一种酸溶液及硅电容麦克风的制作方法与流程

本发明涉及硅电容麦克风技术领域，尤其涉及一种酸溶液及硅电容麦克风的制作方法。

背景技术：

随着无线通讯的发展，全球移动电话用户越来越多，用户对移动电话的要求已不仅满足于通话，而且要能够提供高质量的通话效果，尤其是目前移动多媒体技术的发展，移动电话的通话质量更显重要，移动电话的麦克风作为移动电话的语音拾取装置，其设计好坏直接影响通话质量。

而目前应用较多且性能较好的麦克风是微电机系统麦克风(Micro-Electro-Mechanical-System Microphone，简称MEMS)，相关技术中，MEMS麦克风包括基底、背板和振膜。随着硅电容麦克风尺寸的减少，传统的蚀刻法在对牺牲氧化物层进行蚀刻以形成声腔时，容易损坏振膜、背板等结构，从而无法控制平坦度、可靠性，容易发生屈曲，难以释放应力梯度，严重影响硅电容麦克风的性能。

因此，有必要提供一种新的酸溶液及硅电容麦克风的制作方法以解决上述问题。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种酸溶液及硅电容麦克风的制作方法，其在释放牺牲氧化物层时，减少酸溶液对背板层和硅振膜层的影响。

本发明的技术方案如下：一种酸溶液，所述酸溶液由按重量比值1:2至1:5的强酸和缓冲酸混合形成，所述强酸的PH<3，所述缓冲酸为NH₄F和HF的混合物。

优选的，所述强酸为HCL。

优选的，所述强酸和缓冲酸的重量比值为2:5。

本发明还提供了一种硅电容麦克风的制作方法，包括如下步骤：

提供从上至下依次设置的硅振膜层、背板层和硅基底，所述硅振膜层与所述背板层相对并间隔设置，所述背板层的中央处设有声孔，所述硅基底对应所述背板层的中央处设有与所述声孔连通的背腔，所述硅振膜层与所述背板层之间以及所述声孔内设有牺牲氧化物层；

利用所述酸溶液去除所述牺牲氧化物层，得到硅电容麦克风。

优选的，所述牺牲氧化物层为氧化硅层。

与相关技术相比，本发明具有如下技术效果：本发明提供的硅电容麦克风的制作方法按重量比值1:2至1:5提供强酸和缓冲酸，混合以形成酸溶液，利用该酸溶液来释放牺牲氧化物层以形成声腔，显著减少了酸溶液对背板层和硅振膜层的影响，有效控制了平坦度和可靠性，制作出来的硅电容麦克风灵敏度高、一致性好、稳定性高。

【附图说明】

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图，其中：

图1为本发明硅电容麦克风的制作方法中形成声腔的结构示意图；

图2为图1中去除牺牲氧化物层后的结构示意图。

【具体实施方式】

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明提供了一种酸溶液，所述酸溶液由按重量比值1:2至1:5的强酸和缓冲酸混合形成。所述强酸的PH<3，优选的为HCL，所述缓冲酸为NH₄F和HF的混合物。在本发明优选的实施方式中，所述强酸和缓冲酸的重量比值为2:5。

本发明提供的所述酸溶液对不同材料的腐蚀选择性能，具体如下表所示：

可以看出，在所述酸溶液由按重量比值1:2至1:5的强酸和缓冲酸混合形成时，该酸溶液的选择性最好。

本发明还提供了一种硅电容麦克风的制作方法，包括如下步骤：

如图1所示，提供从上至下依次设置的硅振膜层1、背板层2和硅基底3，所述硅振膜层1与所述背板层2相对并间隔设置，所述背板层2的中央处设有声孔20，所述硅基底3对应所述背板层2的中央处设有与所述声孔20连通的背腔30，所述硅振膜层1与所述背板层2之间以及所述声孔20内设有牺牲氧化物层4；

一并参照图2所示，利用所述酸溶液去除所述牺牲氧化物层4，得到硅电容麦克风。在本实施方式中，所述牺牲氧化物层为氧化硅层。

与相关技术相比，本发明提供的硅电容麦克风的制作方法按重量比值1:2至1:5提供强酸和缓冲酸，混合以形成酸溶液，利用该酸溶液可以有效的去除作为牺牲层的氧化硅层而对其他MEMS构造上的材料(例如：氮化硅，多晶硅等)保留下来，显著减少了酸溶液对所述背板层2和所述硅振膜层1的影响，有效控制了平坦度和可靠性，制作出来的硅电容麦克风灵敏度高、一致性好、稳定性高。

以上所述的仅是本发明的实施方式，在此应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出改进，但这些均属于本发明的保护范围。