导率低于铜的金属来改善换层过孔的阻抗连续性，减少了残粧Stub引起的四分之一波长谐振点对通道信号完整性的影响。
[0078]尽管上文对本发明进行了详细说明，但是本发明不限于此，本技术领域技术人员可以根据本发明的原理进行各种修改。因此，凡按照本发明原理所作的修改，都应当理解为落入本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种实现PCB过孔的方法，其特征在于，包括以下步骤: 根据层压好且需要换层过孔的PCB的厚度，确定在所述PCB上形成过孔的过孔方式； 若所确定的过孔方式为全电镀过孔方式，则通过钻孔和电镀处理，在所述PCB上形成具有低电导率金属层的过孔，以便降低四分之一波长谐振点； 若所确定的过孔方式为电镀与背钻结合的过孔方式，则通过钻孔和电镀处理后再进行背钻处理，在所述PCB上形成一部分具有低电导率金属层，另一部分无金属层的过孔，以便降低四分之一波长谐振点。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过钻孔和电镀处理，在所述PCB上形成具有低电导率金属层的过孔包括: 在需要换层过孔的PCB上进行钻孔，形成过孔； 对所形成的过孔电镀一层低电导率金属，使在所述PCB上形成具有低电导率金属层的过孔。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述通过钻孔和电镀处理后再进行背钻处理，在所述PCB上形成一部分具有低电导率金属层，另一部分无金属层的过孔包括: 在需要换层过孔的PCB上进行钻孔，形成过孔； 对所形成的过孔电镀一层低电导率金属，使在所述PCB上形成具有低电导率金属层的过孔。 在所形成具有低电导率金属层的过孔上进行背钻处理，使在所述PCB上形成的过孔一部分具有低电导率金属层，另一部分无金属层。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据层压好且需要换层过孔的PCB的厚度，确定在所述PCB上形成过孔的过孔方式包括: 若所述PCB的厚度不大于PCB预置的厚度阈值，则确定在所述PCB上的过孔方式为全电镀过孔方式； 若所述PCB的厚度大于PCB预置的厚度阈值，则确定在所述PCB上的过孔方式为电镀与背钻结合的过孔方式。5.根据权利要求1-4任一所述的方法，其特征在于，所述背钻包括从顶层向下的背钻和从底层向上的背钻，所述低电导率金属为电导率低于5.8*107S/m的金属。6.一种实现PCB过孔的装置，其特征在于，包括: 确定过孔方式模块，用于根据层压好且需要换层过孔的PCB的厚度，确定在所述PCB上形成过孔的过孔方式； 第一过孔方式模块，用于当所确定的过孔方式为全电镀过孔方式，则通过钻孔和电镀处理，在所述PCB上形成具有低电导率金属层的过孔，以便降低四分之一波长谐振点； 第二过孔方式模块，用于当所确定的过孔方式为电镀与背钻结合的过孔方式，则通过钻孔和电镀处理后再进行背钻处理，在所述PCB上形成一部分具有低电导率金属层，另一部分无金属层的过孔，以便降低四分之一波长谐振点。7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述第一过孔方式模块包括: 钻孔单元，用于在需要换层过孔的PCB上进行钻孔，形成过孔； 电镀单元，用于对所形成的过孔电镀一层低电导率金属，使在所述PCB上形成具有低电导率金属层的过孔。8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述第二过孔方式模块包括: 钻孔单元，用于在需要换层过孔的PCB上进行钻孔，形成过孔； 电镀单元，用于对所形成的过孔电镀一层低电导率金属，使在所述PCB上形成具有低电导率金属层的过孔。 背钻单元，用于在所形成具有低电导率金属层的过孔上进行背钻处理，使在所述PCB上形成的过孔一部分具有低电导率金属层，另一部分无金属层。9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述确定过孔方式模块包括: 第一确定单元，用于当所述PCB的厚度不大于PCB预置的厚度阈值，则确定在所述PCB上的过孔方式为全电镀过孔方式； 第二确定单元，用于当所述PCB的厚度大于PCB预置的厚度阈值，则确定在所述PCB上的过孔方式为电镀与背钻结合的过孔方式。10.根据权利要求6-9任一所述的装置，其特征在于，所述背钻包括从顶层向下的背钻和从底层向上的背钻，所述低电导率金属为电导率低于5.8*107S/m的金属。
【专利摘要】本发明公开了一种实现PCB过孔的方法及装置，涉及PCB过孔技术领域，其方法包括以下步骤：根据层压好且需要换层过孔的PCB的厚度，确定在所述PCB上形成过孔的过孔方式；若所确定的过孔方式为全电镀过孔方式，则通过钻孔和电镀处理，在所述PCB上形成具有低电导率金属层的过孔，以便降低四分之一波长谐振点；若所确定的过孔方式为电镀与背钻结合的过孔方式，则通过钻孔和电镀处理后再进行背钻处理，在所述PCB上形成一部分具有低电导率金属层，另一部分无金属层的过孔，以便降低四分之一波长谐振点。本发明可以在不背钻或备钻深度不够深的情况下改善过孔的残桩效应，降低了四分之一波长谐振点。
【IPC分类】H05K3/40
【公开号】CN105704945
【申请号】CN201410709956
【发明人】尹昌刚, 马峰超
【申请人】中兴通讯股份有限公司
【公开日】2016年6月22日
【申请日】2014年11月28日
【公告号】WO2016082518A1