一种可控硅式的发射装置的制造方法_2

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集电极与发射极断开,但是第二变动码接了一个电阻到电源,所以此时的第二变动码为高位,由此形成了第二变动码的转换。
[0033]三、形成接收输出唯一性的原理:
[0034]编码集成电路的数据输入端是只有在高位时,该位才起作用,在低位时,不作用。第一变位端是直接连接在可控硅型控制电路的输出上,而第二变位端是与NPN管控制电路的输出相接,因此,当可控硅型控制电路的输出为高位时,与之相接的第一变位端是高位起作用,而与NPN管控制电路相接的第二变位端,因为NPN三极管的基极有电压存在,所以三极管饱和,NPN管控制电路的输出为低位,所以第二变位端是低位不作用。而当可控硅型控制电路的输出为低位时,第一变位端也由高位变为低位不起作用,而第二变位端因为NPN三极管的基极失电,使其三极管截止,NPN管控制电路的输出由低位转变为高位,所以第二变位端也是高位起作用。所以形成了接收输出的唯一性。
[0035]四、在措施I中,可控硅型控制电路、NPN管控制电路与编码集成电路形成了这样的连接关系,编码集成电路的地址码被分成了两部分,一部分是预先已连接的固定码,另一部分是与可控硅型控制电路、NPN管控制电路连接的变动码。在人为操作发射时,可控硅型控制电路形成转换,形成高低两种状态,编码集成电路的活动码就变成了 I与O两种状态,这时编码集成电路就由原只能一种单码发射变为了双码两种输出。通过对射频电路中发射管的激励,达到双码调制发射的目的。而编码集成电路的两位变位端也分别连接了可控硅型控制电路的输出与NPN管控制电路的输出,而数据输入端只在高位时有作用,因此,可控硅型控制电路的输出是高位,只有与之相接的变位端起作用,当NPN管控制电路的输出是高位时,只有与之相接的变位端起作用,所以形成配套接收输出的唯一性,进一步提高了遥控的密级。
[0036]实施后或在设计者所配套的接收器的配合下,本发明有以下突出的优点为:
[0037]1、彻底改变了普通编码的固定发射形式,将编码集成电路的固定编码变为了活动的振荡形式,达到了变动码的目的,因此,大大提升了编码的密级,具有很高的防破解能力。
[0038]2、如果与滚动码线路的配合,其破译难度是超强的,因为滚动码是一类性质的编码,而本措施中双码发射又是一类性质的编码,两种不同性质的编码组合,比一种性质的编码破解难度更大。
[0039]3、双码发射可靠,其原因是发射双码产生的变码时,不会紊乱,两种变码状态明显,分辨清楚,与发明者设计的接收部分十分匹配。
[0040]4、只有对应的一位数据输入端是高位起作用,因此,形成配套接收输出的唯一性,进一步提升了遥控的密级。
[0041]5、线路可靠,可控硅型控制电路可靠,线路可调。
[0042]6、生产容易,一是不用贵重的设备与仪表,二是技术简单,三是线路精简且所用元件要求低,所以可以产生很高的直通率,四是成本低,十分适合微型企业生产。
【附图说明】
[0043]图1是可控硅型控制电路图。
[0044]图中:103、可控硅的阳极电阻;105、可控硅;106、积分电阻;107、放电二极管;108、积分电容;109、门坎稳压管;120、可控硅型控制电路的输出;601、电池;602、控制开关。
[0045]图2是各部分连接电路图。
[0046]图中:3、编码集成电路;7、射频电路;103、可控硅的阳极电阻;105、可控硅;106、积分电阻;107、放电二极管;108、积分电容;109、门坎稳压管;120、可控硅型控制电路的输出;202、基极控制电阻;205、NPN三极管;207、编码集成电路的第二变动码与电源之间的电阻;220、NPN管控制电路的输出;301、编码集成电路的第一变动码;302、编码集成电路的第一变位端;303、编码集成电路的第二变动码;305、编码集成电路的第二变位端;306、编码集成电路的固定码;308、编码集成电路的输出;601、电池;602、控制开关。
[0047]具体实施实例
[0048]图1与图2是具体实施的一种方式。
[0049]1、焊接:可控硅型控制电路图1所示焊接。
[0050]2、调制。
[0051](1)、调整可控硅型控制电路。
[0052]调整转换时间:用示波器的红条笔接在可控硅型控制电路的输出上,黑表笔接地,
[0053]观察转换情况,使之频率符合要求。调整门坎稳压管,或调积分电阻,或积分电容之值,可以调整发射时间。
[0054](2)、测试变动码。
[0055]A:用示波器的红表笔接第一变动码,黑表笔接地,在频率很慢时可观察,通电刚开始时,屏表示为高位,(现象是Y轴光标亮线有高位反应。),之后该光标为低位。
[0056]B:用示波器的红表笔接第二变动码,黑表笔接地,在频率很慢时可观察,通电刚开始时,屏表示为低位,(现象是Y轴光标亮线有低位反应。),之后该光标为高位。
[0057]如果有问题,可能是编码集成电路有问题,如果是第一变动码不高,则查看可控硅型控制电路,如果是第二变动码,则查看NPN管控制电路。
[0058](3)、检查数据输入端的唯一性。
[0059]用万用表的红表笔接第一变位端,黑表笔接地,在频率很慢时可观察,通电刚开始时,第一变位端是高位,之后成为低位,同样的方式测第二变位端,在通电刚开始时,第二变位端是低位,之后为高位。
[0060](4)、用普通单码接收器作接收器,此时接收部分不能收到信号。如果用发明者设计的特定双码信号接收器,则双码接收器会收到信号。
【主权项】
1.一种可控硅式的发射装置,其特征是:由电池、控制开关、可控硅型控制电路、NPN管控制电路、编码集成电路、射频电路共同组成; 其中:电池的负极接一种可控硅式的发射装置的地线,电池的正极接控制开关的一端,控制开关的另一端为一种可控硅式的发射装置的电源; 编码集成电路有8位地址码,其中有两位接为变动码,其余接为固定码; 编码集成电路中有4位数据输入端,其中两位接为变位端; 可控硅型控制电路由积分电路、可控硅、阳极电阻组成; 积分电路由积分电阻、放电二极管、门坎稳压管、积分电阻组成; 阳极电阻接在电源与可控硅的阳极之间,积分电阻的一端接可控硅的阳极,另一端接积分电容的正极,积分电容的负极接地线,放电二极管的正极接在积分电容的正极上,负极接在可控硅的阳极上,门坎稳压管的正极接积分电容的正极,门坎稳压管的负极接可控硅的控制极,可控硅的阴极接地线,可控硅的阳极即是可控硅型控制电路的输出,连接编码集成电路的一位变动码与一位变位端,这位变动码即为第一变动码,这位变位端即是第一变位端; NPN管控制电路由基极控制电阻与NPN三极管组成:基极控制电阻的一端连接可控硅型控制电路的输出,另一端接NPN三极管的基极,NPN三极管的发射极接地线,集电极即是NPN管控制电路的输出,连接编码集成电路的另一位变动码与另一位变位端,这位变动码即是第二变动码,这位变位端即为第二变位端,第二变动码与电源之间接一个电阻; 编码集成电路的输出连接射频电路。2.根据权利要求1所述的一种可控硅式的发射装置,其特征是:可控硅型控制电路中的阳极电阻的功率大于积分电阻的功率。3.根据权利要求1所述的一种可控硅式的发射装置,其特征是:可控硅为单向可控硅。4.根据权利要求1所述的一种可控硅式的发射装置,其特征是:NPN三极管采用8050。5.根据权利要求1所述的一种可控硅式的发射装置,其特征是:编码集成电路的固定码接地线,或是一部分接地线,另一部分悬浮。
【专利摘要】一种可控硅式的发射装置,属于遥控技术领域。是将具有三种状态的普通编码升级为一种高密编码的一种形式,由电池、控制开关、可控硅型控制电路、NPN管控制电路、编码集成电路、射频电路共同组成。编码集成电路的第一变位端与第一变动码连接可控硅型控制电路的输出,NPN管控制电路的输入连接可控硅型控制电路的输出,编码集成电路的第二变位端与第二变动码连接NPN管控制电路的输出,编码集成电路的输出连接射频电路,当控制开关接通电池,发射装置带电,可控硅型控制电路与NPN管控制电路起动,控制编码集成电路的变动码与变位端,达到变码发射目的的同时,形成接收输出的唯一性,为研究发射技术提出新的思路与方向。
【IPC分类】H04B1/04
【公开号】CN204681351
【申请号】CN201520406576
【发明人】杨远敏
【申请人】重庆尊来科技有限责任公司
【公开日】2015年9月30日
【申请日】2015年6月14日
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